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1.
Sobolev  N. A.  Kalyadin  A. E.  Feklisova  O. V.  Yakimov  E. B. 《Semiconductors》2021,55(7):633-636
Semiconductors - The photoluminescence of silicon strained by four-point bending at the temperature 600°C is studied. The so-called dislocation luminescence lines D1, D2, D3, and D4 are...  相似文献   
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The features of detection of short radiation pulses by thermal detectors based on thin pyroelectric films with the radiation energy deposited in a thin absorbing electrode are considered. It is demonstrated that the minimum response time of the sample to radiation pulses is determined by the time of thermal relaxation of the absorbing electrode. Specifically, picosecond pulses may be detected with a 0.5-μm-thick pyroelectric film and a 0.01-μm-thick absorbing electrode.  相似文献   
8.
We use the method of integral manifolds to reduce optimal control and filtering problems in application to mechanical systems with low friction.  相似文献   
9.
Propylene epoxidation with hydrogen peroxide on titanosilicates with different Si/Ti ratios and various states of titanium in the catalysts, prepared by hydrothermal crystallization according to two different procedures, has been investigated. It has been demonstrated that a change in the pH of the crystallizing gel leads to a change in the sequence of titanium insertion in the zeolite structure at a hydrothermal synthesis temperature of 170°C. It was shown that titanium incorporated in the zeolite framework in the tetrahedral positions is an active site in the epoxidation reaction, whereas titanium in the form of titanium dioxide leads to unproductive degradation of hydrogen peroxide.  相似文献   
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