市场需求变化与纳米粉体产业技术升级走向

纳米材料产业化技术的回顾 纳米粉体产业是纳米材料产业的一个组成部分，起步早，并且与传统粉体制备技术有一定的联系，高技术含量相对比较低。自20世纪90年代中期第一批纳米粉体产业建立以来，已有十多年的历史，已经能够生产出几十种纳米粉体材料，对我国传统产业产品的研发、升级起到了积极作用。     

百万电厂过热器减温水调节阀故障原因分析

皖能铜陵发电厂百万机组一、二级过热器减温水调节阀在运行中频繁出现填料函泄漏的问题。对减温水调节阀进行分析,找出主要原因。结果表明:填料函泄漏主要源于阀门结构。通过实验找出最佳控制方案,采取相应措施后取得了很好的效果,可为处理电厂大容量机组过热器减温水系统调节阀故障提供参考借鉴。     

Effects of nanosized metallic palladium loading and calcination on characteristics of composite silica

1　INTRODUCTIONThemotivationfortheresearchoncolloidalmet alparticlesstemmedfromtheiruniqueelectro opticalandelectrochemicalproperties[13] .Duringthe pastfew years,aflurryofactivityhasbeendirectedto wardsthepreparationofnanosizedmetallicparticlesduetolargeenhancementinthephysicalpropertiesofnanostructuredcompositescomparedtothebulk[4 6 ] .Therefore ,size dependentchangesinband gapener gy ,excited stateelectronicbehaviorandopticalspec traaregenerateddrasticallyfromthoseknownforthemolecularan…     

Ag—Cu纳米合金的微观结构

利用高分辨电镜（ＨＲＥＭ）对气相凝聚法制备的Ａｇ１－ｘＣｕｘ（０．０５≤ｘ≤０．４０）纳米合金样品中的微观结构进行了研究．结果表明，在所有合金样品中，都没有观察到明显的界面亚稳相的形成，且晶界具有有序的原子结构样品中两组元的等轴纳米晶粒分布均匀，但随着Ｃｕ含量的增加，Ｃｕ颗粒出现明显的偏聚和粗化；与稳定相相比，富Ａｇ和富Ｃｕ相的点阵常数没有发生显著的变化．     

Ni/SiO2纳米复合涂层的结构与光学性质研究

采用射频磁控溅射方法制备Ni/SiO2纳米复合涂层,获得了镍成分为7.25%(at)(LNi)、13.96%(at)(MNi)、19.20%(at)(HNi)3种复合涂层,研究了该复合涂层的组织结构与光学性质.结果表明LNi纳米复合涂层的晶粒尺寸为10～15nm,随着镍含量提高,涂层的晶粒尺寸增大,纳米Ni颗粒的形状发生变化;LNi复合涂层在300～350nm存在显著的光吸收,随着晶粒尺寸增大,光吸收边发生显著的红移.     

单晶氮化硅(α-Si3N4)纳米线的制备及其光学性能

介绍了用一种简单的气相合成方法制备出了大量高纯单晶氮化硅(α-Si3N4)纳米线,所形成的纳米线粗细均匀、表面光滑,直径为30～80nm,其长度可达数百微米.同时讨论了氮化硅纳米线的生长机理,其生长过程中气-固机制起主导作用.荧光测试结果表明,氮化硅纳米线的发光有一个宽的发光带(波长从500～700 nm),发光峰位于567 nm.     

我国发展纳米产业的思考:挑战和对策

2003年国际政治风云变化莫测,出现了一些不和谐的音符,但主旋律是发展。为了迎接21世纪的挑战,迎接新的产业革命,被称作为“小技术、大变革“的纳米技术,发展速度之快,对未来社会和经济发展影响的潜力之大,都超过了人们的预测。     

纳米颗粒材料研究的新进展

以应用需求为导向评述了纳米颗粒材料研究的新进展和发展趋势,主要包括可控制备技术、纳米颗粒的性能调控和优化、增强纳米效应的途径以及纳米颗粒材料对环境污染物的痕量探测治理领域的应用.重点报道了纳米颗粒材料在药物输送、肿瘤探测和治疗以及下一代高密度存储器件研究所取得的新成果.     

Al-Sn 合金中两个不同类型的内耗峰

Al-Sn 合金多晶样品中,在传统晶界峰的高温侧发现了两个不同类型的内耗峰(记作 P_1,P_2峰),它们在单晶中均消失,因而与晶界相关。P1与晶界峰有消长关系,对时效和退火温度敏感,仅在降温过程中出现,是过程峰,存在于 Al-0.008wt-%Sn 和 Al-0.0135wt-%Sn 多晶试样中;P_2与晶粒尺寸和样品尺寸相关,是稳定的内耗峰,存在于 Al-0.067wt-%Sn 和 Al-0.136wt-%Sn 多晶试样中。P_1,P_2峰分别来源于被Sn 原子非平衡偏聚的细晶界和含有 Al-Sn 沉淀粒子的粗晶界。     

纳米SnO_2固体的相变内耗和模量

系统测量了不同颗粒尺度纳米 SnO_2固体的内耗和模量,发现60℃附近存在一个内耗峰,对应的模量出现异常.烧结温度升高,峰高变化不明显,模量异常减弱.当烧结温度高于400℃时,模量曲线在-15℃附近出现异常,这种模量异常随烧结温度升高而加强,对应的内耗曲线出现一小峰.初步认为,60℃附近内耗峰和模量异常与纳米固体中的结构再有序有关,而-15℃处的模量异常为结构相变引起.