全文获取类型
收费全文 | 253篇 |
免费 | 11篇 |
国内免费 | 12篇 |
学科分类
工业技术 | 276篇 |
出版年
2023年 | 7篇 |
2022年 | 3篇 |
2021年 | 5篇 |
2020年 | 8篇 |
2019年 | 13篇 |
2018年 | 13篇 |
2017年 | 8篇 |
2016年 | 10篇 |
2015年 | 11篇 |
2014年 | 24篇 |
2013年 | 17篇 |
2012年 | 24篇 |
2011年 | 21篇 |
2010年 | 13篇 |
2009年 | 14篇 |
2008年 | 13篇 |
2007年 | 24篇 |
2006年 | 8篇 |
2005年 | 6篇 |
2004年 | 14篇 |
2003年 | 5篇 |
2001年 | 2篇 |
1998年 | 1篇 |
1996年 | 3篇 |
1994年 | 1篇 |
1993年 | 2篇 |
1992年 | 1篇 |
1990年 | 1篇 |
1989年 | 2篇 |
1983年 | 1篇 |
1981年 | 1篇 |
排序方式: 共有276条查询结果,搜索用时 15 毫秒
2.
3.
4.
为解决偏最小二乘判别分析(PLSDA)建模时光谱区域中的噪声及冗余信息干扰问题,提出一种基于联合区间偏最小二乘判别分析(Si PLSDA)算法,并将该算法应用于猪肉近红外光谱的定性建模分析。Si PLSDA利用联合区间偏最小二乘回归(Si PLS)进行光谱特征区域筛选,在筛选出来的光谱区域内建立数据的定性预测模型。采用Antaris II快速傅里叶变换近红外光谱分析仪获取波数范围为10000~4000 cm-1的猪肉样本近红外光谱,采用标准正态变量变换(SNV)进行近红外光谱的预处理,用Si PLSDA建立猪肉近红外光谱的定性模型。实验结果表明,Si PLSDA建立的预测模型对猪肉储藏时间的识别率达到93.94%,高于基于全光谱区域建立的PLSDA预测模型的识别率。 相似文献
5.
煤矿采用上行开采方式时,层间岩层移动变形规律是决定上行开采可行性的关键因素。以同家梁煤矿为工程背景,研究上行开采厚硬层间岩层移动变形问题,结合煤层赋存条件、煤层开采情况及层间岩层物理力学性质和特征等相关因素,对8#煤层上行开采层间岩层的移动变形规律进行数值模拟分析。结果表明位于上行开采工作面后方岩层随工作面推进竖向位移变大,位于工作面前方岩层竖向位移先增大后减小;随岩层深度增加,岩层受上行开采工作面二次采动影响程度变小,岩层的竖向位移和塑性破坏区域范围减小。研究成果为判定上行开采可行性提供理论依据。 相似文献
6.
为分析新疆石河子市水面蒸发变化的特征,研究了新疆石河子市1964~2014年的水面蒸发量特点,发现石河子市51年间蒸发量呈减小趋势,1980年代中后期蒸发开始进入明显下降阶段;51年间石河子市蒸发量季节变化特征为春、夏、秋三季下降、冬季上升的趋势,其中夏季下降最为明显,冬季上升趋势微弱;2002年石河子市蒸发量发生由多到少的突变,且在51年的时间尺度上石河子市年蒸发皿蒸发量存在约18年的年代际周期,在该时间尺度上经历了3个偏少期和3个偏多期;由于2014年其小波系数等值线未闭合,由此推测2014年后的几年内石河子市年蒸发量仍可能处于相对低值区;关联分析表明气温、风速是影响该地区蒸发的主要因子。 相似文献
7.
8.
9.
金属铀的化学性质十分活泼,极易发生氧化腐蚀.为改善基体的抗腐蚀性能,采用非平衡磁控溅射技术在金属铀表面制备了不同氮含量的CrNx薄膜.采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射技术(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、动电位极化曲线,分别研究了薄膜形貌、物相结构、表面元素化学价态及抗腐蚀性能.结果表明,当氮流量为10 sccm时薄膜主要为体心立方的α-Cr,随氮流量的增大,薄膜转化为六方Cr2N和立方CrN结构,其择优取向由Cr(110)转化为Cr2N(111)及CrN(200),金属态Cr的含量逐渐减少,氮化态Cr的含量增多,Cr2p3/2的结合能峰位逐渐向高结合能方向移动.CrNx薄膜呈纤维状结构,当氮流量增大到30 sccm时,生成了Cr2N的密排结构,有效改善了薄膜的致密性.在金属铀表面制备CrNx薄膜后,自然腐蚀电位增大,腐蚀电流密度降低,当氮流量增大到30 sccm时,薄膜的自然腐蚀电位提高了近550 mV左右,腐蚀电流密度降低约两个数量级,有效改善了贫铀表面的抗腐蚀性能. 相似文献
10.
本文基于90nm CMOS工艺设计了一个单通道 2GSPS, 8-bit 折叠插值模数转换器。本设计采用折叠级联结构,通过在折叠电路间增加级间采样保持器的方法增加量化时间。电路中采用了数字前台辅助校正技术以提高信号的线性度。后仿结果表明,在奈奎斯特采样频率,该ADC的微分非线性DNL<±0.3LSB,积分非线性INL<±0.25LSB,有效位数达到7.338比特。包括焊盘在内的整体芯片面积为880×880 μm2。电路在1.2V 电源电压下功耗为210mW. 相似文献