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本文针对星用功率MOSFET器件JANTXV 2N7261和SR7262V,进行了钴-60 γ射线辐照试验研究.在γ射线辐照过程中,采用JT-1型晶体管特性图示仪和计算机控制的摄像机,实时监测器件电参数随辐照剂量变化的特征,通过试验研究获得了被试器件阈值电压、漏电流和击穿电压随总剂量变化的特征照片和曲线,得出被试器件的抗总剂量水平. 相似文献
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空间单粒子锁定及防护技术研究 总被引:2,自引:0,他引:2
介绍了单粒子锁定现象的触发原理,探讨了针对典型CMOS器件SEL现象的主要特征和测试方法,并开展了几种CMOS器件的单粒子锁定试验研究。在模拟试验的基础上,研制成功抗单粒子锁定防护电路,能够自动探测和迅速解除单粒子锁定现象。 相似文献
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