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1.
采用辉锑矿为原料成功制备出Cu_(12)Sb_4S_(13)块体。研究以Sb_2S_3矿物为原料时烧结工艺对Cu_(12)Sb_4S_(13)合成的影响。在400 ~ 440℃温度区间内均可快速合成Cu_(12)Sb_4S_(13)块体且二次烧结能够进一步减小中间相CuSbS_2和Cu_3SbS_3。第二相Cu_3SbS_4和残留相CuS随着烧结时间的延长而降低。二次烧结前进行机械化球磨处理,干磨比湿磨更容易减小残留相。初次烧结块体的断面SEM和EDS能谱分析表明内部存在Cu或Cu_2S颗粒团聚现象。适当降低Cu或CuS摩尔量(化学计量比0.1 mol)能促进烧结块表面反应进行。烧结过程中,硫磺蒸汽压的导致烧结块表面成分和内部粉末的成分不同。 相似文献
3.
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5.
堀尾忠正 《能源技术(上海)》2002,23(4):151-154
介绍了轻烃的特征,及它作为汽车燃料与其它各种车用替代燃料如天然气、乙醇汽油等进行了比较。说明它具有一系列优点,是一各有发展前景的车用替代燃料。同时不介绍了一种新型的燃油添加剂-油公核磁共振传递与它的特征、机理以及在轻烃汽车和其它车辆中的应用效果,特别是节能、环保效果。 相似文献
6.
大朝山水电站的工程地质勘察,在前期勘测和工程施工中都取得了好成绩。回眸勘测人员艰苦奋斗的历程,精心工程地质勘察,循序渐进,勘测与设计的紧密结合是工程勘察成功的关键。电站工程区河谷深切,山高坡陡,交通困难,气候炎热,工程地质条件复杂,但深入勘察研究,充分因地制宜,扬长避短,优选工程设计方案,是能够做出显著成绩的。 相似文献
8.
业已明了,SOI器件用绝缘物进行元件隔离,可减小电容和布线电容值。所以,人们深信集成电路可达到更加高密度,高速化。大家早就知道,SOI器件有采用在蓝宝石单晶衬底上外延生长单晶硅薄膜的“蓝宝石上硅”(SOS)器件及采用在SiO_2上沉积多晶硅薄膜制作的“绝缘体上硅”(SOI)器件。采用多晶硅薄膜制作的SOI器件与SOS器件相比较,其特点是,由于SOI器件能在非晶形绝缘膜上制作,所以,可采用任意衬底。但存在的问题是,由于其采用的薄膜不是单晶而是多晶,所以晶粒边界会造成载流子紊乱,MOS FET的场效应迁移率与体硅及SOS相比,降低至1%。 相似文献
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10.
日本静冈大学工学部和索尼公司于1998年开始研制传输线路分析工具。目前,索尼公司内部从PDA、数字相机直到玩具机器人等所有产品的开发都在使用这种称为BLESS(印制电路板布线评估和建议系统)的分析工具。 BLESS是一种三维电磁场分析仿真器,可以预测设备工作时各层电路板内电压和电流的变化状态。在电路板设计过程中电源层和接地层的布线阶段,这种分析工具能充分发挥其作用。分析工具有可视功能,可以显示出采用各种不同布线图形时,对于混入电源层和接地层的噪声所形成的不同抑制效果。根据这一分析结果,设计人员可以采用抑制效果最佳… 相似文献