排序方式: 共有133条查询结果,搜索用时 93 毫秒
1.
微量硅在925银铸造过程中可促进合金脱氧,提高合金熔体的洁净度和流动性,但过量硅会劣化合金性能。采用光学显微镜和电子显微镜研究添加微量硅(0.09%~0.15%)对925银微观组织变化的影响。结果表明,随着硅含量升高,925银合金中一次枝晶组织粗大,二次枝晶臂间距增大,当二次枝晶臂间距大于10 μm,合金断裂趋势显著增加。硅元素在925银合金中形成黑色低熔铜基共晶相,并由1~10 μm的点状相转变为8~20 μm的断续条状相,显微硬度变化与共晶二次析出相比例呈对应关系。在925银中梯度添加微量硅使合金硫化腐蚀后色差缩小,提高合金的抗硫化腐蚀变色能力。 相似文献
2.
3.
当今世界,面临数字化在建筑行业发展过程中所起到的作用,从而引发了很多建筑教育现状问题的思考从2010年开始,笔者致力于探索数字化背景下建筑教育,研究校企多方基地合作路径和人才培养模式,针对建筑设计人才培养与行业需求脱节等问题,通过多方基地的协同建设,创建了建筑学专业设计人才培养模式。通过多方校企基地实践,对建筑学专业学生进行职业化、专门化的教学培养体系。 相似文献
4.
制造企业在生产中瓶颈问题一直受到生产计划与调度管理人员关注。阐述目前对生产瓶颈的相关概念及延伸概念研究、瓶颈的识别与预测问题研究以及瓶颈的控制与改善研究,并指出对生产瓶颈问题未来的研究趋势。 相似文献
5.
采用气水耦合雾化法制备了铜磷锡粉状钎料,并通过添加质量分数为0. 5%的硅元素改善粉末球形度和粒度分布,通过粉体材料综合测试仪、比表面积仪、激光粒度仪及差热分析仪检测了两种粉状钎料的基本性能,使用制得的粉状钎料进行火焰钎焊制备拉伸试样,通过力学试验机测试焊缝抗拉强度,通过电子显微镜分析了两种粉状钎料微观形貌及焊缝的微观组织。结果表明,微量硅元素可改善铜磷锡粉末的综合性能,其中松装密度提高17%,振实密度提高15%,比表面积提高60%,粉末粒径由42. 93μm降至30. 88μm,合金粉末熔点降低6℃;微量硅元素可显著提高铜磷锡粉状钎料的球形度,钎缝中形成尺寸较大的胞状α铜基固溶体,硅元素扩散进入基体中,接头抗拉强度略有提升。 相似文献
6.
为了解决高压恒流源芯片内部低压模块供电问题,通过集成降压预调整电路、前置基准源和线性稳压器3个模块,设计了一种宽电压输入范围的降压稳压电路.采用0.6μm BCD工艺模型进行仿真验证.结果显示,降压预调整电路低压跟随时压差在50mV内.输入在6~40V范围内变化时,偏置和基准的变化分别为1.13mV和0.3mV幅度.线性稳压器直流下PSRR可达-85dB,在1MHz工作频率下,输入电压为6V和40V时,模拟电源变化幅度分别不超过24mV和46mV,数字电源变化幅度分别不超过0.3V和0.8V.该降压稳压电路已成功应用于高压LED恒流源中. 相似文献
7.
8.
一种低电压低功耗的环形压控振荡器设计 总被引:3,自引:1,他引:2
提出了锁相环的核心部件压控振荡器(VCO)的一种设计方案.该压控振荡器采用全差分环形压控振荡器结构,其延迟单元使用交叉耦合晶体管对来进行频率调节.基于SMIC0.18μmCMOS工艺,用Hspice对电路进行了仿真.仿真结果表明,该压控振荡器具有良好的线性度,较宽的线性范围以及高的工作频率,在1.8V的低电源电压下,振荡频率的变化范围为402~873MHz,中心频率在635MHz,功耗仅为6mW,振荡在中心频率635MHz时的均方根抖动为3.91ps. 相似文献
9.
研究了应用于目盲探测器的高Al组分Si掺杂n型Al0.6Ga0.4N与两层金属层Ti(20nm)/Al(100nm)之间的欧姆接触.在制作金属电极前用煮沸王水对样片进行表面预处理,会属制作后再在N2氛了围中做快速热退火处理.使用高精度XRD测试样品表面特性,并对不同温度下的情况进行比较.样品的比接触电阻率是用环形传输线模型通过Ⅰ-Ⅴ测试得到.670℃下90s退火得到最优ρc为3.42×10-4n·cm2.将该处理方法应用到实际的背照式AlGaN p-i-n日盲探测器中,探测器的光谱响应度和反向特性等参数得到很大的优化. 相似文献
10.
研究了应用于日盲探测器的高Al组分Si掺杂n型Al0.6Ga0.4N与两层金属层Ti(20nm)/Al(100nm)之间的欧姆接触.在制作金属电极前用煮沸王水对样片进行表面预处理,金属制作后再在N2氛围中做快速热退火处理.使用高精度XRD测试样品表面特性,并对不同温度下的情况进行比较.样品的比接触电阻率是用环形传输线模型通过I-V测试得到.670℃下90s退火得到最优ρc为3.42×10-4Ω·cm^2.将该处理方法应用到实际的背照式AlGaN p-i-n日盲探测器中,探测器的光谱响应度和反向特性等参数得到很大的优化. 相似文献