IGBT串联均压方法综述

绝缘栅双极性晶体管IGBT(insulated gate bipolar transistor)在高电压场合应用时需串联使用满足电压需求。由于器件内部的性能差异和外围电路参数不一致等,引起IGBT模块之间电压不均衡问题,威胁其运行安全。综述了国内外IGBT串联均压方法的发展及其研究现状。根据均压方法机理的不同,将IGBT串联均压方法分为被动均压方法和主动均压方法两种,进一步将主动均压方法归纳为无源控制方法和有源控制方法两类。根据各类方法的基本电路拓扑分析了均压原理,梳理了不同方法在电路拓扑、参数选择和控制策略等方面的优化和最新进展。通过均压效果、附加损耗和可靠性等多方面对不同均压方法进行对比,被动均压方法拓扑简单不需外加控制电路更适合在低频应用场合,在高频应用场合中,准有源栅极控制法以单驱动与无源器件相结合的方式,具有良好的发展前景。最后对IGBT串联均压方法进行了展望。     

环境能量驱动的无线传感器节点数据传输优化机制

将环境能量收集模块引入无线传感器网络,可以有效改善网络的使用寿命,但是能量的随时补充也给原有的能量管理策略带来了巨大挑战.针对单个环境能量驱动节点在数据序列已经到达的情况下,研究了优化的数据传输策略,采用内罚函数法优化传输过程,使得固定时间内节点传输的数据量最大.理论分析及仿真结果表明,当各个时刻节点的传输功率比较接近时会获得最大的数据传输量;当实际节点获得最大数据传输时节点的传输功率随时间呈增大趋势.     

考虑多控制环耦合的并网逆变器非线性建模及仿真分析

随着新能源发电技术的快速发展和电力电子化设备的规模化应用,电力电子化已成为新型电力系统的重要发展趋势。并网逆变器作为新能源接入电网的重要接口,其暂态稳定性对电力系统的稳定可靠运行尤为重要。并网逆变器具有多控制环耦合与强非线性的特征,因此建立其非线性数学模型是分析其暂态稳定性的重要基础。然而,已有的研究大多是基于小信号建模或只考虑单一控制环节的简化非线性建模,不能完全表征并网逆变器在大扰动条件下的暂态响应。因此,充分考虑并网逆变器多控制环耦合特性,建立其全阶非线性暂态模型,包含功率下垂控制环、锁相环,电压电流双闭环控制。为了便于模型应用,采用奇异摄动法推导了非线性降阶模型。利用Matlab/Simulink时域仿真和RT-Lab实时仿真,验证了全阶模型和降阶模型在小扰动和大扰动下的准确性。在非线性降阶模型的基础上进行线性化,并利用小信号方法分析了系统参数对稳定性的影响。所建立的并网逆变器非线性暂态模型具有较高的模型精度和实用性,可为电力电子化电力系统的暂态稳定性分析提供数学模型基础。     

微电网故障下三相电压型并网变换器瞬态行为分析

三相电压源型变换器(VSC)是交直流混合电力系统中重要的功率接口装置。交直流混合系统存在诸如电网侧故障或直流侧负载变化等扰动,对其中功率接口变换器造成难以预计的影响。着重研究微电网故障时并网变换器的瞬态响应过程及其机理。首先,给出了电网三相电压暂降时三相电压源型变换器的失稳的瞬态响应现象。然后,通过非线性分析揭示了该不稳定现象的物理本质,并通过系统建模计算给出了系统参数空间中的稳定域范围;最后,通过微电网与变换器仿真验证了分析计算的有效性。     

功率MOSFET寿命模型综述

MOSFET是实现电力电子装置功能的核心器件,但其寿命短是制约电力电子系统可靠性的关键因素。由老化造成的MOSFET失效分为封装失效和参数漂移失效,前者由MOSFET制造工艺及材料导致的缺陷在工作环境中恶化而产生,后者为器件在使用过程中其内部微观退化机制在宏观参数的体现。对目前已有的MOSFET寿命相关的研究成果进行总结,分析了MOSFET的各类失效模式,并建立了各类失效模式下MOSFET寿命模型;并进一步总结了各类失效模式下寿命模型的失效判据及其各类寿命预测模型实验验证方法。     

燃烧效率控制

节约能源已成为现代工业发展的重要课题之一。为提高燃烧效率,文中着重对调节空燃比以及过剩空气系数α的最佳值的控制等均作了综合分析。     

给录音机加装全自动停机系统

现在不少读者手里都有中、低挡收录机,由于这类录音机考虑到成本等因素,只有“张力”自停机构,在快进,倒带时,该机构便无能为力了。下面我们向读者介绍一种电子式全自动停机系统,由于该系统巧妙地运用了原录     

建筑节能技术的节能量与全寿命周期成本–收益分析

随着城市化的发展,资源消耗问题日益严重。作为节能的重点行业,节能量与节能成本是技术选择的重点考虑因素。以建筑围护材料、地源热泵两项建筑节能技术为例,分析它们的节能量,与全生命周期成本-收益。计算方法的讨论与案例分析能给建筑节能技术的选择与应用提供理论指导。     

Design of an LDO with capacitor multiplier

This paper presents a low quiescent current,highly stable low-drop out(LDO) regulator.In order to reduce capacitor value and control frequency response peak,capacitor multipliers are adopted in the compensation circuit with mathematic calculations.The phase margin is adequate when the load current is 0.1 or 150 mA.Fabricated in an XFAB 0.6μm CMOS process,the LDO produces 12.2 mV(0.7%) overshoot voltage while the current changes at 770 mA/100μs with a capacitor load of 10μF.     

基于网关位置寄存器的呼叫建立机制

利用GLR(网关位置寄存器)在3G网络中的作用,综合本地路由和缓存策略,改进了现有3G系统中的呼叫建立机制。算法性能分析和仿真试验结果表明:存在一个最优的移动域门限值来平衡位置更新和终端寻呼的代价,从而获得位置管理总代价最小化;改进后的机制可有效地减少呼叫传递过程中的系统开销,提高通信效率。