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1.
连续40 W 808 nm量子阱线阵二极管激光封装技术   总被引:8,自引:4,他引:4  
研究了高功率二极管激光 (LD)封装中的铟焊料蒸镀工艺和回流焊工艺对芯片焊接状态的影响。在数值模拟和实验研究的基础上 ,优化了冷却器结构设计 ,研制出具有热阻低、压降小的铜微通道液体冷却器 ,可以满足热耗散功率大于 6 0W的二极管激光器散热冷却需要。通过封装实验得到输出功率 40W ,波长 80 8nm ,谱线半高宽<2nm ,电光效率近 40 %的连续线阵二极管激光器。用该激光器进行了抽运Nd∶YAG固体激光实验 ,在抽运功率为 40W时 ,获得 11 8W单横模固体激光输出 ,光 光效率约为 30 %。  相似文献   
2.
外腔锁相二极管激光列阵超模的阈值分析   总被引:3,自引:0,他引:3  
利用耦合矩阵本征值求得了外腔锁相二极管激光列阵的各阶超模所应满足的阈值条件 ,研究了激光器前端面剩余反射和外腔长度对各阶超模阈值增益的影响。在无剩余反射的理想情况下 ,阈值增益曲线随外腔长度变化缓慢 ,从而可以通过选择外腔长度使DLA稳定运行在最高阶或最低阶超模 ;在有剩余反射时 ,外腔长度在波长范围内的变化都可能使DLA在最高阶和最低阶模式之间交替运行  相似文献   
3.
外腔锁相改善半导体激光器列阵输出光束特性   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用一个由快轴准直透镜和一个高反射率平面镜组成的简单外腔,实现了半导体激光器列阵(DLA)锁相运行,改善了DLA的出射光束质量。DLA远场出现了3个瓣,每瓣发散角为10mrad左右;光谱从自由运行时的2 .2nm压缩到了0 .3nm ;阈值电流由7A降低到了5 .5A。  相似文献   
4.
高功率线阵半导体激光器光纤耦合设计   总被引:8,自引:2,他引:6  
本文通过分析高功率线阵半导体激光器的激光输出特性,设计了一种微台阶反射镜阵列对其进行光束变换,并分别采用几何光线追迹法和高斯光束的ABCD定律,模拟计算了光束变换情况。计算结果表明,本文设计的光束变换系统,可将10mm宽的线阵半导体激光器的输出激光耦合进一根芯径为800μm,数值孔径NA≥0.37的光纤中。  相似文献   
5.
在不针对特定系统参量并考虑激光二极管阵列(LDA)前端面的剩余反射的情况下。对外腔锁相激光二极管阵列进行了一般性分析。在只考虑相邻发光单元间互相耦合及单元自耦合的近似下,把耦合参量表示为模和幅角的形式以便于分析各阶超模的阈值条件。对于和前端面的剩余反射系数有关的外腔锁相激光二极管阵列各阶超模的阈值,解析证明了阈值最低的模式或为最低阶超模,或为最高阶超模。说明了存在一些分立的外腔长度范嗣可以使激光二极管阵列运行于最低阶超模或者最高阶超模,这些结果和模式耦合理论的结果一致。  相似文献   
6.
高功率二极管抽运YLF系统采用近场注入、近场输出的离轴双程放大结构,激光头采用微透镜准直LD发出的抽运光,Lensduct汇聚抽运光,并利用匀束器改善抽运光的空间分布,达到对YLF均匀抽运. 对该系统进行了模拟计算,表明系统在注入能量为22 μJ时,输出为180 mJ,系统的净增益约为3000倍,光束畸变很小. 实验研究得知:对激光头单独研究表明,微透镜将LD快轴方向的抽运光由超过40°准直为10°以下,lensduct的耦合效率达到75%,其光-光转换效率为24%;系统的静态损耗为45%,系统的单通增益为9,净增益为3600倍,在注入能量为40 μJ时,输出能量为近150 mJ.(OC18)  相似文献   
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