高质量ZnO薄膜的退火性质研究

在LP－MOCVD中，我们利用Zn(C2H5)2作Zn源，CO2作氧源，在（0002）蓝宝石衬底上成功制备出皮c轴取向高度一致的ZnO薄膜，并对其进行500℃-800℃四个不同温度的退火。利用XRD、吸收谱、光致发光谱和AFM等手段研究了退火对ZnO晶体质量和光学性质的影响。退火后，（0002）ZnO的XRD衍射峰强度显著增强，c轴晶格常数变小，同时（0002）ZnOX射红衍射峰半高宽不断减小表明晶粒逐渐增大，这与AFM观察结果较一致。由透射谱拟合得到的光学带隙退火后变小，PL谱的带边发射则加强，并出现红移，蓝带发光被有效抑制，表明ZnO薄膜的质量得到提高。     

光致各向异性材料中偏振全息图的分析

本文以圆基矢量为基础,分析了参、物光为任意椭圆偏振光的情况下,全息图的结构。     

Photoluminescence and X-ray Diffraction of Distributed Bragg Reflector

Spectral and structural characteristics of distributed Bragg reflector (DBR) in vertical-cavity surface-emitting lasers were studied with photoluminescence and double- crystal X- ray diffraction measurement. The expected high quality epitaxial DBR structure was verified. In the X- ray double- crystal rocking curves of DBR the zeroth- order peak, the first and second order satellite peaks were measured. Splitting of diffraction peak appeared in the rocking curves was analyzed. The effects of introduced deep energy levels on the structural perfection and optical properties were discussed.     

HFCVD法制备SiC材料及室温光致发光

利用热丝化学气相沉积法(HFCVD)以CH4和SiH4作为反应气体在Si衬底上制备了SiC薄膜。用X射线衍射(XRD)、傅立叶红外吸收谱(FTIR)等手段对样品进行了结构和组分分析，分析结果表明已经在Si衬底上制备了SiC薄膜。对所制备的SiC薄膜进行了光致发光测试，在室温下观察到了薄膜峰值位于417nm和436nm的较强的可见光发射，认为这两个相近的蓝光发射起源可能是光激发载流子从SiC晶粒核心激发．然后转移到SiC晶粒表面发光中心上的辐射复合。     

一种发出红色荧光的六核配合物[Cu6（pymt）6]

合成了一价铜和2-巯基嘧啶盐的配合物[Cu6（pymt）6]并进行结构分析，该配合物能发出强的红色荧光。其中，一价铜离子的配位环境为变形平面三角形，陪体pymt采用μ3-S2N桥联方式参与配位。     

叠加能量C^＋注入SiO2薄膜的光致发光特性

首次采用叠加能量离子注入技术制备Ｃ＾＋注入ＳｉＯ２薄膜样品，室温下观测到很强的蓝光发射。通过测量样品的光致发光谱对退火条件的依赖关系，研究了样品的发光特性。对发光机制进行了初步探讨。     

一种聚酯衍生物的光衰减特性

具有１，６－地苯蒽发色基团的聚酯衍生物薄膜（ＰＥ０可产生较强的蓝绿色 ，同时在紫外光照射下出现光退化现象。ＰＥ的发光强度随着射时间的增加迅速减弱，然后逐渐地饱和，荧光光谱由５００ｎｍ逐渐蓝移至４５０ｎｍ；光退化了的聚酯衍生物薄膜经 热８０１－１００℃至少１ｈ的退火处理，发光强度可以恢复到照射前的水平，如果再经受紫外光照射，发光强度会再次降低，加热后发光强度又可以基本完全恢复如此过程可以反复多次。具