复合介质L型侧墙形成技术

:给出了 E- B之间复合介质 L型侧墙的形成技术。这种工艺技术控制容易 ,成品率高 ,均匀性好。已将这种工艺技术应用于双层多晶硅双极晶体管的制作工艺中 ,器件具有良好的电学特性。     

一种频率可调时钟产生电路的研究

研究了一种用于微机械加速度计的CMOS时钟产生电路.该电路可以方便地实现片内时钟的精确产生,集成了具有高电源抑制比的基准电压源,振荡频率可根据需要调节.实际电路采用1.2 μm双层多晶硅、双层金属N阱CMOS工艺实现.在5 V电源电压、800 kHz振荡频率下,该电路功耗约为1.5 mW.     

适用于无源射频标签的低功耗单栅非挥发性存储器

针对低成本、低功耗无源射频电子标签,采用SMIC 0.18μm标准CMOS工艺设计实现了单栅、576bit的非挥发性存储器.存储器单元基于双向Fowler-Nordheim隧穿效应原理并采用普通的pMOS晶体管实现;编程/擦写时间为10ms/16bit.芯片实现块编程和擦写功能,通过提出一种新型的敏感放大器而实现了读功耗的优化.在电源电压为1.2V,数据率为640kHz时,读操作平均消耗电流约为0.8μA.     

77K下工作的双层多晶硅发射区RCA器件和电路

研究了掺磷双层多晶硅RCA器件和电路的制备工艺及其温度特性.在工艺中采用自对准双极结构,生长一层RCA超薄氧化层,并用快速热退火处理RCA氧化层.研制的多晶硅发射区RCA晶体管不仅具有较低的电流增益-温度依赖关系,而且还具有较快的工作速度.首次制备出多晶硅发射区RCA ECL静态二分频器在室温下其工作频率为1.1-1.2GHz,在液氮温度下能够正常工作,工作频率可达730MHz.     

一种专用高速ECL移位寄存器电路的设计和测量

介绍了由先进的多晶硅发射极NPN晶体管和高速ECL100E141电路单元构成的一块专用高速移位寄存器阵列的设计和主要参数的测量.提出一种移位寄存器最高工作频率的测量方法.该方法有效地消除由外部连线和外接器件及测试夹具所造成的寄生延迟对测试结果的影响,准确地测试出电路的最高工作频率.本电路并行输入输出和移位的最高工作频率为410MHz.该电路是为提高某些测试系统高频测量性能而设计的全功能移位寄存器阵列.其布局和结构合理灵活,可以方便地构成多种数据移位寄存方式,有利于使用和测量,具有一定的通用性.     

一种差分式电容传感器读出电路及其前置放大器的设计

采用基于开关电容技术的CMOS电路，实现差分式电容微传感器的信号读出；阐述了这种电路结构的工作原理；分析了噪声特性，并提出了减小噪声的措施。分析了各晶体管尺寸对热噪声和1/f噪声的影响；并在设计时进行了折衷。采用3μm阱CMOS工艺参数对前置放大器进行了HSPICE仿真：放大器具有68nV／√H^2的输入噪声、84dB的开环增益、130dB的共模增益等优良的交、直流特性；电路还可以达到1fF的输入分辨率。     

防病毒软件固化电路的设计

本文介绍了防病毒软件固化电路的设计方法。它利用一种容量为1K×8的MASK ROM来实现。并具体介绍了译码器和单元的设计,单元采用并联多晶硅位线,用引线孔选择码点,单元码点实现了自动编程。     

BD031 MEMS信号处理电路的研制及测试

本文报道了一个为电容式微加速度计传感器信号处理而设计的全集成化的BD031 CMOS MEM信号处理电路.电路设计采用了对信号的差分电容采样方式和过采样技术、前置采样放大器高增益和低噪声设计措施、可调节选通带宽的的低通滤波器及为提高电容噪声性能的带有虚开关结构的开关电容滤波器设计技术、可微调节增益(常规情况下恒定增益为2)的输出缓冲放大器、可调节振荡频率(正常情况下为800KHz)的本地CMOS时钟产生振荡器及为上述模拟电路提供基准电压和基准电流的基准电压源等设计技术、以及可以进行输入失调调节和对差分电容变化量△C的自测试电路.电路使用单一5伏电源,采用1.2微米、双多晶硅、双铝、N-阱CMOS工艺加工,芯片面积为2.82×3.61平方毫米.芯片性能测试表明其差分小电容变化量△C传感范围达到0.06pF-5pF、带宽为300Hz-5KHz.     

BD031 MEMS信号处理电路的研制及测试

本文报道了一个为电容式微加速度计传感器信号处理而设计的全集成化的BD031 CMOS MEM信号处理电路.电路设计采用了对信号的差分电容采样方式和过采样技术、前置采样放大器高增益和低噪声设计措施、可调节选通带宽的的低通滤波器及为提高电容噪声性能的带有虚开关结构的开关电容滤波器设计技术、可微调节增益(常规情况下恒定增益为2)的输出缓冲放大器、可调节振荡频率(正常情况下为800KHz)的本地CMOS时钟产生振荡器及为上述模拟电路提供基准电压和基准电流的基准电压源等设计技术、以及可以进行输入失调调节和对差分电容变化量△C的自测试电路.电路使用单一5伏电源,采用1.2微米、双多晶硅、双铝、N-阱CMOS工艺加工,芯片面积为2.82×3.61平方毫米.芯片性能测试表明其差分小电容变化量△C传感范围达到0.06pF-5pF、带宽为300Hz-5KHz.     

基于微带无源电路的宽带毫米波分谐波混频器

设计了一款基于微带结构的宽带毫米波分谐波混频器。混频器中引入了短路结构的宽带射频滤波器以及一个高性能本振-中频双工器,这些无源电路能够抑制空闲组合频率,同时为中频、射频以及本振信号提供合适的回路。测试结果表明,本文设计的毫米波分谐波混频器射频工作频率为27~48 GHz,中频工作频率宽至6 GHz. 在整个工作频段内上、下变频损耗均小于12.5 dB。当射频为33 GHz,中频为1 GHz时,上变频、下变频达到最小变频损耗分别为8.2 dB和7.5 dB。