沟道效应及某些应用的研究

本文介绍沟道-背散射分析的实验装置。用沟道-背散射方法进行了辐射损伤测定、表面组分分析、异质外延层的缺陷分析,得到了一些对半导体材料工艺、集成电路研制的有意义的结果。     

In_(0.25)Ga_(0.75)As/GaAs应变异质结的离子沟道分析

本文采用Li离子作为背散射-沟道实验的分析束来研究In_(0.75)Ga_(?)As/GaAs应变异质结的结构.沟道效应和角扫描的实验表明,由于晶格失配,异质结的点阵发生应变,晶格常数在生长方向产生～0.04A的拉伸或压缩,于是离子沟道在<110>倾斜方向发生0.9°的扭折,导致沿这个方向的严重退道.对较厚外延层的样品,除应变结构外,在生长过程中还形成失配位错结构及其他点阵缺陷,从而产生附加的退道。     

MeV He~+微束用于半导体集成电路的微区分析

本文介绍了我国用于微区分析的MeV离子微探针设备及其在半导体集成电路中的应用,能量为2MeV的He~+束通过一套限束系统,然后由四单元四极磁透镜聚焦到样品表面的束直径为3μm,束流为300pA.利用该设备分析了半导体集成电路中几个不同区域的元素成份及深度分布.     

用背散射实验技术分析Pt/GaAs接触界面

用背散射实验技术和俄歇电子能谱研究了250-450℃温度范围内 Pt/GaAs的界面性质.样品为在 n-GaAs上溅射 1000A|°的 Pt层.研究结果表明,在 300℃处理 20分钟后,界面产生固相反应.先是Ga原子向Pt扩散并溶于Pt形成固溶体,然后留下的As在界面处生成PtAs_2. 当退火温度高于400℃时,反应终止,生成GaPt和PtAs_2两平衡相,不再出现新相.     

用背散射测量砷注入单晶硅中的浓度分布

将能量为150KeV、剂量为10~(14)～17~(17)/cm~2的砷离子注入(100)P型单晶硅,用～1.8MeV的He~ 束对注入砷的单晶硅进行背散射测量。讨论不同剂量和不同退火条件对砷在硅中浓度分布的影响。结果表明:R_P值随注入剂量的增加而逐渐减少,当剂量>5×10~6离子/cm~2时,变化更为显著。当热退火温度低于950℃时,砷的分布改变不明显,温度>1000℃时,分布曲线便偏离高斯分布。     

Si(113)表面的原子结构

利用LEED研究了Si(113)表面的原子结构.清洁表面是采用离子轰击和退火方法制备的.实验发现:当温度高于600℃时表面为1×1结构,随着温度缓慢下降,表面原子结构发生1×1(?)3×1(?)3×2的可逆相变.     

高速铝大拉机用拉丝油的研制

针对铝拉丝油的润滑效果和使用寿命中存在的问题,研制了一种新型高速铝大拉机用拉丝油,经过测试其理化检测性能指标,选择最佳的配方并在上海某铝线厂进行铝杆拉制试验,试验结果表明该种拉丝油性能优良,很好地起到了拉丝润滑的作用,经济成本也较低。     

继电保护工作中常见缺陷分析及处理措施

对于继电保护专业而言,缺陷主要是继电保护装置问题和二次回路问题所引起的。文中结合故障实例对继电保护运行中的缺陷进行了分类介绍,总结了各类缺陷产生的原因、处理方法及注意事项,并提出了相应的预防措施。     

浅谈变电站直流系统接地的危害和处理

随着电力系统网络的不断增大,直流系统接地技术日益复杂,其可靠性与安全性受到了研究人员的广泛关注。本文针对直流系统发生一点接地的各种可能性,结合现场实践经验,提出直流接地查找方法和步骤;介绍了变电站直流系统接地故障的查找方法,分析了直流接地系统故障产生的原因及解决方法,并总结了常见直流接地故障的对策,以期为现场检修及维护人员迅速且有效地应对直流系统接地故障提供参考。     

变压器检修维护中常见故障分析及处理

文中结合变压器检修维护过程中的几类常见故障进行总结分析,并提出切合实际的处理措施,可为变压器的安全运行、维护管理工作提供借鉴。