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1.
Niobium- or vanadium-doped anatase sols were prepared by hydrothermal treatment of 0.1 mol/dm3 peroxotitanium complex aqueous solutions dissolving 0–10 mol% niobium or vanadium at 100°C for 8 h. Niobium-doping caused the increase of lattice constants of anatase and the shape change of anatase crystal from spindle-like to cubic-like structure, but no change of the optical absorbance. Vanadium-doping caused the decrease of lattice constant of c -axis, the miniaturization of anatase crystal and the increase of optical absorbance at the wavelength from 350–700 nm.  相似文献   
2.
3.
We introduce a semantic data model to capture the hierarchical, spatial, temporal, and evolutionary semantics of images in pictorial databases. This model mimics the user's conceptual view of the image content, providing the framework and guidelines for preprocessing to extract image features. Based on the model constructs, a spatial evolutionary query language (SEQL), which provides direct image object manipulation capabilities, is presented. With semantic information captured in the model, spatial evolutionary queries are answered efficiently. Using an object-oriented platform, a prototype medical-image management system was implemented at UCLA to demonstrate the feasibility of the proposed approach.  相似文献   
4.
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6.
7.
8.
9.
We fabricated a 1-GHz-spaced 16-channel arrayed-waveguide grating (AWG) by using a new AWG configuration where the path of each arrayed waveguide winds backward and forward across a 4-in diameter wafer without crossing any other waveguides. The ultra-narrow (< 1 GHz) and stable transmission bands of this AWG can be used to construct a wavelength reference standard covering the S, C, and L bands in the dense wavelength-division-multiplexing network systems whose frequency deviation is /spl plusmn/160 MHz.  相似文献   
10.
A single-ended amplifier using small packaged GaN-FETs exhibits a record 2.14 GHz W-CDMA output power. The amplifier, composed of paralleled 48 mm gate periphery FET die, delivers a peak saturated output power of 371 W with a linear gain of 11.2 dB at a drain voltage of 45 V under 2.14 GHz 3GPP W-CDMA signal input. The output power density (output power/package size) of 1.1 W/mm/sup 2/ is twice as high as that of the existing over 300 W GaAs-FET amplifiers. A low 5 MHz offset ACLR of -36 dBc with a drain efficiency of 24% is also obtained at 8 dB power back off from the saturated output power.  相似文献   
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