单光纤传输光推动便携式压力测量仪的研究

介绍了用单根光纤传输测量信号和功率信号的光功率推动液体压力测量仪及其工作原理。该仪器以电容式压力传感器的δ元件作为压力检测元件，采用低功耗前置器电路和简单直杆结构，实现了便携式测量。测量范围为O～100kPa，精度为O．01kPa。     

半绝缘GaAs单晶化学配比的X射线双晶衍射Bond方法测量

本文利用Ｘ射线双晶衍射Ｂｏｎｄ方法，精确测量了各种条件下生长的半绝缘ＧａＡｓ的晶格参数．建立了过量Ａｓ在晶体中存在的间隙原子对模型，在理论上找到了影响半绝缘ＧａＡｓ晶格参数的根本原因．并建立了半绝缘ＧａＡｓ晶格参数与化学配比的关系，实现了化学配比的无损测量．这对于ＧａＡｓ单晶的制备和相关光电子器件的研究具有重要意义．     

AlxGa1-xAs选择性湿法氧化技术的研究

详细研究了温度和Al组分与AlxGa1-xAs横向氧化速率的关系,通过分析氧化机制和实验得到的氧化宽度与时间的线性关系,指出在较短时间内的氧化为受AlxGa1-xAs材料与水汽反应速率限制的过程。运用优化的氧化条件,成功制备了氧化孔径为8μm的垂直腔面发射激光器,最大直流光输出功率为3.2mW,激射波长为978nm,工作电流为15mA。     

调制式光纤甲烷气体传感器的研究

利用Fabry-Perot腔的选频特性，考虑与光纤的低损耗窗口相一致和价格等因素，以价廉的1300nm波段的LED作为光源，实现了PZT对Fabry-Perot腔的正弦调制；对甲烷气体浓度进行谐波检测，检测灵敏度可达10ppm。研究表明，该传感器灵敏度和稳定性大大提高。     

取样光栅滤波的新型光纤甲烷差分检测系统

综合应用取样光纤光栅滤波和改进的差分吸收检测技术,实现了对甲烷气体等距分布的多条近红外吸收线的同时测量,完善了差分吸收技术应用于弱气体检测的理论。基于分子光谱学理论对谱带精细结构的分析,结合取样光纤光栅的梳状滤波思想,以1.66μm附近甲烷泛频(2v3)吸收光谱R支中的R4线为中心,同时对R3、R4和R5三条吸收线进行测量。为消除光源功率波动对测量结果的影响,利用两个同类型的取样光纤光栅实现对气体浓度的差分吸收检测。选用中心波长在R4附近的啁啾光纤光栅作为光学带通滤波器,利用PINPD实现对三条吸收线处光强的同时测量,由比值处理消除光源功率波动对测量结果的影响。通过实验验证了系统的可行性。     

基于VRML与Java交互的研究

研究基于Java与VRML的交互技术对增强VRNIL的动画效果和交互能力具有重要意义。首先介绍了传统方法SAI和EAI,二者所使用的JDK版本被限制在JDK1．4以下,无法利用JAVA逐渐增强的新功能。为解决这一问题,提出了基于网页脚本的交互方案,给出了方案中需要注意的问题,最后用实例验证了此方案的可行性。该方案为采用高版本JDK实现Java与VRML交互提供了一种思路。     

基于位移传感的光纤温度传感器

提出了一种新颖的基于双金属片位移传感的光纤温度测量方法 ,设计了结构简单的传感器 ,介绍了测量仪的工作原理 ,建立了温度测量的数学模型。采用差动输出方式 ,补偿了光源功率波动的影响。通过实验 ,给出了传感器输出信号与温度变化的关系曲线 ,实验结果表明了该测量方法的可行性。     

硅-玻璃静电键合中的电流-时间特性分析

在微传感器和微机械结构的静电键合实验中 ,当加电压到键合片对上时 ,外电路的电流迅速上升到一定值后 ,不是逐渐减小 ,而是较缓慢的继续上升 ,或在某一值停留一段时间再逐渐减小到最小值。通过对实验现象的分析 ,认为键合的电流 -时间特性主要是下述两个过程的综合反映 ,键合过程中接触电阻的减小引起的电流增大和空间电荷区形成引起的电流减小 ,正是由于这两个主要因素导致了上述现象的存在     

InGaN/GaN多量子阱蓝光LED的p-GaN盖层的MOCVD生长研究

利用金属有机物化学气相淀积（MOCVD）生长了InGaN／GaN多量子阱（MQW）蓝光发光二极管（LED），研究了不同Cp2Mg流量下生长的p-GaN盖层对器件电学特性的影响。结果表明，随着Cp2Mg流量的提高，漏电流升高，并且到达一临界点会迅速恶化；正向压降则先降低，后升高。进而研究相同生长条件下生长的p-GaN薄膜的电学特性、表面形貌及晶体质量，结果表明，生长p-GaN盖层时，Cp2Mg流量过低，盖层的空穴浓度低，电学特性不好；Cp2Mg流量过高，则会产生大量的缺陷，盖层晶体质量与表面形貌变差，使得空穴浓度降低，电学特性变差。因此，生长p-GaN盖层时，为使器件的正向压降与反向漏电流均达到要求，Cp2Mg流量应精确控制。     

电子束蒸发非晶硅光学薄膜工艺研究

研究了沉积时真空室真空度、基片温度和沉积速率对常用电子束蒸发非晶硅(a-Si)光学薄膜的折射率和消光系数的影响。结果表明,在300~1100nm的波长范围内,真空室真空度、基片温度和沉积速率越高,则所得a-Si薄膜折射率越高,消光系数越大。并将实验结果用于半导体激光器腔面高反镜用a-Si膜镀制,发现在选择初始真空为1E-6×133Pa、基片温度为100℃和沉积速率为0.2nm/s时所得高反镜的光学特性比较好,在808nm处折射率和消光系数分别为3.1和1E-3。