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1.
Small object detection is challenging and far from satisfactory. Most general object detectors suffer from two critical issues with small objects: (1) Feature extractor based on classification network cannot express the characteristics of small objects reasonably due to insufficient appearance information of targets and a large amount of background interference around them. (2) The detector requires a much higher location accuracy for small objects than for general objects. This paper proposes an effective and efficient small object detector YOLSO to address the above problems. For feature representation, we analyze the drawbacks in previous backbones and present a Half-Space Shortcut(HSSC) module to build a background-aware backbone. Furthermore, a coarse-to-fine Feature Pyramid Enhancement(FPE) module is introduced for layer-wise aggregation at a granular level to enhance the semantic discriminability. For loss function, we propose an exponential L1 loss to promote the convergence of regression, and a focal IOU loss to focus on prime samples with high classification confidence and high IOU. Both of them significantly improves the location accuracy of small objects. The proposed YOLSO sets state-of-the-art results on two typical small object datasets, MOCOD and VeDAI, at a speed of over 200 FPS. In the meantime, it also outperforms the baseline YOLOv3 by a wide margin on the common COCO dataset. 相似文献
2.
Shannon Lee Scott L. Carnahan Georgiy Akopov Philip Yox Lin-Lin Wang Aaron J. Rossini Kui Wu Kirill Kovnir 《Advanced functional materials》2021,31(16):2010293
Noncentrosymmetric (NCS) tetrel pnictides have recently generated interest as nonlinear optical (NLO) materials due to their second harmonic generation (SHG) activity and large laser damage threshold (LDT). Herein nonmetal-rich silicon phosphides RuSi4P4 and IrSi3P3 are synthesized and characterized. Their crystal structures are reinvestigated using single crystal X-ray diffraction and 29Si and 31P magic angle spinning NMR. In agreement with previous report RuSi4P4 crystallizes in NCS space group P1, while IrSi3P3 is found to crystallize in NCS space group Cm, in contrast with the previously reported space group C2. A combination of DFT calculations and diffuse reflectance measurements reveals RuSi4P4 and IrSi3P3 to be wide bandgap (Eg) semiconductors, Eg = 1.9 and 1.8 eV, respectively. RuSi4P4 and IrSi3P3 outperform the current state-of-the-art infrared SHG material, AgGaS2, both in SHG activity and laser inducer damage threshold. Due to the combination of high thermal stabilities (up to 1373 K), wide bandgaps (≈2 eV), NCS crystal structures, strong SHG responses, and large LDT values, RuSi4P4 and IrSi3P3 are promising candidates for longer wavelength NLO materials. 相似文献
3.
4.
We investigate the effect of dopant random fluctuation on threshold voltage and drain current variation in a two-gate nanoscale transistor. We used a quantum-corrected technology computer aided design simulation to run the simulation (10000 randomizations). With this simulation, we could study the effects of varying the dimensions (length and width), and thicknesses of oxide and dopant factors of a transistor on the threshold voltage and drain current in subthreshold region (off) and overthreshold (on). It was found that in the subthreshold region the variability of the drain current and threshold voltage is relatively fixed while in the overthreshold region the variability of the threshold voltage and drain current decreases remarkably, despite the slight reduction of gate voltage diffusion (compared with that of the subthreshold). These results have been interpreted by using previously reported models for threshold current variability, load displacement, and simple analytical calculations. Scaling analysis shows that the variability of the characteristics of this semiconductor increases as the effects of the short channel increases. Therefore, with a slight increase of length and a reduction of width, oxide thickness, and dopant factor, we could correct the effect of the short channel. 相似文献
5.
随着对管道安全问题和降本增效理念的逐步重视,管道清管操作已成为全世界油气管道运行中必不可少的作业规程,清管器的运行速度是需要重点控制的参数之一,当其处于合理区间内时(原油管道1~5m/s,天然气管道2~7m/s),清管效果最佳。本文基于对管道清管数学模型的研究,首先论述了不同的被动控制方法,认为该方法较为灵活,应用广泛,对不同入口条件下清管器速度的准确计算是能否控制清管器速度处于合理区间的关键;然后对不同的主动控制方法进行了研究,研究表明:射流清管器速度控制的核心是旁通率的优选,其依赖于压降系数、皮碗与管壁间摩擦力的准确计算,建立简便可靠的摩擦力工程计算模型将有助于射流清管技术应用的进一步推广;最终本文对清管器智能调速技术进行综述和展望,指出发展稳定可靠的国产智能调速技术是未来重点研究方向。 相似文献
6.
在分析单一MU(Most Uncertainty)采样缺陷的基础上,提出一种"全局最优搜寻"方法 GOS(Global Optimal Search),并结合MU共同完成查询选择。GOS+MU方法中,GOS着眼全局寻找目标,在应用环境能提供的训练样本数量有限、分类器受训不充分时,该方法选择的对象学习价值高,能快速推进分类器学习进程;MU则能够在GOS采样失效情形下,利用分类器当前训练成果,选择查询不确定性最强的样本补充训练集。通过对网络商品的用户评论进行分类仿真,并比较其他采样学习方法的效果,证明了GOS+MU方法在压缩学习成本、提高训练效率方面的有效性。 相似文献
7.
为了在腔磁力系统中实现可控的磁子诱导透明、磁力诱导透明以及快慢光传播,建立了一个混合腔磁力系统.该系统由一个含有YIG球的微波腔和在z方向对球施加一个均匀的偏置磁场组成,并用强泵浦场驱动磁子和弱探测场驱动微波腔.研究表明,通过调节腔与磁子之间的相互作用强度和微波腔与磁子的耗散比,可以增加磁子诱导透明(MIT)、磁力诱导透明(MMIT)的效果和提高快慢光传播的速度.该研究结果可为磁力诱导放大、量子光学操纵和量子信息存储以及灵敏光开关的研究提供参考. 相似文献
8.
面对电信承载网连接的日益增长的海量终端设备,运营商需要结合网络拓扑对终端设备产生的数据进行高效的汇聚统计、异常分析、故障定位处理等操作。针对已有系统存在的操作困难、分析效率低等问题,设计与实现了一个面向电信承载网的高效监控系统,提供实时与离线数据分析和多维可视化分析的能力。对网管、认证、终端等系统及设备采集的数据进行结构化存储,对采集的数据进行拓扑相关性和时间序列方法分析,根据分析结果实现基于动态阈值控制的异常实时告警、定位等操作,并提供多维度可视化分析对网络状态进行实时监控。实际应用结果表明,该系统性能优异,具有良好交互性,能较好地满足承载网运维人员业务分析需求。 相似文献
9.
10.
针对矫直速度对重轨矫后残余应力的影响进行研究,利用Pro/E建立60kg·m-1重轨九辊水平矫直模型,采用ANSYS Workbench对重轨矫直过程进行有限元数值模拟,通过现场矫直规程对采用现场矫直速度以及假定矫直速度得到的重轨矫后残余应力进行分析比较,得出了在其余条件不变的情况下重轨的矫直速度在1.4~1.6m·s-1的范围内其轨底矫后纵向残余拉应力小于250MPa,且残余应力分布合理,满足矫直要求,相比于现场采用的1.2m·s-1的矫直速度其生产效率最大能够提高16.7%~33.3%。 相似文献