“半导体器件物理”课程教学研究与探索

"半导体器件物理"是微电子学本科的一门重要专业基础课。本文以其与"半导体工艺"、"集成电路CAD"和"集成电路设计"课程的关系为视角,阐述如何讲授好"半导体器件物理"课程,使学生能把多门专业课之间的关系梳理清楚,能更扎实地学习好本课程,提高学习效率。     

电流模式CMOS高频集成锁相环

本文报道了一种电流模式高频ＣＭＯＳ锁相环,该锁相环由鉴相器、低通滤波器及电流控制高频振荡器组成。采用２μｍ工艺参数,用ＰＳＰＩＣＥ（ＬＥＶＥＬⅡ）进行模拟表明,该电路能在１７ＭＨｚ￣５０ＭＨｚ的频率范围内工作。     

±5V高频四象限CMOS模拟乘法器

提出了一种新型四象限ＣＭＯＳ模拟乘法器电路,其核心结构为线性化压控源耦对。基于ＭＯＳＩＳ２μｍｐ－阱ＣＭＯＳ工艺参数的ＰＳＰＩＣＥ模拟结果表明：当电源电压为±５Ｖ,输入范围为±４Ｖ时,非线性误差小于０．９％,乘法运算误差小于１．０％;在±３Ｖ的人非线性误差小于０．４％,乘法运算误差小于０．７％;－３ｄＢ带宽一端为１３０ＭＨＺ,另一端为７２０ＭＨＺ;整个电路静态功耗为４．９０ｍＷ。