中国有机硅工业的发展空间

从中国的甲基氯硅烷建设热、金属硅对甲基氯硅烷生产的影响、下游产品的布局和发展、提高企业自主创新能力和知识产权保护意识、加强企业与．研究机构的合作、建立以企业为主体、产学研相结合的技术创新体系等几个侧面对中国有机硅工业的现状、存在问题及发展空间等进行了初步探讨。     

铜催化剂中杂质元素测定方法的建立

建立了采用X射线衍射荧光光谱仪、通过增量法测定铜催化剂中微量元素含量的方法。     

400t／a苯基氯硅烷直接法合成工艺

本文介绍了４００ｔ／ａ苯基氯硅烷直接法合成工艺及其技术经济指标。     

对我国有机硅工业现状及其发展的一些看法

回顾了我国有机硅工业的发展历史，并对国内外有机硅单体甲基氯硅烷的生产技术水平进行了对比，分析了我国与国外在甲基氯硅烷生产技术水平方面的差距，提出了发展我国有机硅工业的建议。     

苯基氯硅烷单体分离塔系的模拟与优化

直接法合成的苯基氯硅烷粗单体是一种成分复杂的多组分混合物,其分离纯化较为困难,国内外鲜有报道。文中设计了4种分离方案并与文献中已有的分离方法进行对比。利用Aspen Plus对以上5种分离方案进行严格模拟计算,旨在保证一苯基三氯硅烷、二苯基二氯硅烷的纯度及收率的前提下找出年度费用最低的分离方案。基于易分离度系数法的分离方案年度总费用最低,比现有分离方案的年度总费用降低了7.8%。以该流程为初始方案,利用调优法找出4组相邻分离方案。通过对4组分离方案进行精确模拟计算,得到结论:调优方案3年度总费用最低,为苯基氯硅烷单体分离的最优分离方案,比初始方案年度总费用低了3.5%。     

有机硅低沸物研究进展

概述了有机硅低沸物的特点,介绍了国内外处理有机硅低沸物的主要方法：精馏法和再分配法,试图总结出适合工业化运用的处理有机硅低沸物的方法。     

氯硅烷管道泄漏事故分析

通过管道材质和腐蚀物的化学成分分析、金相分析、能谱测试和X射线衍射检测等,对氯硅烷管道泄漏事故原因进行分析,指出外腐蚀是主要原因,对腐蚀机理进行探讨,并从管道设计、使用维护、开停车管理等方面提出改进建议。     

Si-C-N陶瓷前驱体聚硅氮烷合成的研究进展

综述了合成Si—C—N陶瓷前驱体聚硅氮烷的主要方法，即氨／Q解氯硅烷法、硅氮烷低聚物交联法、硅氮烷低聚物与氯硅烷反应法及氯硅氯烷和氯硅烷脱氯编聚法，并介绍了用铝、硼、钛、钇等元素对聚硅氮烷进行改性，以提高Si—C—N陶瓷性能的方法。     

国内甲基氯硅烷生产技术进展

以国内甲基氯硅烷生产技术的发展历史为线索,围绕制约当前甲基氯硅烷生产技术发展的关键问题,介绍国内甲基氯硅烷生产技术发展取得的成就、当前现状、存在的问题以及发展趋势,并对提高甲基氯硅烷生产技术水平提出了意见和建议。     

硅铜触体性能评价与测试方法

以搅拌床为反应器,采用一次加料法,待触体活化后采集各种反应温度下一定时间段内甲基氯硅烷混合单体的产量及组成数据,以活性、选择性、寿命为评价指标,建立起评价硅铜触体性能的方法;并在相同条件下用参照物料做对比试验,消除反应设备、试验条件、环境等因素对试验结果的影响。试验中发现,若温度太高或活化时间不够,触体活性、选择性均偏低;当触体活化后再升高温度,触体高温失活前不会对试验结果产生大的影响;相比而言,活化温度及时间对触体寿命的影响较小。试验过程中很难一次性设定适宜温度,故在触体活化过程中应采取逐步升温的方法对活化温度进行选取;活化时间以12～16 h为宜,当触体产率达到正常时方可进行采样。