晶型及化学成分对SiC粉体氧化性能的影响

研究粒度标号为W2.5和W10、晶型为3C和6H的3C-W2.5、3CW10、6H-W2.5、6H-W10这4种SiC粉体的氧化性能,通过同步热分析仪讨论4种粉体在30~1 400℃时的非等温氧化特性,采用X射线衍射和扫描电子显微镜对氧化前、后粉体的物相和表面性质进行表征。结果表明:起始氧化温度从高到低的SiC粉体依次为3C-W10、6H-W2.5、6H-W10、3CW2.5,与其化学成分中SiO2相对含量由大到小的关系相一致;在相同实验条件下,高温氧化后同一晶型的粉体粒度标号为W2.5的质量变化大于W10的,粒度相同时,3C-SiC的质量变化小于6H-SiC的;加热至1 400℃后,SiC晶体表面有玻璃状SiO2生成。     

SiC／Al合金层状复合材料的机械性能及损伤行为

在室温条件下测定了Ａｌ合金以连续层状形式存在于ＳｉＣ陶瓷层间并渗透入ＳｉＣ陶瓷层内、Ａｌ合金浓度呈层状变化高低相间，以及Ａｌ合金和ＳｉＣ陶瓷均匀分布相互渗透三种ＳｉＣ含量相同而结构形式不同的ＳｉＣ／Ａｌ合金复合材料的机械性能；用ＳＥＭ和光学显微镜观察分析了复合材料的断口形貌及裂纹扩展过程。结果表明，在ＳｉＣ陶瓷层间以连续层状形式存在的Ａｌ合金在应力作用下发生较大程度的塑性变形，在裂纹尾部被拉伸和形成桥接，引起能量耗散，减缓裂纹扩展速度，防止裂纹张开，使复合材料的韧性得到明显改善；ＳｉＣ／Ａｌ合金陶瓷─金属层状复合材料的损伤形式主要是ＳｉＣ陶瓷层开裂、金属层桥接和裂纹偏转。     

单根硅纳米线等离子激发色散关系的测量

等离子激发是了解材料的电子态性质的一个窗口。电子能量损失谱是研究材料内等离子激发的一个极好的实验工具[1] 。常见的电子能量损失谱主要是通过研究等离子激发的能量和强度来分别确定材料内部价电子的体密度和样品的厚度 ,比较少的是关于等离子激发能量与散射角度的关系的研究[2 ] ,即物理意义上的等离子激发的色散关系。色散关系和材料的维度及电子与电子的相互作用有关[3 ] ,故研究低维材料激发态的色散关系是一个十分有意义的工作。我们在这里报导测量单根硅纳米线等离子激发色散关系的初步工作。我们选择硅纳米线作为实验体系是因为…     

激光熔覆Ni基SiC合金涂层组织与性能的研究

利用5kWCO2连续波激光器在16Mn钢基材表面对含20%(体积比)SiC陶瓷粉末的镍基自熔性合金粉末进行激光熔覆得到Ni基SiC合金涂层(NiSiC)。研究了合金涂层的组织形貌及相结构,并用单纯的镍基合金涂层(Ni60)进行了显微硬度及滑动磨损性能的对比试验。结果表明,NiSiC合金涂层由γ枝晶及其间的共晶组织组成,主要组成相为γ-Ni,γ-(Ni,Fe)固溶体和(Cr,Fe)7C3,Cr23C6及(Cr,Si)3Ni3Si等化合物。添加SiC的镍基合金涂层NiSiC比单纯的镍基合金涂层Ni60具有较高的硬度和耐磨性。     

SiC颗粒增强Al基复合材料中有害界面反应的控制

对有害界面化学反应的控制，是当前SiC颗粒增强Al基复合材料研究中的主要问题之一，本文对近年来国内外研究工作者，通过添加Si元素及对SiC颗粒进行表面处理来控制SiC/Al之间有害界面反应的研究进展进行了评述。     

汽车用金属基复合材料

高的强度／重量比、改善的机械性能和热学性能以及强适应能力使金属基复合材料（MMCs）对汽车工业颇具吸引力，微粒强化MMCs，如铝合金掺入SiC微粒尤其吸引人，其原因在于其低成本、相对均质性以及与纤维强化材料相比更易于加工。     

美国工程师合成P型ZnO纳米线

美国加州大学圣地亚哥分校的工程师们合成了长期寻求的半导体材料-P型ZnO纳米线，为价格更低廉的新型发光二极管的制作铺平了道路。     

喷射沉积SiCP/Al复合材料及6066铝合金热挤压工艺的研究

作者应用喷射共沉积工艺制备 6 0 6 6 / Si Cp复合材料和 6 0 6 6铝合金锭坯 ,在不同的挤压比、挤压温度下挤压成　　型 ,用金相显微镜观察材料的显微组织 ,并测试了材料的力学性能。结果表明 :Si C/ Al复合材料喷射沉积状态的组织很疏松 ,存在许多的间隙 ,其密度约为理论密度的 86 % ,Si C颗粒在复合材料中分布不均匀 ,喷射沉积铝合金基体的致密度可达 90 % ;挤压过程使 Al/ Si Cp复合材料的大多数空隙消失 ,致密程度随挤压比的增大而增大 ,挤压比超过 14 .7后不会明显变化 ,而铝合金基体的致密程度与挤压比的变化关系不明显 ;挤压温度对材料的致密程度影响不大 ;Al/ Si Cp复合材料性能在挤压比超过 14 .7后变化不大 ;铝合金的性能不受挤压比变化的影响 ;而挤压温度过高使材料性能下降     

一维ZnO纳米结构的电子场发射研究

在大量制备一维ZnO纳米结构的基础上,研究了这些纳米结构的场发射性能。对于四角状ZnO纳米结构,获得1.0m Ac/m2的电流密度只需要4.5V/μm的电场;对于线状Z nO纳米结构,获得1.0mAc/m 2的电流密度需要6.5V/μm的电场。由于其特殊的结构,四角状ZnO一维纳米结构在真空电子器件方面有很好的应用前景。