器件尺寸缩小的挑战

自从集成电路问世以来,集成电路工业迅猛发展,成为发展最快的一项工业.集成度作为衡量集成电路发展的指标之一,基本上遵循着著名的摩尔定律,即集成度每18个月翻一番.集成度的不断提高,要求器件尺寸不断的缩小,而且这种发展的速度又是以指数的形式倍增的,这样快速的发展下去总会有个极限.在器件特征尺寸的不断缩小过程中,许多问题凸显出来,特别是当MOS的发展进入纳米时代(100nm以下)后,更多的更难解决的问题成为MOS发展的障碍,所以有很多人开始怀疑摩尔定律会不会失效,而硅工业的发展是不是也即将走到尽头.     

CMOS／SOI电路模拟与参数提取

ＳＯＩ－ＭＯＳＦＥＴ主要模型参数得一致的提取，因而该模型嵌入ＳＰＩＣＥ后能保证ＣＭＯＳ／ＳＯＩ电路的正确模拟工作，从ＣＭＯＳ／ＳＯＩ器件和环振电路的模拟结果和实验结果看，两者符合得较好，说明我们所采用的ＳＯＩ ＭＯＳＦＥＴ器件模型及其参数提取都是成功的。     

深亚微米技术和数字家庭网络的发展

数字家庭网络的发展前景 PC技术一直在高速发展,使家用PC机不断升级,同时很多家庭还保留着旧的PC机,这就使得拥有多台PC机的家庭不断增加。另一方面,随着PC机的性能不断提高,使其新的和更强大的功能陆续被开发出来,其中很重要的一项就是多媒体应用,而且,很多应用也有了因特网支持。越来越多的多媒体内容和     

低功耗CMOS逻辑电路设计综述

分析了ＣＭＯＳ逻辑电路的功耗来源从降低电源电压、减 上负载电容和逻辑电路开关活动几率等方面论述了降国耗的途径。讨论了深亚微米器件中亚同值电流对功耗的影响以及减小亚阈值电流的措施,最后分析了高层次设计对降低功耗的关键作用,说明低功耗设计必须从设计的各个层次加在考虑,实现整体优化设计。     

CMOS电路参数的统计优化设计

本文提出了一种用实验设计与模拟相结合对ＣＭＯＳ集成电路参数进行统计优化设计的方法,分析工艺因素设置及其起伏对电路参数的影响,建立起电路参数相对主要工艺因素变化的宏模型,并且模型公式找出使电路参数在预期值附近且偏差最小的优化工艺条件。     

纳米时代的新型CMOS器件

体硅CMOS技术已经发展了25年以上,成为VLSI的主流技术,通过不断缩小器件尺寸CMOS VLSI的集成度已增长了6个数量级,电路性能也不断提高。现在,0.1gm(100nm)以下的CMOS器件已开始从实验室走入生产线,已有文献报导研制出沟道长度     

登高望远 美景无限：新世纪微电子技术的发展

摩尔定律是20世纪后40推动IC发展的、科学的规律总结。进入21世纪,随着IC集成度进一步提高,连线层数的增加,硅片(芯片)面积的增大,这些将给IC工艺技术、加工方式和生产设备带来新的变化,摩尔定律是否能持续下去,人们将拭目期盼!     

回首千年过 举目又千年：MOSVLSI的回顾与展望

以MOSVLSI为代表的微电子技术给人们的工作和生活带来了巨大的变革,特别是现在发展到信息时代,微电子技术更是必不可少的关键技术之一。自80年代以来,全球微电子工业的产品迅速增长,每年平均增长15％,90年代销售额平均年增长18％。1994年的增长率已超过25％,销售额首次破1000亿美元大关,达