聚光多结太阳电池电极优化设计

通过分析太阳电池串联电阻r_s的组成,研究受光面平行栅状电极线宽W_L、间距W_s对电池填充因子FF及短路电流I_(sc)的影响。结果表明:相同电极线宽及厚度下,减小电极间距可提高填充因子,但同时会降低短路电流,因此需设计合理的电极间距,使填充因子与短路电流乘积最大;在相同电极厚度及电极遮光面积的前提下,减小电极线宽,可大幅缩小电极间距,从而在保证相同电极遮光面积(即相同短路电流)的前提下大幅提高填充因子。实验研究的聚光型GaInP/GaInAs/Ge多结电池在1000倍聚光条件下,电池填充因子为88.1%,光电转换效率为39.58%。     

尾矿库干滩长度在线测量的固定剖面推算法

通过分析当前干滩长度在线测量坡度推算法存在的问题,提出了固定剖面推算法,假定干滩坡面总是以一近乎固定曲面抬升,通过人工实测拟合出初始干滩面曲线,建立干滩面的库长-坝高坐标系,再结合坝顶外坡函数与库水位函数计算出尾矿库干滩长度与滩顶高程,并提出了实现流程软件。该方法较传统坡度推算法精度高、费用低,大大完善了干滩长度在线测量方法。     

Ge/SiGe异质结构肖特基源漏MOSFET

制备了氧化铪(HfO2)高k介质栅Si基Ge/SiGe异质结构肖特基源漏场效应晶体管(SB-MOSFET)器件,研究了n型掺杂Si0.16Ge0.84层对器件特性的影响,分析了n型掺杂SiGe层降低器件关态电流的机理。使用UHV CVD沉积系统,采用低温Ge缓冲层技术进行了材料生长,首先在Si衬底上外延Ge缓冲层,随后生长32 nm Si0.16Ge0.84和12 nm Ge,并生长1 nm Si作为钝化层。使用原子力显微镜和X射线衍射对材料形貌和晶体质量进行表征,在源漏区沉积Ni薄膜并退火形成NiGe/Ge肖特基结,制备的p型沟道肖特基源漏MOSFET,其未掺杂Ge/SiGe异质结构MOSFET器件的空穴有效迁移率比相同工艺条件制备的硅器件的高1.5倍,比传统硅器件空穴有效迁移率提高了80%,掺杂器件的空穴有效迁移率与传统硅器件的相当。     

基于特征筛选的云分类器

高维且不独立的样本特征集使分类的准确性降低,笔者提出一种根据样本集特征权值进行特征选择的方法。根据特征间的相似性度量函数计算特征的权重,并根据权重去除重要性差的特征,用于解决高维样本集的特征降维问题,特征选择结果与主成份分析结果一致。建立基于保留特征加权的云分类模型,应用于iris数据集和复杂矿石图像的分类,效果良好。     

户外光谱下聚光多结太阳电池电流匹配的优化

针对户外变化的太阳光谱对多结太阳电池的电流匹配及效率有较大影响的问题,使用SMARTS软件计算青海格尔木地区全年不同时刻的户外太阳光谱,研究高倍聚光下Ga In P/Ga In As/Ge三结太阳电池在格尔木地区户外的输出特性;通过改变三结太阳电池各子电池的电流匹配,优化三结电池结构。结果表明:在不考虑聚光光学系统影响的情况下,中电池标准光谱响应电流比顶电池小5%的Ga In P/Ga In As/Ge三结太阳电池在格尔木地区全年输出的电量最大;而考虑特定光学系统的影响后,中电池标准光谱响应电流比顶电池小2.5%的Ga In P/Ga In As/Ge三结太阳电池在格尔木地区全年输出的电量最大。     

矿山安全三维仿真平台的设计与实现

针对目前矿山安全监测系统存在的结构分散、数据孤立、缺乏统一管理平台等问题,采用VRGIS技术设计了一种矿山安全三维仿真平台总体框架,分析了多源数据融合、三维仿真引擎和工况实时模拟3项关键技术方案,开发出面向矿山生产过程的综合三维监控与仿真平台。应用试验表明,该平台实现了对矿山生产环境、设备运行状态和生产作业过程的实时动态监管,同时可模拟矿山灾害演化过程,仿真灾害救援预案,实施矿山应急演练和安全教育培训,为矿山安全监管提供了有效的数字化平台。     

井下无轨运输矿石毛石混倒识别算法研究设计

为解决三山岛金矿新立矿区井下无轨车辆精细化运输管理问题,统计无轨车辆运矿量及识别混拉乱倒的违规现象,利用无线射频(RFID)识别和Wi Fi技术,在井下无轨车辆上安装识别基站,并在采场、溜井等位置安装电子标签(EPC),通过记录和识别运输过程中的位置标签,从位置标签序列中解析出车辆的行驶轨迹;定义识别模式,提出矿石毛石混倒识别算法,识别出井下无轨车辆运输装矿点和卸矿点,统计出车辆装卸矿次数和矿量,并针对以毛充矿的违规现象进行统计和报警,实现了采矿作业中车辆运输自动化和智能化管理。     

振弦式传感器在尾矿库在线监测中的应用研究

通过研究振弦式传感器的测量原理,推导其监测原理的数学模型,论证了将其应用于尾矿库在线监测中的使用条件,将振弦式传感器成功应用于某尾矿库在线监测系统工程,并通过定期监测数据与人工测量数据的对比,说明了振弦式传感器能够反映尾矿库运行的安全指标,且精度能够满足尾矿库在线监测的要求。     

快速热氧化制备超薄GeO2及其性质

超薄氧化锗对钝化Ge MOSFET器件中高介电常数栅介质与Ge界面具有重要的意义。通过研究400～550℃下快速热氧化锗制备氧化锗的过程及其性质,发现在一定温度下较短的氧化时间内,氧化锗的厚度随氧化时间的增加呈明显的两段线性关系。在开始阶段,氧化锗具有高的生长速率;当氧化锗厚度达到一定值(与温度相关)时,氧化速率变慢,与Deal-Grove氧化模型中的线性生长速率基本一致。X射线光电子能谱(XPS)测试结果表明氧化锗中存在不同价态的Ge,且随着氧化时间的增加,氧化锗的氧化程度逐渐提高。在550℃下氧化180 s形成的氧化锗用于Ge-MOS结构,C-V特性表明在禁带中央处获得了较小的界面态密度,达到1.7×1012 cm-2eV-1。