CLBO晶体化学机械抛光技术的研究

介绍了硼酸锂铯(CLBO)晶体的应用前景及在化学机械抛光过程中存在的问题,简要分析了晶体在常温下开裂的机理,选用无水溶剂对晶体进行化学机械抛光以防止加工过程中晶体的潮解开裂。分析了抛光液、压力、温度、pH值参数对抛光过程的影响,通过合适配比使速率可达1.5～2μm/min,且表面质量较好。     

铝薄膜CMP影响因素分析

提出了在碱性抛光液中铝薄膜化学机械抛光的机理模型,对抛光液的pH值、磨料、氧化剂浓度对过程参数的影响做了一些试验分析。试验结果表面粗糙度的铝薄膜所需的最优化CMP过程参数:硅溶胶粒径为15～20nm,pH值为10.8～11.2,氧化剂浓度为2.5%～3%。     

用于铜的化学机械抛光液的研究

文中介绍了一种以碱性抛光液对铜进行全局平面化的方法 ,讨论了以 Si O2 水溶胶为磨料的抛光液在Cu-CMP过程中的化学 (络合 )作用及反应机理 ,并给出了抛光液的配比及上机实验结果。结果表明 :该抛光液用于对带有阻挡层和介质层的铜抛光 ,达到了对铜层的高去除速率和高选择比 ,取得了较好的全局平面化效果     

一种基于UML的网络安全体系建模分析方法

在现有法律法规和标准体系的指导下,提出了一种通用的网络安全体系框架,阐述了安全目标、安全边界、安全体系要素与安全服务和安全风险评估之间的关系.在网络安全体系框架的基础上,利用统一建模语言(Unified Modeling Language,UML)在建模表述上的强大性和通用性给出了安全目标、安全边界和安全体系要素的建模方法,以规范化安全体系的表示形式并消除沟通中的歧义性.利用建立的模型,安全管理员使用提出的网络安全建模分析方法,可以验证业务流程的目标满足性并得出可能的安全风险.最后通过一个典型网上银行网络的建模分析,验证了提出的安全体系框架和建模分析方法的有效性和合理性.相比于传统的方法,该方法建模分析要素更为全面,且推导得出的结果指导性更强.     

磨料对计算机硬盘NiP基板CMP质量的影响

磁盘表面质量直接影响了硬盘的磁存储密度,表面须达到优异的表面光滑度、没有表面缺陷.本文通过对镍磷基板的化学性质分析,讨论了其CMP机理,分析了浆料中的磨料在硬盘基板CMP中的重要性,指出浆料中的磨料不仅起到了机械研磨的作用,同时也充当了微型搅拌器的作用;通过实验分析了碱性浆料下磨料的浓度和粒径对镍磷基板CMP去除速率与表面粗糙度的影响;选用小粒径、低硬度的二氧化硅水溶胶磨料实现了较高的去除速率和较低的表面粗糙度.     

一种基于多属性决策的DDoS防护措施遴选方法

DDoS攻击是网络中最大的威胁之一,选取合适的防护措施,能够更加有效地保护目标网络和目标系统.现有的评价方法对于防护措施选择的指导性不足.针对该问题,首先构建了面向DDoS攻击的防护措施遴选模型(DCSM).在此基础之上,提出基于多属性决策的DDoS防护措施遴选算法.以多属性决策方法综合考虑各方面评估指标;从攻防两方面,以基于历史攻击偏好的方法和熵权法计算重要性权重,消除了传统评价方法中人为指定权重带来的主观性影响.提出的方法为防护措施的选择提供了参考,并通过模拟实验验证了方法的适用性和有效性.     

结合简短可链接环签名的智能合约选举方案

目前一些电子选举协议利用可链接环签名或一次性环签名来保护投票者的隐私,并防止重复投票的情况发生,但签名大小随投票人数的增大而增大,而简短可链接环签名大小始终固定不变,但已有简短可链接环签名算法效率较低。针对这些问题,利用累加器和基于知识证明的签名,构造新的高效的简短可链接环签名,结合匿名地址及星际文件系统,提出一种新的智能合约选举方案,分别设计了选举的创建、投票、计票等阶段的操作。对方案的不可伪造性、可链接性、匿名性、隐私性、公开验证性以及运行效率进行了证明和分析。最后进行了实验仿真评估,结果显示,随着投票者人数的增大,该方案选票的签名大小及Gas消耗保持不变且较少,生成时间及验证时间增长缓慢且较少。     

基于能力机会意图模型的网络安全态势感知方法

网络安全态势感知是提高安全管理员对网络整体安全状况掌控能力的重要技术手段。针对现有网络安全态势感知方法评估要素不够全面的问题,从攻击方、防护方、网络环境三方面出发构建了网络安全态势感知的能力机会意图模型,引入不确定推理模型解决了安全态势要素间的不确定影响关系,给出了能力指数、机会指数和意图指数的计算方法,并介绍了详细的网络安全态势感知方法。使用林肯实验室的公开数据集进行了实验,结果表明本文方法评估要素更为全面,评估结果符合实际情况。     

一种社交网络Sybil用户检测方法

对社交网络中广泛存在的“女巫攻击”(Sybil Attack)进行检测。通过对收集的近10万微博用户数据提取特征并进行分析,同时结合网络可信度,提出了社交网络Sybil用户检测方法。最后通过实验验证了该方法的有效性。     

碱性铜抛光液在65nm多层铜布线平坦化中的应用

为适应极大规模集成电路(GLSI)集成度按摩尔定律飞速发展的需要,同时解决国际酸性化学机械平坦化(CMP)技术存在的多项问题,本文研发了以多羟多胺为螯合剂的不含副作用大的苯并三唑(BTA)的碱性铜布线抛光液.实验结果表明:研发的碱性铜抛光液在常态下对铜几乎不反应(20/min),而在常压(2 psi)CMP下,能够快速地去除铜膜,去除速率(RR)高达8 235/min(工业要求5 000/min).凹处自钝化,凸处快速率,实现了高的平坦化效率.8层铜布线平坦化结果表明,60s可消除约1.162 m的高低差,且单层图形片基本实现平坦化(高低差<10 nm),抛光后表面粗糙度低(0.178 nm),表面洁净度高.