谈住宅用电的保护"接零"

我国民用住宅用电,普遍采用的是变压器中性点直接接地的380/220V三相四线制供电系统.“保护接零”在我国民宅中主要采用共用零线系统和专用接零保护线的供电系统,就这两种系统在实际民宅施工、布线上存在的问题和错误提出了解决的方法和注意事项.     

石灰回转窑供热节能优化改造

介绍了一种石灰回转窑的供热节能改造的控制方法,利用石灰吨灰耗能,石灰窑的周期产量,计算出石灰窑所需要的热能值。根据计算出来的热能值得出所需要的煤气流量和助燃风流量。达到稳定石灰窑的产品质量并减少煤气消耗的目的。     

珠海歌剧院超大地梁埋入式柱脚施工技术

对超大地梁内的埋入式柱脚施工技术进行了研究,柱脚锚栓全部在地梁内,地梁需要分2次浇筑。通过采用地梁箍筋后封闭的方法,合理布置面筋,保证了钢柱脚的吊装不受面筋的影响。解决了钢筋与钢柱脚相冲突的问题,取得了良好效果。     

凝固浴条件对PU/PVDF共混膜结构与性能的影响

用浸没沉淀相转化法,制得聚氨酯(PU)/聚偏氟乙烯(PVDF)共混膜,研究了凝固浴条件对共混膜形貌及性能的影响.结果表明,凝固浴为5%N,N-二甲基乙酰胺(DMAc)水溶液,膜中呈现海绵状孔结构;随凝固浴中乙醇或甘油含量的增多,孔结构向海绵状转变;乙醇或甘油的添加,使PVDF结晶在共混膜下表面与PU一起以界面孔的形式存...     

一种用于天文望远镜的低噪声CCD读出电路

设计了一种用于天文望远镜的低噪声电荷耦合器件(Charge Coupled Devices,CCD)读出电路.该读出电路主要包括电容增益电路、单端转差分电路、双斜率积分电路以及缓冲器电路.CCD读出电路采用SMIC 0.18μm1P6M CMOS工艺实现.后仿真结果表明,在电源电压3.3V,输入信号67kHz,输出信号80mV峰值时,输出信号动态范围86dB,等效输入噪声2.523nV/Hz1/2,整体功耗1.25mW.     

低压低功耗智能传感器模拟前端设计进展

介绍了国内外模拟前端低功耗设计的发展现状以及挑战。基于模拟集成电路功耗设计理论,对智能传感器模拟前端进行了分析,重点论述了模拟前端低功耗设计的特点以及系统级、电路级创新性的实现方法,展望了低压低功耗模拟设计技术的发展趋势。     

PTFE/CaCO3杂化中空纤维膜制备及其界面孔研究

以聚乙烯醇(PVA)和硼酸(H3 BO3)的凝胶体为纺丝载体,由聚四氟乙烯(PTFE)分散乳液通过凝胶纺丝法制备PTFE/PVA初生中空纤维,经烧结去除载体,得到聚四氟乙烯中空纤维膜.通过在成膜体系中引入纳米无机粒子碳酸钙(CaCO3),经后拉伸得到具有界面微孔结构的PTFE/CaCO3杂化中空纤维膜.研究了PVA和H3 BO3的络合机理,并讨论了CaCO3对杂化中空纤维膜性能及结构的影响.通过对膜的表面形貌观察表明所得PTFE中空纤维膜是一种均质膜,形成的界面微孔结构不同于PTFE双向拉伸产生的纤维-结点状裂隙孔结构,界面微孔的数量和孔径随着后拉伸倍数的增加呈增大的趋势.     

压力温度双敏性聚氨酯中空纤维膜通透性研究

以聚氨基甲酸酯(PU)为基质相,添加成孔剂及二氧化硅粒子,采用熔融纺丝法制得了具有对压力、温度刺激双重敏感的PU中空纤维膜;研究了膜的水通量随压力、温度的变化,对膜表面形貌进行了表征;并考察了中空纤维膜的截留性能。结果表明:制得的PU中空纤维膜为均质膜;膜孔径分布较窄,87.17%的孔集中在0.15～0.20μm。随着压力、温度上升或下降,膜的水通量相应增大或减小,水通量与压力、温度变化有着明显的相关性。经一次过滤,无机粒子清除率达98.52%～99.78%。     

亲水性多孔聚丙烯腈纤维的研究

将聚丙烯腈(PAN)与聚氧化乙烯(PEO)共混后湿法纺丝,经水洗后处理,制成具有不同微孔结构的改性PAN纤维,然后在NaOH溶液中水解,得到亲水性多孔PAN纤维(HM-PAN)。借助红外光谱和扫描电镜表征了HM-PAN的化学结构和形貌;讨论了HM-PAN的亲水性能和力学性能。结果表明:相同水解条件下,随PEO含量增大,HM-PAN中引入的亲水基团增多,表面形成的孔穴加深、数量增多,纤维的亲水性能提高;在相同PEO含量下,通过控制水解时间、HM-PAN的孔隙结构及亲水基团数量,可以提高HM-PAN对水分的吸收及转移性能。PEO质量分数为10%的HM-PAN试样的平衡吸水倍率可高达10.48 g/g,最大芯吸高度为13.5 cm,保水率高达98.1%。HM-PAN中微孔产生的应力集中以及大分子排列规整性的破坏,导致纤维的力学性能有所下降,而水解时张力的施加可有效降低其下降幅度。     

基于数值模拟的MOCVD反应器设计与优化

介绍了垂直喷淋式MOCVD反应器的最新计算机模拟仿真结果,并根据仿真结果对反应器的结构和参数进行了优化设计,应用在自行研制的用于GaN和四元化合物材料生长的设备中。