未来5年铟原料供应不会出现短缺

近年来，由于FPD（平板显示器）市场增长迅速，曾担心透明导电薄膜用rrO（氧化铟锡）靶材原料——铟供应不足。但由于新的铟生产商的加入及回收利用率的提高，使铟的供应大量增加。此外，还正在开发ITO的替代材料。因此，业内人士预测未来5年铟原料供应不会短缺。     

纳米氧化铟粉体的形貌与结构研究

用湿化学法制备了纳米极氧化铟超细粉体。利用透射电子显微镜、图像分析仪研究了纳米氧化铟粉体的形貌、尺寸分布和结构特征。结果表明，氧化铟粉体呈方片状，尺寸在10-30nm，化学组分高纯，达到了纳米级粉末要求；粉体的尺寸均匀，但在不同条件下制得的粉体，其尺寸相差较大；制备得到的氧化铟超细粉体的结构为体心立方。     

应用铟源的反应蒸发制备In2O3透明导电膜

本工作说明，在低压氧气氛中。应用铟源的反应蒸发很容易淀积高质量的Ｉｎ２Ｏ３透明导电膜．旦然没有使用锡杂质，但所得膜的性能可以和最好的掺锡的Ｉｎ２Ｏ３膜相比．膜电阻率达２～３×１０￣４Ω·ｃｍ，可见光透过率超过９０％，并且膜生长速率高达２１９／ｍｉｎ．文章对成膜过程作了分析，报道了膜的最佳淀积条件，对由于偏离最佳淀积参数而导致的异常膜的形成机制也进行了讨论．     

ITO薄膜产业化进程概述

１ＩＴＯ薄膜发展概况氧化铟锡（Ｉｎｄｉｕｍ－Ｔｉｎ－Ｑｘｉｄｅ）或掺锡氧化铟（Ｔｉｎ－ｄｏｐｅｄＩｎｄｉｕｍＯｘｉｄｅ）薄膜是一种重掺杂、高简并ｎ型半导体，简称ＩＴＯ薄膜。目前，ＩＴＯ薄膜的电子密度ｎｅ可高达１０２１／ｃｍ３，电子迁移率μｅ在１５～４...     

热处理对制备纳米氧化铟锡(ITO)粉末的影响

以共沸蒸馏工艺辅助的共沉淀法制备了纳米氧化铟-氧化锡（ITO）粉体，研究了不同热处理温度对制备粉体的影响，结果表明，随着热处理温度的提高，粉体发生从四方结构向体心立方结构转变，晶粒出现长大现象，比表面积变化明显，化学组分保持高纯状态，综合比较，在700～800℃进行热处理可以得到尺寸均匀，晶形完整的纳米级粉体。     

辅助材料

减少聚合物涂料可迁移量的方法；使用极化改性聚烯烃蜡改进密封剂对粉末涂料的附着力；表面改性的氧化铟锡；防水剂、其在防水涂料中的应用及涂漆件；对皮肤无害的用于脱除涂料、胶粘剂、树脂和口香糖残留物的浆状脱除剂     

粒径均匀的氧化铟粉末的研制

以金属铟，硫酸，氨水为原料，通过工艺条件的选择，制备出过滤性良好的氢氧化铟沉淀物。该沉淀物经过干燥，煅烧不需将氧化物粉碎就可以得到粉末状氧化铟。最佳工艺条件为：反应液中铟离子初始浓度调节在70g/L以下，碱添加量为铟含量的3－4倍；沉淀反应温度控制在90℃以上。     

有机金属先驱体分解制备铟和氧化铟纳米颗粒

介绍了有机金属先驱体In(η5-C5H5)分解制备铟(In)和氧化铟(In2O3)纳米颗粒的实验方法,并利用透射电子显微镜(TEM)观察制备的In和In2O3纳米颗粒的微观结构.     

FTO上溅射ITO薄膜及光电性能

通过脉冲磁控溅射法在掺氟氧化锡透明导电薄膜(FTO)基底上制备了氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜。研究了溅射时间和衬底温度对FTO基底上制备的ITO薄膜的光透过率和电性能的影响。采用SZT-2四探针测试仪测量样品表面的电阻,用扫描电镜(SEM)对样品进行表征。结果表明,随着溅射时间的增加以及衬底温度的升高,以FTO导电薄膜为基底制备的氧化铟锡(ITO)透明导电膜的电阻逐渐减小,而后基本保持不变。在基片温度为400℃、溅射时间为45min时,方块电阻最小值达到1.5Ω。     

多层结构镀银聚酯导电纤维的制备

聚酯纤维经除油和粗糙化后,表面浸涂氧化铟锡(ITO)溶胶,经热处理在纤维表面形成ITO层,经SnCl2溶液敏化后浸入特定浓度的氧化-还原镀银溶液中,获得表面镀制银/ITO复合导电层的聚酯导电纤维。扫描电子显微镜观察显示,复合导电层的厚度约为500nm,纤维表面银层平整,颗粒均匀。能量弥散X射线能谱测试表明,纤维表面银的质量分数可达87.44%。对纤维进行力学性能和导电性能测试结果显示,其断裂强度为4.741cN/dtex,比原纤维下降约14%,纤维电阻率可低至0.21mΩ·cm。