基于UX8交换芯片的机群互连网络设计

构造机群系统的互连网络要求具有高带宽、低延时、高可靠及容错等特性，而实现这些特性的关键是实现网络连接的交换部件和网络适配器。文章介绍了8端口交换芯片UX8和网络适配器的设计和实现方法，交换芯片采用虫洞路由流量控制方法减少对缓存空间的需求，切入交换机制减小数据包传送延时，同步信号传送方式提高了链路上的信号传送速率，源址路由方式支持任意拓扑结构的网络，FPGA实现表明其单端口单向带宽可达到1．6Gbit／s，延迟时间为240ns。网络适配器内含Intel公司的i960VH处理器作为通信处理机，在以DMA方式工作时，测得点到点数据传送带宽可达506Mbit／s。     

寒冷天气下车用发动机曲轴箱通风系统故障分析

随着国家排放法规要求越来越严格,曲轴箱通风系统对整车排放的影响越来越大,曲轴箱通风系统已经成为车用发动机重要组成部分。本文介绍了车用发动机曲轴箱通风系统在寒冷天气下的故障模式及故障产生机理,通过对标及分析,提出了几种对应的解决措施,主要包括:合理的曲轴箱通风系统呼吸管布置、增强曲轴箱通风系统的保温措施及增加电加热装置。     

寒冷天气下车用发动机曲轴箱通风系统故障分析

随着国家排放法规要求越来越严格,曲轴箱通风系统对整车排放的影响越来越大,曲轴箱通风系统已经成为车用发动机重要组成部分。本文介绍了车用发动机曲轴箱通风系统在寒冷天气下的故障模式及故障产生机理,通过对标及分析,提出了几种对应的解决措施,主要包括:合理的曲轴箱通风系统呼吸管布置、增强曲轴箱通风系统的保温措施及增加电加热装置。     

网络组建与维护一体化课程教学的改革与实践探讨

职业教育的主要目标是向国家培养高级的技术应用人才,这类人才的培养过程区别于其他的高等院校中以理论知识为主要学习目标的学生,主要着重人才专业技术运用的培养。为此,我国的职业技术学校在相关的教学技术和教学目标上要区别于其他的高等院校,做到创新的教育方式,为改善我国技术型人才缺少的问题贡献力量。我国通过大量实践教学中的探索终于得出网络组件一体化的课程教学模式,极大地提高了我国专业技术型人才的质量。基于此,文章通过对大量数据的收集和整理,得出该教学手段的意义,并通过对相关实际案例的分析得出了一体化教学的发展方向。     

碱性条件下FeCl_3-ZnCl_2铜藻基活性炭去除Cr(Ⅵ)

以铜藻为原料,采用FeCl_3和ZnCl_2作复合活化剂制备铜藻基活性炭(SAC-CA),通过正交实验考察了活化温度、活化时间、浸渍比等因素的影响,确定了最优制备条件,并对SAC-CA的理化性质进行表征。结果表明:SAC-CA的最优制备条件为活化温度500℃、活化时间3 h、m(FeCl_3)∶m(ZnCl_2)∶m(铜藻)为1∶2∶1,此时活性炭得率为32.15%。最优工艺下制得的SAC-CA比表面积为1 277.23 m~2/g,表面酸性官能团含量为2.5 mmol/g。在p H为8~10的碱性条件下,SAC-CA投加量为2 g/L,Cr(Ⅵ)初始质量浓度为20 mg/L时,SAC-CA对Cr(Ⅵ)的去除率95%,远高于ZnCl_2或FeCl_3分别作活化剂时的去除率,表明该法适于碱性体系下含Cr(Ⅵ)废水的处理。     

铸造多晶硅中铁的磷吸杂和氢钝化机理

应用微波光电导衰减仪的方法研究了在不同温度情况下引入铁沾污后再分别进行磷吸杂和等离子体增强化学气相沉积钝化处理对铸造多晶硅片电学性能的影响.实验发现:在中、低温(低于900℃以下)情况下被铁沾污后的多晶硅材料经磷吸杂处理后再结合氢钝化可以显著地改善材料的电学性能;而对于高温(1100℃)情况下被铁沾污后的多晶硅材料经磷吸杂处理后其少子寿命降低,使接着进行的氢钝化也没有明显效果.这表明磷吸杂和氢钝化可以有效地改善被铁沾污后的多晶硅的电学性能,但是改善的效果与铁在硅体内的不同存在形态有关.磷吸杂和氢钝化中只对以间隙态或以其他复合体形态存在的铁有明显的吸杂作用,而对于以沉淀形态存在的铁却没有作用;氢钝化在金属杂质被吸杂移走之后才是最有效的.     

单晶硅中过渡族金属镍对洁净区形成的影响

研究了过渡族金属镍在快速热处理作用下对直拉单晶硅中洁净区形成的影响.实验结果发现:硅中魔幻洁净区(MDZ)形成后,氧沉淀及其诱生缺陷能有效地吸杂金属镍;而沾污金属镍的硅中,随后的快速热处理工艺不能形成MDZ,硅片近表面出现大量沉淀.采用传统的内吸杂工艺,镍沾污的次序对洁净区的形成没有影响.实验表明由于硅片表面形成的镍硅化合物的晶格常数比硅小,所以在硅片近表面产生高浓度的空位,导致近表面的氧依然能够在MDZ工艺中形成沉淀.     

快速热处理工艺下直拉单晶硅中铜、镍对氧沉淀的影响

研究了快速热处理工艺下直拉单晶硅中过渡族金属铜、镍对内吸杂工艺中氧沉淀形成规律的影响.实验结果表明:在快速热处理工艺下,间隙铜对氧沉淀几乎没有影响,铜沉淀却能显著地促进氧沉淀的形成;而间隙镍或镍沉淀对氧沉淀的形成都没有影响.基于实验结果并结合氧沉淀的形核理论,对金属铜、镍对氧沉淀的影响机理进行了解释.     

气液两相流对中空纤维膜错流过滤过程的影响

采用聚偏氟乙烯(PVDF)中空纤维膜进行错流过滤试验,以中空纤维膜组件的膜通量、浑浊度以及高锰酸盐指数(CODMn)的截留率为考察指标,通过在过滤时添加曝气形成气液两相流,研究在气液两相流条件下曝气量、进水流量、跨膜压差等参数对中空纤维膜错流过滤过程的影响.试验结果表明:在一定范围内,膜通量随着曝气量增大而增大,曝气量...     

变温磷吸杂对多晶硅性能的影响

用微波光电导衰减仪(μ-PCD)研究了不同温度和时间的恒温和变温磷吸杂处理对铸造多晶硅片电学性能的影响。实验发现:变温吸杂明显优于恒温吸杂,特别是对原生高质量多晶硅;其优化的变温磷吸杂工艺为1000℃/0.5h 700℃/1.5h;而在高温恒温吸杂中,多晶硅少子寿命值反而显著下降。实验现象表明:磷吸杂效果主要是与过渡族金属的溶解、扩散和分凝有关。