HL-2A装置硅化对杂质线辐射的影响

在2004年的实验中，首次在HL-2A偏滤器装置上进行了硅化器壁处理，在这种硅化器壁的条件下，对轻重杂质的线辐射进行了研究，并与无硅化条件下的杂质特性作了比较。在实验中，通过观测杂质的辐射特性研究了硅化对杂质的吸附作用和硅化效果的维持。并通过调整硅化后的辉光放电清洗，研究了硅化对氢再循环的影响。     

HL-2A装置真空系统

现代核聚变实验装置要求的真空系统必须实现以下主要功能：（1）装置真空室的零部件及总体抽空和检漏；（2）真空室的烘烤除气（H2O）；（3）辉光放电清洗和面对等离子体部件的锻炼及原位处理；（4）边缘粒子的抽运与控制；（5）等离子体放电实验运行。     

开关型霍尔传感器的原理与工程实现

介绍了开关型霍尔传感器的工作原理，设计了适用于工程测量的具体线路，并分析了该线路的特点。     

流通池—介质交换—阳极溶出伏安法同时测定铜,锑,铋

本文研究了同时测定Ｃｕ（Ⅱ）Ｓｂ（Ⅲ）Ｂｉ（Ⅲ）的方法。在盐酸溶液中对Ｃｕ（Ⅱ），Ｓｂ（Ⅲ），Ｂｉ（Ⅲ）进行预电解富集，经介质交换在选定的丙二酸－盐酸溶液中进行了差示脉冲阳极溶出伏安法（ＤＰＡＳＶ）测定，相邻溶出峰的△Ｆｐ＞８０ｍＶ，波形完好。     

钇—过渡族金属二元相图的计算

本工作取用规则溶体模型,计算了稀土元素钇与难熔过渡族元素锆、铪、铌、钽、钼和钨的二元系的相平衡。计算方法是采用L.Kaufman计算难熔过渡族金属间相图的方法,所得计算相图与实测相图比较,符合良好。     

在改性非水合成的丝光沸石上邻二甲苯异构化

1985年Bibby首次在非水体系中合成了纯硅方钠石,由此开创了一条合成分子筛的新途径。徐文旸等首次在Na_2O-SiO_2-Al_2O_3一有机胺非水体系中合成了丝光沸石(简称非水丝光沸石,用NAM表示)。晶化过程中液相无硅铝酸根离子,固相硅铝比始终保持不变,是典型的固相转化过程。利用非水体系这一特点,可以定向地合成出催化反应所需硅铝比的沸石。与水热体系相比,非水体系合成的丝光沸石在邻二甲苯异构化催化性能上要优于前者。     

利用亚微量化学法制备鐦的化合物

目前使用亚微量(凡反应用量少于1微克者统称为亚微量)技术已初次制备得鐦(_(98)~(249)Cf)的纯化合物。所采用的亚微量技术包括将鐦离子收集于一颗离子交换树脂珠中,研究其性貭:并采用毛细管作反应皿制备它的化合物:已制得三氮化鐦、氧氯化鐦(CfoCl)和三氧化二(?)。这项(?)鐦化合物的制备开始于八年前。开始时用中子照射10克鈈(_(54) Pu),获得了产品锫和鐦各約1微克。先用寻常沉淀和离子交換技术純化和分离锫和鐦,继于微量稚形試管中将鐦溶液蒸发至干。鐦-249。     

氟的比色測定法 Ⅲ.用二甲酚橙和鈧作試剂

本文研究借二甲酚橙和钪作为试剂,分光光度测定微量氟的方法,并报告本法的使用范围和可测度,适宜pH范围,以及数种共存离子的干扰。在pH 2.5—3.5之间,不同氟量引起试剂的颜色减褪遵循Beer定律。但随pH值之增加,灵敏度下降而可测范围扩大(pH 2.5—2.8相当氟量0—10微克;pH 3.0为0—15微克;pH 3.5为0—50微克)。如采用二甲酚橙和钪的混合试剂Ⅰ,可测定10毫升溶液中0.59—15微克氟,可测度为百万份之0.059。氯离子和硝酸根干扰不大。磷酸根、硫酸根、硅酸根、亚硫酸根、硫代硫酸根、亚硝酸根和硫氰酸根分别大于0.06,0.24,0.4,0.8,2.2,3.2和3.6毫克干扰严重(上列数据引起误差为5％),故应事先除去。     

曲壁蜂窝夹层悬臂板的振动特性研究

蜂窝结构作为一种多孔材料具有轻质、高强度、高刚度的优点, 兼具隔声降噪、隔热等优良性能, 被广泛应用于交通运输、航空航天等领域. 传统直壁蜂窝在受力后容易出现应力集中的问题, 这将导致蜂窝夹层产生裂纹破坏, 缩短夹层板的使用寿命. 针对此问题本文设计了一种以圆弧曲壁蜂窝作为芯层的蜂窝夹层板, 基于单位载荷法推导了蜂窝芯的等效参数, 建立曲壁蜂窝夹层板的动力学模型, 利用Chebyshev-Ritz方法求解悬臂边界下曲壁蜂窝夹层板的固有频率, 并用有限元方法进行对比验证, 发现前5阶固有频率的误差均在5%以内, 每阶固有频率对应的振型一致. 通过3D打印聚乳酸(PLA)制备了曲壁蜂窝夹层板, 使用万能试验机对PLA拉伸试件进行准静态拉伸测定了打印材料的杨氏模量, 搭建振动试验平台对制备的曲壁蜂窝夹层板进行正弦扫频试验、定频谐波驻留试验和冲击试验. 对比发现3D打印模型振动试验获得的前5阶固有频率与理论模型和有限元模型的计算结果三者一致, 试验发现曲壁蜂窝芯在特定频段内具有一定的抗冲击性能. 研究结果将为曲壁蜂窝在振动和隔振方面的应用提供理论支持.      

自然循环回路内芯片的强化沸腾换热研究

针对电子器件的高效冷却问题,对自然循环回路系统内表面加工有方柱形微结构的硅片上FC-72的强化沸腾换热性能进行了实验研究.测试了两个芯片,其表面上的方柱形微结构的边长均为30μm,但高度分别为60 μm和200 μm.沸腾介质的过冷度设为10 K、25 K和35 K.随着壁面过热度的增加,微结构表面芯片上的热流密度急剧增加且临界热流密度时芯片的表面温度低于芯片回路正常工作的临界上限温度85℃,这与其在池沸腾换热中的特点一样.但临界热流密度值与池沸腾情况相比有所降低.