混凝土复合受扭构件的统一理论及承载能力设计方法

采用协调压力场 -变角空间桁架模型对复合受扭构件进行受力分析 ,建立了统一理论强度相关方程 ,并以此方程为基础 ,提出了新的复合受扭构件抗扭承载能力的设计公式     

笼形含能化合物热分解研究进展

笼形含能化合物因能量高、密度大而成为当前含能材料领域的研究热点,阐明其热分解机理对于深入研究其爆轰机理及提高热稳定性均有重要意义。以笼形骨架为线索,介绍了金刚烷衍生物、立方烷衍生物和异伍兹烷衍生物三类笼形含能化合物的热分解研究进展,总结了上述三类笼形化合物热分解规律:金刚烷衍生物热分解始于取代基且具有“桥头C”效应,立方烷衍生物热分解通常始于笼形结构的C?C键,多硝基异伍兹烷热分解一般始于脱硝基。后续研究应进一步丰富笼形含能化合物的种类,开展笼形化合物热分解的系统性研究,特别是笼状骨架的热分解机理研究。     

报纸排版中彩色图片的最优模式

在报纸的排版过程中,通常要进行彩色图片的处理.打开彩色图片时,它不是RGB模式的,即是CMYK模式的.那么在使用Photoshop时,是使用RGB模式,还是使用CMYK模式进行彩色图片处理才能达到最优的效果呢?本文就针对此问题进行浅述.     

RSD关断时间检测方法的改进研究

在脉冲功率的重频应用中,开关的关断特性是至关重要的,其关断时间直接决定了可以获得的最高重复频率。文中通过软件仿真分析了影响反向开关晶体管RSD(reversely switched dynistor)关断时间的因素,同时为了更准确地测得RSD的关断时间,在对其关断时间检测电路原理研究的基础上,提出了一种采用IGBT代替晶闸管(Thyristor)作为预充回路开关的改进测量方法。仿真结果表明RSD的关断时间随着器件少子寿命、主电流下降率dI/dt和工作电压的增大而增大。实验测得了正向阻断电压为2 000 V的RSD在IGBT开通时间分别为20μs、40μs和50μs下的电压电流波形及关断时间。     

钢筋混凝土复合受扭箱形截面构件基于双剪统一强度理论的分析

本文结合钢筋混凝土复舍受扭箱形截面构件的试验，应用适用于混凝土的统一强度理论推导了开裂扭矩的计算公式并进行了分析。     

IGBT串联均压方法综述

绝缘栅双极性晶体管IGBT(insulated gate bipolar transistor)在高电压场合应用时需串联使用满足电压需求。由于器件内部的性能差异和外围电路参数不一致等,引起IGBT模块之间电压不均衡问题,威胁其运行安全。综述了国内外IGBT串联均压方法的发展及其研究现状。根据均压方法机理的不同,将IGBT串联均压方法分为被动均压方法和主动均压方法两种,进一步将主动均压方法归纳为无源控制方法和有源控制方法两类。根据各类方法的基本电路拓扑分析了均压原理,梳理了不同方法在电路拓扑、参数选择和控制策略等方面的优化和最新进展。通过均压效果、附加损耗和可靠性等多方面对不同均压方法进行对比,被动均压方法拓扑简单不需外加控制电路更适合在低频应用场合,在高频应用场合中,准有源栅极控制法以单驱动与无源器件相结合的方式,具有良好的发展前景。最后对IGBT串联均压方法进行了展望。     

一个基于MPEG-7颜色与形状的图像检索系统

结合MPEG-7的颜色与形状两种描述符设计出了一个新的图像检索系统,利用MPEG-7提供的主颜色描述符及基于区域的形状描述算法--角放射变换(ART)对图像进行特征提取、描述.实验用MPEG-7的评价准则进行评判,由包括花卉、自然风景及商标组成的图像库进行测试,结果表明,综合这两种特征进行检索比使用单一特征取得的检索效果更佳.     

基于RSD的脉冲放电系统主回路仿真与试验

研究了基于RSD开关的脉冲放电主回路,应用ATPDraw软件仿真了不同主电容、主电压、负载电阻条件下的输出电流波形,并在测试平台上进行了相应的开通试验.试验研究了不同叠片片数和不同主电压下磁开关的输出电压波形,为其配合RSD使用、保证合适延迟时间提供了依据.进行了直径40mm的RSD管芯极限通流试验,200μs脉宽下获得峰值电流42kA,与经验公式吻合.计算和试验结果都反映了RSD开通电压随峰值电流增大而增大的趋势.     

A High Power Semiconductor Switch RSD for Pulsed Power Applications

High power switch is one of the most important components in pulsed power technology. The RSD （Reversely Switched Dynistor）, turned on by a thin layer of an electron-hole plasma, is a high power semiconductor switch. In this study, the RSD turn-on conditions were investigated by numerical analysis and device simulation as well as the experiments conducted to validate the turn-on conditions. A design of a triggering high-voltage RSD is presented based on a saturable transformer.