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回顾MeV离子注入的发展,可分为三个时期: 1.60年代 (1)首先是核物理学家将~3He离子注入Al[1],而固体物理学家将He离子注入不同半导体研制二极管[2];(2)接着Roosild(1968)[3]和Davies(1969)[4]研究了MeV注入Si的射程分布和电特性,以及Schwuttke及其合作者[5]对MeV注入Si的损伤和退火作了仔细的 相似文献
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1.前言1987年出现的α-SiC:H感光体与80年代初出现的α-Si:H感光体相比,具有在可见光区光敏性高、表面硬度大、热稳定好、无毒;而且还具有电阻率高、易于保存表面电荷、淀积率高、成膜速度快(10μm/小时)等优点。因此,它不仅作为感光体的表面保护层(SPL),而且,可用作载流子 相似文献
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