皂类液膜振荡器

实验发现了一类新型液膜振荡器,在油水两相之间进行成皂反应的过程中,界面附近出现了长时间规则的大幅度pH振荡,将W/O两相体系换成W1/O/W2三相体系,振幅从0.50 pH明显提高到2.88 pH.其中水相组成为CTAB溶液及NaOH溶液,油相组成为油酸的煤油溶液.同时,此类液膜振荡体系中亦存在明显的电势振荡和电导率振荡.为深入了解机理,进行了浓度影响测定,电极位置和种类的变化以及辅助实验等,提出了普遍化的机理,并进行了实验振荡曲线的拟合对比.这个机理指出,在膜反应批量进行的条件下,当反应速率与扩散成比例时,便会产生规则的周期现象.在一价皂液膜振荡器的基础上,通过替换或添加各种金属盐,形成了各类高价皂液膜振荡器,测定了反应过程中pH、电势及电导率的变化.经过同类化学振荡器的比较研究,结合金属离子与酸根之间的络合作用,得出了其中的一些规律.     

神光-Ⅲ主机装置MJ级能源系统研制现状

介绍了神光-Ⅲ主机装置能源系统的功能要求、组成结构和设计方法,以及关键单元器件的功能要求和设计方法。该系统是片状放大器系统的重要组成部分,由6个束组共108套最大储能为1.2 MJ的能源模块组成,总储能达到110 MJ（最大130 MJ）。每套模块产生一个脉宽610 s(10 %峰值)的电流脉冲,驱动10组、共20支氙灯,为片状放大器提供泵浦能量,峰值电流为0.25 MA。目前投入试运行的36套能源模块的各项电气性能指标满足设计要求,能确保片状放大器小信号增益系数达到5.0%/cm,为片状放大器提供足够的泵浦能量,满足激光器的能量需求。     

利用微生物直接生产羟基丁酸单体

利用重组大肠杆菌E.coli HB101来进行直接生产羟基丁酸(HB)手性单体,研究了含pUCAB质粒的重组体E.coli HB101在各种条件下生长及积累HB单体的情况,研究了HB单体的积累随pH值变化的规律。结果表明,pH=6.8时,48 h内细菌可生产0.5 g/L以上的HB单体。     

ZnO本征缺陷的第一性原理计算

采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势法对ZnO本征缺陷的几何结构、杂质形成能和电子结构进行了比较系统的研究。研究表明,OZn、Oi和VZn以受主的形式存在;ZnO和Zni以施主的形式存在。其中,Zni的形成能最小,因此Zni的存在正是未掺杂ZnO是n型半导体的原因。计算结果与其它研究者     

Dynamical study on charge injection and transport in a metal/polythiophene/metal structure

The dynamical process of charge injection from metal electrode to a nondegenerate polymer in a metal/polythiophene （PT）/metal structure has been investigated by using a nonadiabatic dynamic approach. It is found that the injected charges form wave packets due to the strong electron-lattice interaction in PT. We demonstrate that the dynamical formation of the wave packet sensitively depends on the strength of applied voltage, the electric field, and the contact between PT and electrode. At a strength of the electric field more than 3.0 × 10^4 V/cm, the carriers can be ejected from the PT into the right electrode. At an electric field more than 3.0 × 10^5 V/cm, the wave packet cannot form while it moves rapidly to the right PT/metal interface. It is shown that the ejected quantity of charge is noninteger.     

溴代十六烷基三甲基胺存在下铅与苯基荧光酮显色反应的研究

研究了溴代十六烷基三甲基胺 (CTMAB)存在下 ,铅与苯基荧光酮的显色反应。试验表明 ,铅与苯基荧光酮在CTMAB存在下能够形成稳定的络合物 ,该络合物的λmax=6 2 0nm ,摩尔吸光系数ε =2 .0 7× 10 5L·mol- 1·cm- 1,铅量在 0～ 6 .2 2 μg/ 10ml范围内服从比耳定律。     

Study of total ionizing dose radiation effects on enclosed gate transistors in a commercial CMOS technology

This paper studies the total ionizing dose radiation effects on MOS (metal-oxide-semiconductor) transistors with normal and enclosed gate layout in a standard commercial CMOS (compensate MOS) bulk process. The leakage current, threshold voltage shift, and transconductance of the devices were monitored before and after $\gamma $-ray irradiation. The parameters of the devices with different layout under different bias condition during irradiation at different total dose are investigated. The results show that the enclosed layout not only effectively eliminates the leakage but also improves the performance of threshold voltage and transconductance for NMOS (n-type channel MOS) transistors. The experimental results also indicate that analogue bias during irradiation is the worst case for enclosed gate NMOS. There is no evident different behaviour observed between normal PMOS (p-type channel MOS) transistors and enclosed gate PMOS transistors.     

ZnS:Mn/CdS核壳结构纳米微粒的制备及光学特性

采用微乳液法制备了掺Mn的ZnS纳米微粒并用CdS对其进行了表面修饰,以XRD、紫外吸收和发射光谱对其结构及光学性质进行了表征和研究.制得的纳米微晶粒径为4～6nm,为立方纤锌矿结构.与未经包覆的ZnS:Mn纳米微粒相比,核壳结构的ZnS:Mn/CdS纳米微粒中Mn2+发射峰的强度增强了很多,适当厚度的壳层的修饰可减少其表面态发射和非辐射跃迁,增强了Mn2+离子的4T1-6A1的能量传递和ZnS的带边发射,提高了发光效率;讨论了ZnS核中Mn掺杂浓度对ZnS:Mn/CdS纳米微晶的光学性能的影响,发现当掺Mn浓度为4;时Mn2+发射峰的强度最大.     

本征缺陷对Ag掺杂ZnO的影响

采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势法对Ag掺杂ZnO体系中Ag缺陷和本征缺陷复合体的几何结构、形成能和电子结构进行了比较研究.研究表明,Ag代替Zn位(AgZn)可以在ZnO中形成受主能级.同时,研究发现, Zni-AgZn和Oi-AgZn的形成能较小,存在的可能性较大.其中,Zni-AgZn 呈现明显的n型导电特性,而Oi-AgZn具有p型导电的趋势.因此Oi-AgZn有利于p型ZnO的形成.     

40J激光装置研制

 报道了一台输出能量在40J量级的激光装置。该装置从星光Ⅱ激光装置分光作为光源,由放大器链、能源系统和支撑桁架等三大部分构成。对整个激光装置的模拟计算结果表明：装置的增益能力足够输出40J,B积分满足ΔB小于1.8的要求。研制了一种全腔水冷新型放大器,对其小信号增益系数和增益均匀性进行了测量,实验得出增益系数β为0.034cm ^-1,增益均匀性为91.84%。结果表明这种放大器完全能满足此激光装置的设计要求。