Mg:Ce:Fe:LiNbO3晶体生长及其全息存储性能

在同成分LiNbO3(LN)中,掺入MgO的摩尔分数分别为0,2%,4%,6%,掺入(质量分数)0.1?O2和0.08?2O3,采用提拉法生长了优质的Mg:Ce:Fe:LN晶体.检测了Mg:Ce:Fe:LN晶体的红外透射光谱和光损伤阈值.结果表明:6%Mg:0.1?:0.08?:LN晶体的OH-振动吸收峰紫移到3 532cm-1,其光损伤阈值比Ce:Fe:LN晶体提高2个数量级以上.用二波耦合光路测试晶体的衍射效率,写入时间和擦除时间.计算了光折变灵敏度和动态范围.结果表明:Mg:Ce:Fe:LN晶体全息存储性能优于Fe:LN晶体和Ce:Fe:LN晶体.以4%Mg:0.1?:0.08?:LN晶体作为全息记录材料,实现了总存储页面为3 200幅图像的存储,再现图像清晰完整.     

In:Fe:LiNbO3晶体的生长及其在全息关联存储中的应用

用提拉法生长1％（摩尔分数,下同）In ：Fe ：LiNbO3（LN）,2％In ：Fe ：LN,3％In ：Fe ：LN和Fe ：LN晶体,配料中掺入0．03％（质量分数）Fe2O3。采用光斑畸变法测试晶体的光损伤阈值。结果表明：1％In ：Fe ：LN和2％In ：Fe ：LN晶体的光损伤阈值比Fe ：LN晶体高1个数量级以上。3％In ：Fe ：LN晶体的光折变阈值比Fe ：LN晶体高2个数量级以上。晶体的位相共轭效应测试结果表明,1％In ：Fe ：LN晶体的位相共轭反射率（R1=185％）高于3％In ：Fe ：LN晶体（R3=120％）。以3％In ：Fe ：LN晶体作为存储元件,1％In ：Fe ：LN晶体作为位相共轭镜．进行全息关联存储实验．其再现图像清晰完整,噪音小。     

Ce:Eu:SBN晶体的生长和全息存储性能研究

在SBN中掺进0.1%(质量分数)CeO2和0.1%(质量分数)Eu2O3,以Czochralski技术生长CeEuSBN晶体,在空气中退火24h,退火温度为1300℃.测试CeEuSBN晶体的住相共轭反射率和响应时间.CeEuSBN晶体最大位相共轭反射率(R=92%)和响应时间(38s),以CeEuSBN晶体作为存储元件和位相共轭镜(阈值,增益反馈系统)进行全息关联存储实验.系统具有实时处理、反复使用、成像质量好、信噪比高等优点.CeEuSBN晶体是比SBN晶体全息存储性能更好的晶体.     

Mg:Er:LiNbO3晶体波导基片抗光损伤的研究

以Czochralski技术生长Mg(2mol%)Er(1mol%)LN,Mg(4mol%)Er(1mol%)LN,Mg(6mol%)Er(1mol%)LN,Mg(8mol%)Er(1mol%)LN和Er(1mol%)LN晶体.测试了MgErLiNbO3晶体的红外光谱,Mg(2mol%)ErLN,Mg(4mol%)ErLN OH-吸收峰在3486cm-1附近,Mg(6mol%)ErLN和Mg(8mol%)ErLN晶体OH-吸收峰移动到3535cm-1附近,对MgErLN晶体OH-吸收峰移动机理进行研究.采用m线法测试MgErLN晶体光损伤阈值.Mg(6mol%)Er(1mol%)LN和Mg(8mol%)ErLN晶体光损伤阈值比ErLN晶体提高两个数量级以上.Mg(2mol%)ErLN和Mg(4mol%)ErLN晶体比Er(1mol%)LN晶体提高一个数量级.     

铟铈铜铌酸锂晶体光谱特性及抗光损伤能力

在铌酸锂LiNbO3(LN)中掺入0.1 mol%CeO2,0.1 mol%CuO和0.5 mol%、1 mol%和1.5 mol%In2O3,用Czochralski技术生长In:Ce:Cu:LN晶体.利用Avatar-360型FT-IR红外光谱仪测试了晶体的红外光谱,发现In(3 mol%):Ce:Cu:LN晶体的OH-吸收峰由LN的3 484 cm-1移到3 508 cm-1.利用WFZ-26A型紫外.可见光分光分度计测试了晶体的紫外可见光谱,发现当In掺量小于3 mol%时.随In掺量的增加,基础吸收边向短波方向移动,即发生紫移,在掺入量达到3 mol%时,基础吸收边红移.采用透射光斑畸变法测试了晶体的抗光损伤能力,结果表明:In(3 mol%):Ce:Cu:LN晶体的抗光损伤能力比其他样品明显增强,较Ce:Cu:LN晶体的抗光损伤能力高出两个数量级.探讨了In:Ce:Cu:LN晶体OH-吸收峰及基础吸收边移动和抗光致散射能力增强的机理.     

In掺杂对Er：LiNbO_3晶体上转换荧光性能的影响

采用Czochralski方法生长了同成分Er（1%）：LiNbO3和In（2%）：Er（1%）：LiNbO3晶体（摩尔分数）。采用红外透射光谱来研究晶体样品的缺陷结构,研究发现,随着In3＋离子的掺入,Er：LiNbO3晶体的OH吸收峰发生紫移,由3481cm-1移至3 508 cm-1。以飞秒激光为激发光源测试了晶体样品的上转换荧光光谱,发现In：Er：LiNbO3晶体中Er3＋离子的发光强度有明显提高。结合紫外-可见吸收光谱和上转换光谱,分析了In：Er：LiNbO3晶体中In3＋的掺入使Er：LiNbO3上转换发光强度增强的原因,这些结果表明In：Er：LiNbO3晶体用作激光器的增益介质有助于进一步改善激光器性能。     

基于气-液-固模式的Ⅲ-Ⅴ族一维半导体纳米线的生长研究概述

Ⅲ-Ⅴ族一维半导体纳米线由于具有独特的性能、丰富的科学内涵而被广泛应用于微机电、光电子、光伏电、传感等方面,并在未来纳米结构器件中占有重要的战略地位,近年来引起了人们极大的兴趣和关注。探索Ⅲ-Ⅴ族一维半导体纳米线新的结构调控手段,研究具有重要应用价值的Ⅲ-Ⅴ族一维半导体纳米线的可控生长方法和技术,从而获得可应用于器件和功能实现的高质量Ⅲ-Ⅴ族一维半导体纳米线是目前各研究组的主要目标。基于气-液-固模式的纳米线生长方法具有对纳米线形貌及晶体质量可控的优点,成为当前制备高质量Ⅲ-Ⅴ族一维半导体纳米线的主要生长技术。催化辅助生长是一种有金属催化剂参与的纳米线生长方式,它可以有效降低反应物裂解能量、提高材料成核质量、控制材料生长方向、提高反应效率、稳定材料晶体结构。自催化生长是指在纳米线生长过程中不添加其他物质作为催化剂,而由反应物自身起催化作用的生长。由于自催化生长在反应过程中未引入其他物质,所以生成物纯度较高。Ⅲ-Ⅴ族异质结构半导体纳米线常具有两种半导体各自不能达到的优良光电特性,其又可划分为纵向异质结构和横向异质结构。Ⅲ-Ⅴ族一维半导体纳米线除了可以在与其自身材料相同的基底表面上生长之外,还可在与其材料不同的基底表面上生长,即在异质基底表面生长。异质基底生长在材料兼容、光电集成等方面具有十分广阔的应用前景。本文对基于气-液-固模式的Ⅲ-Ⅴ族一维半导体纳米线的生长进行了综述,并对近些年基于催化辅助和自催化的纵向异质结构、横向异质结构以及异质基底的成长研究现状进行了总结,为推动Ⅲ-Ⅴ族一维半导体纳米线制备技术的发展提供了参考依据。     

镁铟共掺杂铌酸锂晶体的生长及光学性能

在同成分铌酸锂(LiNbO3,LN)体中掺入3%(摩尔分数,下同)MgO,并分别掺入0.5%,1%,1.5%In2O3,用提拉法生长了一系列Mg:In:LN晶体.通过紫外坷见吸收光谱测试确定了晶体样品的组成和缺陷结构.通过透射光斑畸变法检测Mg:In:LN晶体抗光损伤能力.结果表明:Mg:In:LN晶体抗光损伤能力比纯LN晶体提高2个数量级.以波长为1 064nm的Nd:YAG激光为基频光源,对Mg:In:LN晶体的倍频性能进行了测试.结果表明:Mg:In:LN晶体的相位匹配温度在室温附近,Mg:In:LN晶体的倍频效率要高于In:LN晶体和Mg:LN晶体.     

用于可见光下Pt(Ⅳ)/Ti0_2光催化剂的制备和表征

采用溶胶-凝胶法,在温和的条件下制备了新型光催化剂Pt(Ⅳ)/TiO2,并利用XRD,TEM,XPS和UV-VIS等手段对其进行了表征。结果表明:尺寸为3 nm左右的PtCl4。微粒均匀地分布在无定型、多微孔的TiO2粉末中;UV-VIs测试表明,新型光催化剂Pt(Ⅳ)/TiO2的光响应波长已由纯TiO2的380 nm左右拓宽到了可见光区。在模拟太阳光下,以苯酚的光催化降解为模型反应,研究了该新型光催化剂的光催化活性,结果发现:新型改性的Pt(Ⅳ)/TiO2样品的光催化活性比较高,其中含Pt量为3％摩尔分数的样品的光催化活性最高,其光催化效率是商品TiO2的2倍。     

钌掺杂二氧化钛纳米粉体的制备及光催化性能

以钛酸四丁酯为原料,利用溶胶-凝胶法制各了纯TiO2和Ru掺杂的TiO2纳米粉体.利用热重-差热分析、X射线衍射、X射线光电子能谱和紫外-可见分光光度计对粉体进行了表征.在模拟太阳光下,利用含酚水溶液中苯酚的光催化降解反应,考察了TiO2纳米粉体的光催化活性和Ru的掺杂量对光催化活性的影响.结果表明:Ru的掺杂延缓了T...