一种电子系统认证芯片的电源规划

为了对所开发的电子产品进行保护,采用ASIC的方法设计基于硬加密技术的电子系统认证芯片。在后端物理设计中,为了使最终的芯片实现面积优化且满足功耗、时序等要求,采用预设计的方法对芯片进行功耗预估与布线拥塞分析。根据分析结果提高了芯片利用率,并针对预设计中存在的电压降（IR Drop）违规进行了详细的电源规划．包括全局电源网络的连接、电源环和电源条的设计．最终满足了功耗要求,实现了时序收敛以及面积优化。     

表面形貌对定向氧化锌阵列场致发射性能的影响

采用热蒸发的方法生长不同形貌的ZnO纳米材料。通过调节反应温度和氧气流量,生长了梳状ZnO ,ZnO纳米针和ZnO纳米柱状。场致发射测试结果表明一维纳米ZnO材料的表明形貌对其开启电场和发射电流有很大的影响。ZnO纳米柱阵列的开启电场最低,电流密度最大。这是由于它与衬底的良好接触以及较弱的场屏蔽效应。实验结果表明ZnO纳米柱阵列是一种优良的场致发射器件的冷阴极材料。     

有机溶剂对氧化铋纳米结构形貌和场发射性能的影响

为了研究有机溶剂对化学合成法中生成的氧化铋纳米材料结构及场发射性能的影响,反应过程中,分别添加三个不同剂量的有机溶剂,获得三种产物。利用扫描电镜对其结构进行分析,并进行场发射性能测试,结果表明,线状的氧化铋纳米材料阴极阵列,开启电场最小,为2.6 V/μm,场增强因子最大,为2160,场发射性能最佳,手状结构的氧化铋纳米材料阴极阵列场发射次之,类手状结构最差,最后对有机溶剂对不同形貌产生的原因进行了分析。     

Na-Ti-Si氧化物Ti元素的化学状态分析

利用熔融方法制备了Na2O-TiO2-SiO2系统玻璃样品，用IR以及XPS等测试手段对系统玻璃样品结构进行了分析。结果表明：Na2O-SiO2-SiO2系统玻璃中Ti^4 离子可以部分地取代Si^4 离子的位置而以网络形成体的形式参与成玻。此外，通过对该系统玻璃的XPS钛元素的化学状态分析，认为该系统玻璃中Ti^4 离子存在[TiO4],[TiO6]等几种不同的微结构单元，并且随着玻璃中TiO2含量的增加，该系统玻璃中四方双锥结构的[TiO6]与正四面体结构的[TiO4]之比增大。     

溶胶-凝胶法制备全反射型CO2激光空芯波导的可行性分析

通过对CO2激光空芯导研究现状的分析,指出了全拓射型空芯导目前所面临的问题,在此基础上结合溶胶－凝胶法的特点,提出了用溶胶－凝胶法制备全反射型CO2激光空芯波导反常色散膜的新思想,并分析了其在原理、工艺及光学上的可行性。     

C/C复合材料摩擦性能研究

对国产C/C复合刹车材料进行了低速度低能载条件下的地面惯性动力试验,结果表明,C/C复合刹车材料在较低能量条件下具有较高的摩擦系数,在摩擦速度-摩擦系数关系图上,最高摩擦系数出现在12 m/s的摩擦初速度前后,同时对摩擦面比压进行调整,发现在低速刹车时,随着比压增加,摩擦系数下降.     

一种100V分离栅沟槽MOSFET的优化设计北大核心CSCD

把多个侧壁阶梯氧化层应用于分离栅沟槽MOSFET(Split-Gate Trench MOSFET,SGT结构),并把改进的结构称为多阶梯侧壁氧化层分离栅沟槽MOSFET(Multi-Step Sidewall Oxides Split-Gate Trench MOSFET,MSO结构),之后介绍了MSO结构的器件结构和制备工艺,重点借助TCAD仿真软件对MSO结构的外延层掺杂浓度、顶部侧氧厚度与底部侧氧厚度进行优化,最终仿真得到击穿电压为126V,特征导通电阻为30.76mΩ·mm^2和特征栅漏电荷为0.351nC·mm^(-2)的MSO结构.在近似相等的击穿电压下,与传统SGT结构相比,MSO结构的特征导通电阻及特征栅漏电荷均有所降低,这两项参数综合反映器件的优值(FOM=Qgd,sp×RonA)降低了39.6%.     

MOS栅氧的界面特性和辐照特性研究

通过交流电导法,对经过不同时间N₂O快速热处理(RTP)的MOS电容进行界面特性和辐照特性研究。通过电导电压曲线,分析N₂O RTP对Si-SiO₂界面陷阱电荷和氧化物陷阱电荷造成的影响。结论表明,MOS电容的Si-SiO₂界面陷阱密度随N₂O快速热处理时间先增加再降低;零偏压总剂量辐照使氧化层陷阱电荷显著增加,而Si-SiO₂界面陷阱电荷轻微减少。     

内型N-Boc-N-去甲托品硫醇的立体控制合成研究

以外型的N-Boc-N-去甲托品醇为原料,经甲磺酰化、S_N2取代反应和水解作用得到内型N-Boc-N-去甲托品硫醇,总收率为49%,结构经~1HNMR和ESI-MS确认。     

MEMS高量程加速度传感器压膜阻尼效果分析

为实现一种高量程加速度传感器的近临界阻尼设计以提高其输出性能,采用有限元方法分别研究了阻尼带隙宽度、阻尼介质特性及温度等对器件冲击性能的影响。结果表明:器件冲击响应是受迫振动与悬梁固有振动叠加;随着阻尼带隙变宽,悬梁固有振动渐突显,峰值电压增加;阻尼介质粘滞系数越大,其峰值电压越低;介质温度对器件输出特性影响不大。在常温空气介质中,过载保护曲面平移距离为0.5μm时,阻尼比为0.24,近临界阻尼,输出电压高达77.9mV。