Nd3+:Y0.5Gd0.5VO4晶体生长和基本特性

Nd^3 :Y0.5Gd0.5VO4晶体作为一种新的激光材料，可以用中频感应加热提拉法生长。X射线粉末衍射分析表明它的结构与Nd^3 :YVO4晶体结构相同，它的晶格常数介于YVO4和NdVO4晶格常数之间。用ICP光谱法测定晶体中Nd^3 含量为0．8at％，分凝系数为0．8，与Nd^3 :GdVO4晶体中Nd^3 的分凝系数0．78相当；用称重法测定其密度为5．00g／cm^3；用稳态纵向热流法测出其室温热导率为12．5W／mK。实验表明Nd^3 :Y0.5Gd0.5VO4晶体有希望作为高功率ID泵浦激光晶体材料。     

β—锂辉石的晶体化学性质及其低热膨胀性的结构解释

本文对低热膨胀陶瓷坯体主晶相的β－锂辉石（固溶体）的Ｘ射线衍射性质和红外光谱性质进行了研究和讨论，对β－锂辉石的晶体结构进行了详细的叙述，并从结构上解释了β－锂辉石的热膨胀各向异性和低热膨胀性。     

Eu2+激活的碱土金属铝酸盐磷光体的研究进展

主要概述了Eu^2 激活的碱土金属铝酸盐磷光体的光谱特性，总结了近年来在铝酸盐基质研究以及长余辉机理研究等方面所取得的进展，同时对今后的研究提出了展望。     

Synthesis, Characterization and Crystal Structure of Quaternary Complex of Gadolinium （Ⅲ）

Ａｎｕｍｂｅｒｏｆｌａｎｔｈａｎｉｄｅｔｅｒｎａｒｙｃｏｍｐｌｅｘｅｓｃｏｎ ｔａｉｎｉｎｇｈｅｔｅｒｏｃｙｃｌｉｃａｍｉｎｅｓｈａｖｅｂｅｅｎｒｅｐｏｒｔｅｄｓｉｎｃｅ1960 [1] .Ｉｎｒｅｃｅｎｔｙｅａｒｓｍｕｃｈａｔｔｅｎｔｉｏｎｈａｓｂｅｅｎｐａｉｄｔｏｑｕａｔｅｒｎａｒｙｃｏｍｐｌｅｘｅｓｏｆｌａｎｔｈａｎｉｄｅｓｂｅｃａｕｓｅｏｆｉｎ ｔｅｒｅｓｔｉｎｇｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ,ｃｏｏｒｄｉｎａｔｉｏｎｍｏｄｅ ,ｃｏｍｐｅｔｉｔｉｏｎｒｅ ａｃｔｉｏｎａｎｄｐｒｏｐｅｒｔｙ[2～ 9] .ＥＳＲｃａｎｅ…     

铁电存储器原理及应用

本文介绍铁电存储器(FRAM)的一般要领和基本原理，详细分析了其读写操作过程及时序。将FRAM与其他存储器进行了比较，分析了在不同场合中各自的优缺点。最后以FM1808为例说明并行FRAM与8051系列单片机的实际接口，着重分析了与使用一般SRAM的不同之处。     

[NZP]陶瓷零膨胀性能的设计

研究了「ＮＺＰ」材料的零膨胀性能，并尝试对零膨胀的「ＮＺＰ」陶瓷作了设计，从晶体结构、原子复合、各向异性、显微结构和复合材料等方面提出了设计思路。     

金属镱低压吸氘研究

在真空系统中的氘压低于0.1 MPa条件下研究了金属镱的吸氘性能,并对不同原子比的氘化物的物相进行了分析.在常压、300 ℃下,金属镱吸氘不明显;400 ℃时,金属镱经较长时间活化后吸附一定量的氘;500 ℃时,镱升华.400 ℃时的吸氘实验结果表明:从活化至开始吸氘直至吸附平衡需很长时间;氘/镱原子比的高低与吸氘时间有关,饱和吸氘时的原子比最大为2.00;金属镱为面心立方(fcc)结构,a0=0.549 2 nm.具有不同原子比的氘化镱的X射线衍射(XRD)分析结果显示:氘化镱有2种结构,即面心立方结构(a0=0.524 nm)和正交结构(a0=0.588 nm、b0=0.358 nm、c0=0.678 nm);金属镱吸氘后,立方结构氘化镱晶格常数及晶胞体积均发生收缩现象,收缩率分别约为4%和11%.正交结构氘化镱晶胞体积收缩约14%.