研磨金属镜表面去氧化实验研究

通过改变研磨液成分去除金属镜表面氧化层,利用能谱仪分析金属表面氧元素含量来表示去氧化膜效果,氧含量越少说明氧化膜去除越好。分别使用不同pH的柠檬酸、氢氧化钠和航空煤油做研磨液,结果表明使用不同研磨液的情况下金属表面的氧含量不同,酸性情况下金属镜表面氧含量随pH值增高而增大,碱性情况下金属镜表面氧含量随pH值增大而减小,酸性、碱性、油性较之在清水做研磨液的氧含量33.38%有较明显的下降。酸性环境下金属表面氧的去除率与酸性强弱有关,酸性越强去氧效果越好,碱性环境下也有同样的结论,碱性越强去氧效果越好,氧化膜去除能力上油性环境酸性环境碱性环境,而金属镜表面光亮程度也呈现相同的关系,氧化膜的去除使金属镜表面硬度下降,研磨速率提高。     

关于实验《绿叶中色素的提取和分离》材料的筛选

在高中生物课本中色素的提取和分离实验采用的是菠菜叶,由于这个实验基本上在冬天完成,菠菜的价格偏高,而且市场不能稳定供应,因此我们希望通过这个实验能寻找到多一些实验效果较好也相对经济的植物,来保证学生实验的顺利开展。本次论文设计采用了红薯叶、韭菜叶、茼蒿叶等十九种市面上常见的蔬菜叶子,严格按照高中生物课本实验的步骤进行,最后筛选出层析效果比较明显的几种植物,以供各位老师参考。     

LED蓝宝石衬底研磨工艺研究

为改善蓝宝石加工工艺,通过金刚石研磨液研磨LED蓝宝石衬底试验,研究了此过程中的工艺参数(研磨盘材质、研磨压力、研磨盘转速等)对材料去除速率和表面粗糙度值Ra的影响。试验结果显示:研磨盘材质以铜质为佳,其最优工艺参数组合为研磨压力20.68kPa、研磨盘转速80r/min。     

EH系列水性石英晶体研磨液

本文介绍了两种国内最新研制成功的水性石项晶体研磨液，ＥＨ－０５型可用着普通自来水稀释３０倍使用于３Ｂ，４Ｂ，６Ｂ型研磨机。ＥＨ－２０型可悬浮Ｗ１４－Ｗ４０号大粒径磨料，完全替代ＰＣ油。用于６Ｂ，９Ｂ型研磨机，使用时可加普通自来水一倍稀释。０     

硅片研磨表面状态的改善和研磨液的改进

在硅片研磨过程中,由于应力的积累和剧烈的机械作用,硅片表面损伤严重,碎片率增加.介绍了一种改进的研磨液,不但把剧烈的机械作用转变为比较缓和的化学-机械作用,还能起到其他较好的辅助作用并对其各成分作用,进行了理论分析.硅片表面状态得到了一定程度的改善,提高了生产效率.     

SiC 单晶片化学机械研磨试验研究

目的提高Si C单晶片的材料去除率,改善加工后的表面质量。方法进行研磨液试验,利用极差法得到研磨液的最优配比和研磨液成分中影响去除率的主次因素顺序;对主要影响因素进行单因素试验并考察对材料去除率的影响。结果研磨液的质量为50 g,最优配方为:助研剂、分散剂、增稠剂、润滑剂、磨料A、磨料B的质量分别为9,7,5,3,3,5 g,其余为调和剂,磨料A和磨料B的粒度均为W28。结论影响材料去除率的主要因素为磨料粒度,粒度越大,材料去除率越高。     

罗门哈斯公司依靠能够减少缺陷和研磨液用量的化学机械研磨垫表面沟槽设计，大力拉动市场需求

罗门哈斯电子材料公司（ROH：Rohm and Haas Electronic Materials）宣布．其新型化学机械研磨垫表面沟槽设计能够减少缺陷和研磨液的用量．现已迅速得到全球各地市场的认可。全球各地的客户现在开始采用这些能显著地改善工艺性能的新型表面沟槽设计．以降低缺陷．延长研磨垫的使用寿命,减少化学机械研磨易耗品的总体成本。     

铜阻挡层CMP解决方案

ACuPLANE铜阻挡层CMP解决方案是面向高级Cu／lowk材料互连应用的产品。ACuPLANE系统通过优化研磨垫和研磨液的组合性能,使缺陷率降低了一个数量级,同时还赋予客户更大的控制力,帮助客户最大限度减少金属和电介质的损耗。此外,ACuPLANE系统能够显着改善研磨后整个品圆表面的形貌,并能降低晶圆上的应力以避免多孔的超低介电常数（ultra low—k）材质薄膜表面出现凹陷、腐蚀和脱层现象。     

罗门哈斯电子材料公司推出新型化学机械研磨液

罗门哈斯电子材料公司CMP技术事业部最近推出了一种新型铜阻挡层化学机械研磨液，专门设计用来帮助用户处理90nm和65nm技术节点下低介电质（Low K）整合方案中的化学机械平坦化问题。新型LK393c4铜阻挡层化学机械研磨液是在晶圆制造厂商的密切配合下开发而成的，与现有的其它化学机械研磨液配方相比，其选择比和研磨速率可帮助用户把芯片产量提升同时降低拥有成本25％到30％。     

振动光整加工对工件表面质量的影响

为了更深刻地研究振动光整加工中各种因素对工件表面粗糙度的影响,对样件从以下几个方面分别进行了试验:通过改变加工时间、偏心块的夹角、频率的大小、磨料的配比和研磨液种类,得出了这几个因素对工件表面粗糙度的影响情况。