STI process steps for sub-quarter micron CMOS

This paper presents Shallow Trench Isolation (STI) process steps for sub-1/4 μ CMOS technologies. Dummy active areas, vertical trench sidewalls, excellent gap filling, counter mask etch step and CMP end point detection, have been used for a 0.18 μm CMOS technology. Electrical results obtained with a 5.5 nm gate oxide thickness show good isolation down to 0.3 μm spacing. Good transistor performances have been demonstrated.     

青海省桥头电厂河子沟灰场拦洪坝粘滞流模型试验分析

本文采用粘滞流模型试验对青海桥头电厂河子沟灰场拦洪坝设计方案进行了论证，分析了多种防渗条件下的渗流场特点，提出了满足工程运作的既经济又合理的建议。     

关于松辽盆地内部地体碰撞的探讨

通过对地震资料中特殊现象的解释提出了松辽盆地内部东西地体碰撞的看法,合理地解释了松辽盆地滨北地区地质现象的形成机制,并且认为地体碰撞带可能是无机生油的有利场所。     

Stability of long trench in soft soils by bentonite-water slurry

A series of centrifuge model tests exploring the effects of different types of slurry on long-trench stability in soft clay were conducted. The influence of groundwater conditions relative to trench stability was examined by constructing long trenches using different slurries. The soil deformation and surface settlement induced by the excavation of the trench are found to be closely related to slurry type and excavation depth of the long trench. Increasing the bentonite concentration of the slurry has beneficial effects on stability： 1） larger particles can improve local and global stability in cases where filter cakes do not form, and 2） larger viscosity can promote filter cake formation on the walls of long trenches excavated in soft clay and enhance their stability.     

小口径长输管道高地下水位段单侧沉管施工技术

为了解决高地下水位段由于地表承载力差,采用传统的沟上组焊吊装下沟的施工方法难度较大的问题。笔者结合沙漠段沉管下沟的方法在工程中的应用,在高地下水位段采用单侧沉管下沟的施工工艺。工程实践结果表明,该工艺成功解决了高地下水位段小口径长输管道施工面临的困难,极大地提高工程进度的同时保证了施工安全且减少了项目成本,可为同类地区的管道施工提供借鉴。     

木桩固基卵石换填法处理淤泥地基施工技术

木桩固基卵石换填法处理淤泥地基可以大幅减少卵石换填层厚度和换填量,采用该方法对渭南市涧峪水库城市供水应急工程中淤泥地基进行了处理,结果表明:工程基槽开挖量、管槽回填量和换填材料用量均大幅减少,软基处理效果好,取得了良好的经济效益和社会效益。     

极端高温下10kV电缆中间接头载流量分析

随着世界各地夏季环境温度不断升高,电缆中间接头的工作环境正在恶化。为此,文中基于有限元法建立10 kV三芯电缆及其中间接头仿真模型,分析不同环境温度和不同电流下中间接头的温度分布。首先,开展温升试验,得到电缆中间接头表面的稳态温度,验证仿真模型的准确性;然后,拟合不同环境温度下中间接头高压载流导体表面温度与电流的函数关系,以此可以计算不同极端环境温度下中间接头的极限安全载流量。结果表明,环境温度升高对中间接头高压载流导体表面的温度分布趋势几乎没有影响,在外护套外表面处也满足此规律。中间接头高压载流导体表面温度与电流近似成二次函数关系。当电流幅值为480 A、环境温度为75 ℃时,高压载流导体表面与外护套外表面最高温度分别是环境温度为30 ℃时的1.57倍与1.69倍。当环境温度超过55 ℃时,按照国标规定的持续允许载流量会使中间接头高压铜导体表面温度超过最高允许运行温度90 ℃。考虑到自2020年起夏季环境温度持续增加,现行国标中10 kV铜导体三芯交联聚乙烯绝缘电缆中间接头的持续允许载流量须被修正。     

500V沟槽阳极LIGBT的设计与优化

介绍一种双外延绝缘体上硅(silicon on insulator,SOI)结构的沟槽阳极横向绝缘栅双极型晶体管(trenchanode lateral insulated-gate bipolar transistor,TA-LIGBT).沟槽阳极结构使电流在N型薄外延区几乎均匀分布,并减小了元胞面积;双外延结构使漂移区耗尽层展宽,实现了薄外延层上高耐压低导通压降器件的设计.通过器件建模与仿真得到最佳TA-LIGBT的结构参数和模拟特性曲线,所设计器件击穿电压大于500 V,栅源电压Vgs=10 V时导通压降为0.2 V,特征导通电阻为123.6 mΩ.cm2.     

管土相对刚度对沟埋管道竖向土压力影响研究

通过建立管道、回填土、地基的有限元分析模型,研究不同管土相对刚度对管顶竖向土压力的影响。结果表明:管顶填土竖向位移随着管土相对刚度的增大逐渐增大;在相对刚度较小时,随着埋深的增大,管顶竖向位移变化较小;埋深较浅时,管土相对刚度对管顶竖向土压力影响较小,当埋深大于4.5 m时,随着管土相对刚度的增大,管顶竖向土压力明显增大。     

陕西省某生活垃圾卫生填埋场泄洪沟设计分析

西北地区山谷形垃圾填埋场一般具有汇水面积大、土质疏松、易发生山体垮塌等特点,因而需进行降水拦截导排。以实际工程设计为基点,结合当地条件进行了基本参数的选取、断面比选、出口形式选择、消力区段设计计算等。针对场区地形高差大、坡度陡实际情况,给出了陡坡段消力设计计算的一般方法。