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1.
随着器件尺寸的迅速减小,直接隧穿电流将代替FN电流而成为影响器件可靠性的主要因素.根据比例差值算符理论和弛豫谱技术,针对直接隧穿应力下超薄栅MOS结构提出了一种新的弛豫谱--恒压应力下的直接隧穿弛豫谱(DTRS).该弛豫谱保持了原有弛豫谱技术直接、快速和方便的优点,能够分离和表征超薄栅MOS结构不同氧化层陷阱,提取氧化层陷阱的产生/俘获截面、陷阱密度等陷阱参数.直接隧穿弛豫谱主要用于研究直接隧穿注入的情况下超薄栅MOS结构中陷阱的产生和复合,为超薄栅MOS结构的可靠性研究提供了一强有力工具.  相似文献   
2.
研究了粗糙界面对电子隧穿超薄栅金属-氧化物-半导体场效应晶体管的氧化层的影响.对于栅厚为3nm的超薄栅MOS结构的界面用高斯粗糙面进行模拟来获取界面粗糙度对直接隧穿电流的影响,数值模拟的结果表明:界面粗糙度对电子的直接隧穿有较大的影响,且直接隧穿电流随界面的粗糙度增加而增大,界面粗糙度对电子的直接隧穿的影响随着外加电压的增加而减小.  相似文献   
3.
The degradation of MOSFETs under high field stress has been investigated for a long time. The degradation is due to the newly generated traps. As the gate thickness scaled down rapidly, a conventional method for detecting oxide traps, such as C-V or subthreshold swing, is no longer effective. Some new phenomena also appear, such as Stress Induced Leakage Current (SILC) and soft-breakdown. The oxide traps' behavior and their characteristics are the key problems in the study of degradation. By extracting the change of transition coefficients from the I-V curve and using the PDO (Proportional Differential Operator) method, various oxide traps can be distinguished and as would be helpful in the determination of trap behavior changes during the degradation process.  相似文献   
4.
给出了一种利用FN振荡电流的极值测量超薄栅MOS结构的栅氧化层厚度和电子在栅氧化层导带中的有效质量方法.利用波的干涉方法来处理电子隧穿势垒的过程,方便地获得了出现极值时外加电压和栅氧化层厚度、势垒高度、电子的有效质量之间的关系.这种方法的最大优点是精确和简便,并可方便地应用于任意形状的势垒和势阱.  相似文献   
5.
本文根据MOS器件亚阈区转移特性国数强收敛的特点,提出了一种直接利用MOS器件转移特性确定亚阈区表面势的新方法.并讨论了界面馅饼的影响.研究结果表明,对于长沟器件,该方法的系统误差小于1.3%.与C-V法的对照实验表明,两者的结果偏差小于5%.  相似文献   
6.
随着器件尺寸的不断减小 ,直接隧穿电流将代替 FN电流而成为影响器件可靠性的主要因素 .数值求解的结果表明 :镜像势引起的势垒降低对超薄栅 MOS直接隧穿电流有较大的影响 .利用 WKB近似方法 ,获得了镜像势对直接隧穿电流影响的定性表达式 .镜像势对直接隧穿电流的影响随着栅电压的减小而增大 ,但是随着栅氧化层厚度的减小而减小  相似文献   
7.
通过对栅电流和栅电压漂移的测量,证明了均匀FN应力老化后栅氧化层中陷阱呈非均匀分布.不同厚度的栅氧化层产生SILC的机制不尽相同,薄栅以陷阱辅助隧穿为主,类Pool-Frankel机制在厚二氧化硅栅中起主导作用.  相似文献   
8.
MOSFET不同厚度薄栅老化中 SILC的机制   总被引:1,自引:1,他引:0  
通过对栅电流和栅电压漂移的测量 ,证明了均匀 FN应力老化后栅氧化层中陷阱呈非均匀分布 .不同厚度的栅氧化层产生 SIL C的机制不尽相同 ,薄栅以陷阱辅助隧穿为主 ,类 Pool- Frankel机制在厚二氧化硅栅中起主导作用 .  相似文献   
9.
超薄栅MOS结构恒压应力下的直接隧穿弛豫谱   总被引:1,自引:1,他引:0  
随着器件尺寸的迅速减小 ,直接隧穿电流将代替 FN电流而成为影响器件可靠性的主要因素 .根据比例差值算符理论和弛豫谱技术 ,针对直接隧穿应力下超薄栅 MOS结构提出了一种新的弛豫谱——恒压应力下的直接隧穿弛豫谱 (DTRS) .该弛豫谱保持了原有弛豫谱技术直接、快速和方便的优点 ,能够分离和表征超薄栅 MOS结构不同氧化层陷阱 ,提取氧化层陷阱的产生 /俘获截面、陷阱密度等陷阱参数 .直接隧穿弛豫谱主要用于研究直接隧穿注入的情况下超薄栅 MOS结构中陷阱的产生和复合 ,为超薄栅 MOS结构的可靠性研究提供了一强有力工具 .  相似文献   
10.
研究了粗糙界面对电子隧穿超薄栅金属 -氧化物 -半导体场效应晶体管的氧化层的影响 .对于栅厚为 3nm的超薄栅 MOS结构的界面用高斯粗糙面进行模拟来获取界面粗糙度对直接隧穿电流的影响 ,数值模拟的结果表明 :界面粗糙度对电子的直接隧穿有较大的影响 ,且直接隧穿电流随界面的粗糙度增加而增大 ,界面粗糙度对电子的直接隧穿的影响随着外加电压的增加而减小 .  相似文献   
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