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1977年,谢菲尔德不锈冶炼和连铸厂(SMACC)投产,最初属英国钢公司的一部分。从1992年开始,该厂归属英国-瑞典不锈钢公司阿维斯塔谢菲尔德集团。2001年该公司成为阿维斯塔波拉里特公司,由芬兰金属集团-奥托昆普控股。随后进行了较大规模的优化改造,这年1月阿维斯塔波拉里特公司更名为奥托昆普不锈钢公司。 相似文献
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InSb阵列探测芯片的感应耦合等离子反应刻蚀研究 总被引:1,自引:1,他引:0
利用感应耦合等离子(ICP)反应刻蚀(RIE)进行了InSb阵列芯片台面刻蚀,并利用轮廓仪、SEM及XRD对台面形貌以及刻蚀损伤进行分析。采用优化的ICP刻蚀参数,实现的刻蚀速率为70~90 nm/min,刻蚀台阶垂直度~80°,刻蚀表面平整光滑、损伤低。与常规的湿法腐蚀相比,明显降低了侧向钻蚀。台面采用此反应刻蚀工艺,制备了具有理想I-V特性的320×256 InSb探测阵列芯片,在-500 mV到零偏压范围内,光敏元(面积23 μm×23 μm)的动态阻抗(Rd)大于100 MΩ。 相似文献
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在蓝宝石上用MOCVD生长的材料制备了背入射Al0.42Ga0.58N/Al0.40Ga0.60N 异质结 p-i-n 太阳光盲紫外探测器. 从器件的正向I-V特性曲线计算了理想因子n与串联电阻RS分别为3和93Ω. 器件在零偏压下275nm峰值波长处的外量子效率与探测率分别为9%和4.98e11cm·Hz1/2/W,分析表明Al0.42Ga0.58N窗口层在275nm波长处的透过率仅为15.7%,是器件外量子效率和探测率偏低的原因之一. 相似文献
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在蓝宝石上用MOCVD生长的材料制备了背入射Al0.42Ga0.58N/Al0.40Ga0.60N异质结p-I-n太阳光盲紫外探测器.从器件的正向Ⅰ-Ⅴ特性曲线计算了理想因子n与串联电阻Rs分别为3和93?器件在零偏压下275nm峰值波长处的外量子效率与探测率分别为9%和4.98×1011cm·Hz1/2/W,分析表明Al0.42Ga0.58N窗口层在275nm波长处的透过率仅为15.7%,是器件外量子效率和探测率偏低的原因之一. 相似文献
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高功率微波武器作为一种"改变游戏规则"的新概念武器,一直是国防科技前沿跟踪的热点,其具有攻击速度快、转向灵活、作战成本低、全天候适用、目标信息化程度越高打击效果越好等特点,可用于毁伤雷达、预警飞机、军用计算机、战术导弹与隐身飞机的电子设备,使其性能下降甚至不能工作,从而破坏敌方武器的作战能力。本文主要介绍了美国、俄罗斯、欧洲各国高功率微波武器的研究和应用情况,阐述了高功率微波武器对抗技术途径。 相似文献
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研究和分析了200 kg和500 kg真空感应炉镁质(/%:97.60MgO、1.34CaO)、钙质(/%:98.70CaO、0.55MgO)和铝镁质(/%:85.57Al2O3、11.36MgO、2.47CaO)坩埚对所熔炼的Inconel 690镍基合金(/%:0.01~0.03C、27.0~31.0Cr、7.0~11.0Fe)中氧、硫含量的影响。结果表明,铝镁质坩埚冶炼的合金中氧含量最低,为(10~15)×10-6[O]和(50~60)×10-6[S];CaO坩埚冶炼的合金中硫含量最低,为10×10-6[S]和(27~48)×10-6[O];MgO坩埚冶炼的合金中氧、硫含量较高,为(50~60)×10-6[S]和(24~35)×10-6[O]。 相似文献
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真空感应炉冶炼含氮不锈钢的合金增氮工艺 总被引:1,自引:0,他引:1
试验研究了200 kg真空感应炉冶炼含氮不锈钢Cr13(0.04%~0.06%N)、Cr23Ni19(0.22%~0.28% N)和Cr22Ni9(0.15%~0.19%N)时,在(0.1~0.6)×105Pa氩气或氮气下加氮化铬(56.2%Cr、7.33%N)增氮工艺。结果表明,在氮气保护下加氮化合金,氮回收率为80%以上;在氩气保护下加氮化合金,氮回收率仅为10%。提高炉内氮气压力,控制合适的加入温度,加入小粒度氮化铬,氮的回收率可达100%。 相似文献