利用通用数据交换模型实现多体系结构系统互操作的方法

为解决分布式体系结构互联时存在的互操作问题,提出利用通用数据交互模型描述异构系统间的交互信息,给出了通用数据交换模型元模型的构建方法.将异构系统间交换的信息分为状态(对象类)、事件(交互,由状态改变引起)、控制信息3类,预定义常用的通用消息模型和体系结构相关的消息模型,并设计了通用数据交换模型的创建方法,提升了扩展能力.基于该方法可实现集中式和分布式通用网关,利用回调机制、对象反射和主动发送等"推""拉"通信模式可实现信息的异步传递.通过HLA、TENA与某指控平台的互联验证了方法的有效性.     

Fabrication of GaN films through reactive reconstruction of magnetron sputtered ZnO/Ga_2O_3

1　INTRODUCTIONGallium nitride (GaN) is one of the most po tential semiconductors. GaN has a direct energyband gap of 3.4 eV at room temperature and highexternal photoluminescence quantum efficiency, aswell as a high excitonic binding energy of20 meV[1]. It is an ideal material for fabrication ofultraviolet(UV)/blue/green light emitting diodes(LEDs), laser diodes(LDs), UV detectors and de vices operating in high temperature, high frequen cy and high power co…     

防护工程柴油电站消烟降温技术研究

针对防护工程对柴油发电机尾气排放的特殊要求,研制柴油电站废气余热发电装置。介绍柴油电站尾气降温技术的发展现状;阐述柴油电站废气余热发电装置和核心系统——温差发电余热系统和降温除尘技术的设计方案;比选静电除尘技术及DPF(diesel particulate filter)消烟除尘技术方案优势,给出基于DPF消烟除尘技术的柴油电站废气余热发电装置效果图。     

CCD 超分辨率位置测量方法及性能分析

从理论上分析了光信号的分布形式及分布规律对 CCD 超分辨力位置测量的影响, 以高斯分布和均匀分布信号为例进行了具体分析与比较. 在此基础上提出了一种基于划分一维宏像素计算质心序列点, 通过拟合序列点剔除噪声影响的 CCD 超分辨力位置估计方法, 分析了这一算法的不确定度. 理论与实验表明, 这一算法的位置测量精度达到 0.02 个像素. 实验中通过与边缘拟合法、传统质心法的比较, 表明这一方法具有更强的抗噪声能力和较高的准确性.     

氮化ZnO/Ga2O3薄膜合成GaN纳米管

利用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上先溅射ZnO中间层,接着溅射Ga2O3 薄膜,然后ZnO/Ga2O3薄膜在管式炉中常压下通氨气进行氮化,高温下ZnO层在氨气的气氛中挥发,而Ga2O3薄膜和氨气反应合成出GaN纳米管.X射线衍射(XRD)测量结果表明利用该方法制备的GaN具有沿c轴方向择优生长的六角纤锌矿结构.利用傅里叶红外光谱(FTIR)研究了所制备样品的光学性质.利用透射电子显微镜(TEM)和选区电子衍射(SAED)观测了样品的形貌和晶格结构.     

合成GaN粗晶体棒的研究

利用磁控溅射系统,在Si(111)衬底上的SiC缓冲层上溅射Ga2O3纳米颗粒薄膜。然后令该薄膜在NH3中高温退火,在产物中发现直径为数百纳米的GaN棒。直径如此大的GaN棒在国内外鲜有报道。该晶体棒被认为是在Ga2O3薄膜与NH3自组装反应过程中形成。该工艺可为合成大尺寸GaN一维结构提供一条新的途径。     

陶瓷塑压成型用树脂模具的制造

本文介绍陶瓷塑压成型用树脂模具的特点,并着重阐述了研制树脂模具的若干关键性因素.     

防护工程供电系统运行分析

防护工程中供电系统运行的可靠性是保证工程使用功能正常发挥的基础条件,工程的使用功能决定了工程对电力系统电源的引接要求、内部电站和自备电源的设置要求及供电系统.供电系统可靠运行取决其正确的运行方式,因此工程设计人员在设计中必须对系统的运行方式予以明确.本文对不同工程的供电系统在电力系统电源、同一电站内的自备电源以及不同电...     

Si基氨化ZnO／Ga2O3薄膜制备GaN纳米线

利用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上溅射ZnO中间层和Ga2O3薄膜，然后在管式炉中常压下通氨气对ZnO/Ga2O3薄膜进行氨化，高温下ZnO层在氨气气氛中挥发，而Ga2O3薄膜和氨气反应合成出GaN纳米线．X射线衍射测量结果表明利用该方法制备的GaN纳米线具有沿c轴方向择优生长的六角纤锌矿结构．利用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、傅里叶红外透射谱、能量弥散谱及选区电子衍射观测并分析了样品的形貌、成分和晶格结构．研究发现ZnO层的挥发有利于Ga2O3和NH3反应合成GaN纳米线．     

利用平面间单应关系的指示位置判别方法

在基于计算机视觉技术的非接触式人机交互系统中,为了快速推断使用者指示的目标位置,提出一种无需显式求解摄像机参数的指示位置判别方法.利用目标平面上的已知点及其对应的摄像机成像点,求解目标平面和摄像机像平面间的单应矩阵,将目标平面卜相交于指示点的两条直线与像平面上的对应直线联系起来,从而通过检测图像中的特定直线推断指示点的...