基于塑性区分布形态的软弱破碎巷道围岩控制原理研究

以平煤股份六矿北二进风石门软弱破碎巷道围岩为研究对象,采用理论分析、数值模拟和现场实测相结合的方法,分析巷道围岩塑性区分布形态特征,研究侧压系数、内聚力与内摩擦角对塑性区的影响程度。研究结果表明:巷道围岩塑性区主要存在圆形、椭圆形、圆角矩形和蝶形4种分布形态,侧压系数、内聚力与内摩擦角共同影响塑性区的分布形态及其范围;内聚力与内摩擦角对圆形和椭圆形塑性区的影响较小,而蝶形塑性区对内聚力与内摩擦角非常敏感,主要表现为4个蝶叶随内聚力与内摩擦角的增大而快速退化,蝶叶尺寸越大,蝶叶的退化速度越快;提高内聚力与内摩擦角在减小巷道围岩塑性区范围的同时,可促使蝶形塑性区向圆角矩形转化。工程实践结果表明,以中空注浆锚索为核心的"锚网喷+全断面中空注浆锚索"分步联合巷道修复支护技术能够保持软弱破碎巷道围岩的稳定性,保障巷道的长期使用。     

高熵氧化物的制备及应用研究进展

高熵氧化物作为近几年发展起来的新型氧化物体系，打破了传统掺杂氧化物的设计理念，由五种及以上氧化物以等摩尔或近等摩尔构成，因其具有简单的结构和优异的性能等受到国内外研究人员的广泛关注。高熵氧化物由于多主元且主元之间混乱排列，易形成岩盐型、氟化钙型、尖晶石型或钙钛矿等固溶体结构，从而表现出优异的性能，尤其在能源存储材料和磁性材料方面有十分广阔的应用前景，但目前对高熵氧化物应用研究较少。本工作介绍了国内外高熵氧化物的制备方法，主要包括固相法、热解法、共沉淀法、水热合成法和液相燃烧合成法等，比较了各方法的优缺点和发展前景；归纳了高熵氧化物作为锂离子电极材料、巨介电材料、磁性材料和催化材料等方面的应用；指出了高熵氧化物目前研究存在的问题，讨论了解决措施，展望了高熵氧化物未来的发展趋势。     

ZrB_2－刚玉莫来石质复合材料显微结构及力学性能的研究

通过对不同刚玉－莫来石含量的ＺｒＢ２材料力学性能及显微结构的研究，探讨了刚玉莫来石对ＺｒＢ２强度和韧性的影响，同时也分析了强化和韧化机制。     

AlON-TiN复相材料的合成及工艺优化

在对Ti—Al-O-N体系热力学分析的基础上合成了AlON—TiN复相材料，XRD，TEM分析与观测结果证实了热力学分析的可靠性。运用人工神经元网络(artificial neural networks，ANN)对合成AlON—TiN的工艺参数进行了训练，训练结果良好，神经网络的预测值和实测值一致；遗传算法(genetic algorithm，GA)寻优得到最佳工艺参数：烧结温度为1830℃，保温2．45h，TiN的含量为15％(质量分数)。对遗传算法寻优结果进行了单因素分析，随着TiN含量的增加，强度增加，而随烧结温度和保温时间的增加，强度先增加后减小。     

ZrO2-CaO-BN复合材料抗氧化性的研究

为解决浸入式水口的结瘤问题 ,采用热压烧结方法制备了ZrO2 -CaO -BN复合材料 ,讨论了其氧化动力学过程 ,推导了氧化速度和氧化温度的数学关系式 ,并研究了其抗氧化性能及氧化层产物的显微结构。实验表明 :ZrO2 -CaO -BN复合材料在 90 0℃以下有很好的抗氧化性 ,而在 12 0 0℃以上氧化明显加剧 ;135 0℃时 ,材料的氧化产物主要由Ca3 B2 O6组成 ;ZrO2 -CaO -BN材料的氧化规律服从反应控速 -混合控速 -扩散控速 3段模型。     

网吧“零点断网”自动控制策略——以华为接入交换机S3xxx系列为例

该文在分析网吧“零点断网”手工操作的复杂性和低效性基础上,提出并在华为S3xxx系列接入交换机实现了网吧“零点断网”自动控制策略,并分别以二层ACL和三层ACL作了说明。本法极大提高了“零点断网”的效率和精确性,具有极高的推广价值。     

冷弯薄壁受压C形截面局部屈曲荷载和承载力

为研究板组效应对冷弯薄壁受压C形截面局部屈曲荷载和承载力的影响,对组成其截面各板件局部屈曲时的变形协调情况进行理论分析,提出考虑该效应的腹板局部屈曲计算模型,基于能量法和静力平衡条件推导了冷弯薄壁受压C形截面局部屈曲荷载的解析解,并分别与有限条法和中国规范GB 50018—2002规定的方法进行对比.将所推导的解析解引入直接强度法,对21根冷弯薄壁C形受压短柱试验的承载力进行计算,并分别与承载力试验结果和按GB 50018—2002规定方法计算的承载力进行对比分析.结果表明:在屈曲荷载方面,本文推导的解析解合理可靠,而按中国规范规定的方法则存在系统误差,当截面高宽比小于4.5时,其结果偏于保守,当截面高宽比大于4.5时,其结果偏于不安全;在承载力方面,按本文方法计算的承载力与试验结果较为接近,合理可靠,而按中国规范规定方法计算的承载力较保守,并且随着截面宽高比的增大,保守趋势不断增大.     

Nitridation Kinetics of Silicon Monocrystal and Morphology of Nitride Film

Basing on TGA (thermal gravimetric analysis) of thermal nitridation at l200, l250, l300℃, respectively,analysis of high temperature kinetics for nitridation of silicon monocrystal has been carried out. According tothe theory for kinetics of reaction of vapour with solid phase a nitridation kinetic model, from which it can beshown thal the rate of nitridation reaction of silicon crystal should be controlled by three stage limiting factors,was proposed. These limiting factors are chemical reaction, chemical reaction mixed with diffusion and diffu-sion. Using this model to treat our experimental data, satisfactory correlation coefficient and apparentactivation energy of nitridation of p-type (lll) silicon crystal have been obtained. The nitride film was identi'fied to be a-Si_3N_4 (Hexagonal, a=0.7758nm,c_o=0.5623nm) by X-ray diffraction analysis. Morphology ofthe nitride films formed in different nitridation duration was observed in both planar andcross-sectional viewsby SEM (scanning electron microscope).