多栅GaAs MESFET开关的结构设计

论述了多栅开关的结构和特点.针对多栅开关器件结构设计中的参数栅栅间距的选取作了分析,确定当栅栅间距等于源漏间距对栅数的平均值时,开关性能最优,并在实验中得到验证.     

高速匹配型PIN衰减器

<正> 为了适应当前电子系统工程中所提出的要求,南京电子器件研究所开展了宽带快速受控匹配型PIN衰减器的研制工作。 众所周知,受控速度低的PIN衰减器,一般电性能指标均较为优良,尤其插入损耗可以做得较小,在C,X,Ku波段内可分别小于0.6dB,0.8dB,1.0dB。然而,当要求受控速度高时,尤其控制速度在纳秒数量级时,PIN衰减器的研制不仅对PIN二极管有较高要求,而且还须精心考虑偏置电路与要求提供快速激励源。此外,对PIN衰减器本身的研制也带来一定的困难,主要表现在:由于PIN二极管的Ⅰ层减薄引起微波插入损耗增大和承受功率降低。为此,宽带快速受控匹配型PIN衰减器的研制工作重点放在减小插入损耗,提高受控速度,增大动态范围等几个方面。 在部件设计中采用了CAD技术。编制了三个分析程序和一个综合程序,对快速受控匹配型PIN衰减器进行了优化设计,其典型性能列于表1,实物外形见本期封底照片。     

1992年国际微波会议和微波毫米波单片集成电路会议简介

<正>1992年国际微波会议(IMS)和微波毫米波单片集成电路(MMWMC)会议,于1992年6月1日—5日在美国新墨西哥州首府阿尔布奎克市召开。IMS会议发表论文362篇(包括16篇特邀报告),MMWMC会议发表论文49篇(包括2篇特邀报告),其中两个会议论文集同时刊出的有22篇。在会议召开期间,还有两个展览会。一是有300余家厂商参加的微波产品展示会,展示了各厂家的最新技术和产品;另一个是微波技术发展史展览会,内容也相当丰富。 1.会议概况     

高成品率砷化镓DPDT单片射频开关

采用砷化镓 76mm 0 .7μm离子注入 MESFET工艺技术研制出手机用砷化镓 DPDT单片射频开关(以下简称单片开关 )。该单片开关面积 1 3 1 0 μm× 1 2 5 0 μm,总栅宽 3 6mm,工作频率 DC～ 2 GHz,1 GHz下插入损耗 IL小于 0 .5 2 d B,隔离度 ISO大于 1 7d B,驻波 VSWR≤ 1 .3 ,2 GHz下 IL小于 0 .7d B,ISO大于 1 1 d B,驻波≤ 1 .3 ,反向三阶交调 PTOI优于 64 d Bm,1 W射频信号下的栅漏电小于 2 0 μA。连续五批共 60片的统计结果表明 ,该单片开关圆片上芯片的直流成品率最低 84 % ,最高 96% ;微波参数成品率在 75 %～ 86%之间 ,代表着国内 Ga As单片电路成品率的最高水平     

多栅GaAs MESFET开关的结构设计

论述了多栅开关的结构和特点.针对多栅开关器件结构设计中的参数栅栅间距的选取作了分析,确定当栅栅间距等于源漏间距对栅数的平均值时,开关性能最优,并在实验中得到验证     

一种新颖的多功能低相移DC-50 GHz单片可变衰减器

Ga As MMIC控制电路开关由于其体积小、重量轻、开关速度快、抗辐射、可靠性高等显著优点在许多电子系统和电子设备中得到广泛应用 ,南京电子器件研究所最近研究出一种新颖的多功能低相移 DC- 5 0 GHz高性能单片压控可变衰减器 ,获得了优异电性能。据了解 ,这是世界上第一次报道这种具有低相移功能的 DC- 5 0 GHz单片压控可变衰减器 ,国外的类似产品不具备这种低相移功能 ,同时还采用了直流参考电路和 MBE外延材料及相关工艺技术制造 ,不仅电路复杂 ,给工艺成品率、可靠性和成本带来不利 ,同时还会带来功耗(标称最大直流功耗 1 5 2 m…     

一种新颖的多倍频程GaAs单片五位数字移相器

南京电子器件研究所最近研究出一种新颖的多倍频程GaAsMMIC五位数字移相器,初步获得了优异性能。五位数字移相器中每一位均采用了新颖的宽带移相电路拓扑,设计中动用了独到的CAD优化技巧,并借助于南京电子器件研究所Φ76mmMMIC工艺线电路模型参数提取系统获取电路模型参数和采用电路模型参数比例缩放技术。芯片制造采用MMIC标准离子注入圆片工艺制造技术和工艺监控(PCM)技术以保证高的成品率和一致性。芯片采用了多重钝化保护技术以保证在微波多芯片模块(MMCM)组装使用中的高可靠性。芯片尺寸为:4.2mm×2.98mm×0.1mm,输入/输出端…     

基于状态反馈线性化的矩阵变换器非线性控制

针对矩阵变换器输出电流易受电网电压、负载不对称影响的问题,设计了一种基于状态反馈线性化的矩阵变换器非线性控制器,实现对输出电流的实时准确的跟踪。根据矩阵变换器的拓扑结构,构建矩阵变换器的输出端数学模型。利用Park变换将该数学模型变换为标准的仿射非线性系统,构建了反馈线性化控制器。利用MATLAB/Simulink将采用所设计的控制器的矩阵变换器与传统矩阵变换器进行仿真对比。仿真结果表明,设计的控制器有效地改善了系统在三相输入电压不对称、三相负载不平衡的非正常工况下的输出电流性能。将设计的控制器应用在搭建的矩阵变换器样机上,样机调试结果进一步说明了所设计的控制器的可行性。     

DC—12GHz GaAs微波单片集成开关

本文介绍了全气密陶瓷封装GaAs MMIC开关的设计方法和制造工艺.研制成的GaAsMMIC单刀单掷开关在DC-12GHz频带内,插入损耗为0.3—1.4dB,隔离度为19—27dB,反射损耗大于11dB,开关速度小于1ns,8GHz下功率处理能力大于25dBm.     

一种X波段GaAsMMIC五位数字衰减器

数字衰减器在现代通信系统和电子设备中有着广泛的应用.GaAs MMIC数字衰减器由于其体积小、重量轻、低功耗、可靠性高、一致性好、抗辐射性能好等显著特点而更受欢迎.南京电子器件研究所业已研制出一种X波段GaAs MMIC数字衰减器,并获得优异电性能.