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甘油基电解液中阴离子对阳极氧化TiO2纳米管生长的影响 总被引:3,自引:0,他引:3
在NH4F-甘油-水电解液中,采用阳极氧化法,在纯Ti基底上制备了高度取向的TiO2纳米管阵列,考察了阴离子种类、阳极氧化时间及NaAc浓度对纳米管阵列生长的影响.结果表明,TiO2纳米管的生长速率和长度强烈依赖于阴离子的种类和浓度.NaNO3和NaCl的加入能增大阳极氧化时的电流密度,提高TiO2纳米管底部的腐蚀速率,提高管的生长速率及增加管的长度;而NaAc的加入更大程度上抑制了已生成的TiO2纳米管顶部的溶解,提高了纳米管的净生长速率,得到较长的纳米管阵列. 相似文献
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以氨水和硝酸锌为前躯体,采用低温水溶液法在涂敷ZnO晶种层的玻璃衬底上外延生长了ZnO纳米棒晶阵列。应用SEM、TEM、SAED和XRD表征了ZnO纳米晶的形貌和结构。讨论了该组成体系水溶液法纳米棒外延生长的机理及其对棒晶形貌的影响。通过对水溶液pH值的原位二次调整,制备出了ZnO纳米管和表面绒毛状的棒晶阵列,基于生长机理探讨了它们的形成原因,为实现不同形貌ZnO纳米晶阵列的优化控制提供了可能的技术途径。结果表明,不同形貌的ZnO均属沿c轴择优取向的六方纤锌矿结构。 相似文献
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在不同磨粒的5%NaOH泥浆中,采用销-盘式摩擦磨损试验机考察了磨粒对氧化铝增强四方氧化锆多晶陶瓷材料(ADZ)耐磨性的影响进行了研究。结果表明:尖锐SiO2磨粒对ADZ复合陶瓷材料磨损的影响要比球形SiO2磨粒严重得多,磨料硬度是影响陶瓷材料磨损率的重要因素,磨损率随磨粒硬度的提高而增大。在不同形状的SiO2磨粒的泥浆中,ADZ陶瓷材料的主要磨损机理为塑性变形和微犁削。在高硬度Al2O3磨料的泥浆中,ADZ陶瓷材料磨损表面以断裂机制占主导地位。 相似文献
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晶种面织构对溶液化学法生长ZnO纳米棒的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
采用化学沉积法,在ZnO晶种面上研究了纳米棒于70 ℃过饱和硝酸锌/氢氧化钠溶液中的定向生长。通过sol-gel法在玻璃基底上引入了ZnO的晶种面,通过热处理温度、冷却方式和拉膜速度改变其织构,重点考察其对ZnO纳米棒生长形态的影响。采用XRD和SEM分析了不同晶种面以及相应棒晶的生长形态。结果表明,随热处理温度的提高,晶种长大,相应的棒晶直径从25 nm增加到50 nm,1.5 h的生长棒长达约800 nm。300~400 ℃热处理、急冷或低的拉膜速度条件下制备的晶种面具有更高的晶体取向和较少的表面缺陷。从而导致生长面高的成核密度,使得ZnO纳米棒能够在垂直于基底的方向上择优生长。 相似文献
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在室温下,以不同cCu/cIn的CuCl2和InCl3混合溶液作为阳离子前驱体,Na2S水溶液为硫源,利用连续离子层吸附反应法(SILAR)在玻璃基底上制备了CuInS2薄膜。XRD结果表明,当cCu2 /cIn3 在1 ̄1.5范围内均可形成具有黄铜矿结构的CuInS2薄膜。SEM观察到随cCu2 /cIn3 的升高,薄膜表面颗粒长大并出现团簇聚集。通过XPS测定薄膜表面的化学组成证明当cCu2 /cIn3 =1.25时,CuInS2薄膜接近其标准的化学计量组成。此时薄膜的吸收系数大于>104cm-1,禁带宽度Eg为1.45eV。 相似文献
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采用溶胶浸渍模板法制备了有序多孔的氧化钛(TiO2)和氧化锌(ZnO)薄膜。首先,在洁净的玻璃基片上通过浸渍-提拉工艺组装有序的聚苯乙烯微球(PS)阵列模板;然后再采用溶胶浸渍法将TiO2和ZnO溶胶灌充到PS模板微球的间隙内;最后通过煅烧去除PS而得多孔薄膜。采用SEM观察了薄膜的表面形貌,并用XRD对薄膜的性能进行了表征。结果表明,溶胶的浓度对薄膜形貌有着显著的影响。经煅烧后,TiO2和ZnO薄膜分别为锐钛矿和六方纤锌矿结构。此外,对模板的组装及溶胶的灌注过程进行了分析。 相似文献