三元层状Ti2AlC陶瓷材料的合成制备研究

以Ti，Al，C微粉为原料，分别采用放电等离子(SPS)烧结工艺和热压工艺(HP)烧结制备Ti2AlC层状陶瓷材料。X射线衍射和扫描电镜(SEM)分析的结果表明：采用放电等离子(SPS)烧结工艺时，能够在1100℃的温度下制备高纯、致密Ti2AlC材料。采用热压工艺时，则很难合成高纯的Ti2AlC陶瓷材料。     

Synthesis of Ti2AlC by hot pressing and its mechanical and electrical properties

Ti2AlC bulk material was synthesized by hot pressing of mixture powders of TiC, Ti, Al and active carbon. The phase compositions of resultant product at different temperature were detected by X-ray diffractometer. The microstructures of the samples were observed by SEM. Finally, the mechanical properties and thermal properties of the sample at 1 400 ℃ were measured. The results show that high purity Ti2AlC material with little Ti3AlC2 can be synthesized by hot pressing 0.5TIC/1.5Ti/1.0A1/0.5C at 1 400 ℃. Ti2AlC exhibits high mechanical properties and metallic electrical properties. Its fractm＇e toughness is 7.0 MPa·m^1/2, its flexural strength is 384 MPa at room temperature, and its electrical conductivity is 2.56 × 10^6 Ω^-1·m^-1 at room temperature.     

热压烧结工艺制备Ti2AlC/Ti3AlC2陶瓷材料

以Ti，Al，C为原料，采用热压工艺制备出相组成为Ti2AlC/Ti3AlC2块体材料，合成材料的X—射线衍射和扫描电镜(SEM)分析的结果表明：当烧结温度为1400℃时，材料中的主晶相为Ti2AlC,大小为10μm的板状多晶体；而在1500℃的温度下烧结所得材料的主晶相为Ti3AlC2，其板状多晶体的晶粒尺寸平均约为20μm。     

放电等离子烧结工艺制备Ti2AlC材料的研究

以元素粉钛、铝、碳为原料，采用放电等离子烧结工艺在1100℃的温度下成功地制备了高纯、致密Ti2AlC材料。合成材料的x-射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)分析的结果表明：多晶体Ti2AlC形貌为板状结晶，晶粒大小平约为20μm，厚度在3—5μm。     

新型层状陶瓷Ti2AlC的合成和性能研究

国内外许多材料科学工作对层状陶瓷Ti2AlC的合成进行了大量的研究。他们分别采用了自蔓延（SHS），热压（HP），热等静压（HIP）等法，合成了该化合物，用HIP法能制备出高纯，致密的Ti2AlC陶瓷，最后，作以Ti/Al/C元素粉为原料，采用原位热压的方法，成功地合成了多晶Ti2AlC块状材料。     

图解资产世界

“一图解千言”，这是一个读图时代，电力企业也在迈入一个由信息技术构造的新的读图时代。在发电工程中，三维设计已经成为新的设计手段，在电网企业，EAM系统中的图形化设备管理工具则由于能够图解复杂资产世界而受到欢迎。     

掺Si对热压合成Ti2AlC/Ti3AlC2的影响及理论分析

采用热压工艺以Ti、Al、Si元素粉和活性炭为原料,分别以2.0Ti/1.1Al/1.0C(摩尔比)及以0.1和0.2mol的Si取代Al,合成了Ti2AlC/Ti3AlC2块体材料.通过建立Ti2AlC、Ti3AlC2和掺Si的计算模型,计算了平均原子净电荷和平均共价键键级.结果表明:以元素粉2.0Ti/1.1Al/1.0C为原料在1450℃热压60min合成只含有非常少量Ti3AlC2的Ti2AlC材料;当Si取代Al达到0.2mol时,作用非常明显,表现为使同一温度下Ti3AlC2含量增加而Ti2AlC含量减少.另外,应用掺Si后对原子净电荷和共价键键级的影响解释了实验结果.     

放电等离子烧结工艺制备Ti2A1C材料的研究

以元素粉钛、铝、碳为原料,采用放电等离子烧结工艺在1100℃的温度下成功地制备了高纯、致密Ti2AlC材料.合成材料的X-射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)分析的结果表明:多晶体Ti2AlC形貌为板状结晶,晶粒大小平均约为20μm,厚度在3～5μm.     

Ti3AlC2陶瓷材料的制备及性能研究

新型层状陶瓷材料Ti3AlC2结合了金属和陶瓷的许多优异性质，既具有与金属相似的良好的导热、导电性，良好的可加工性，相对柔软，抗热震性好，可塑性变形等；同时又具有与陶瓷相似的抗氧化、耐腐蚀、耐高温等特性；并且还有很好的自润滑性和超低摩擦系数，被认为在许多领域有着广泛的应用前景。     

反应烧结碳化硅研究进展

对有关反应结合碳化硅(RBSC)材料的研究进展作了综述,并对存在的问题和今后可能的发展方向提出了自己的见解,包括:进一步提高性能;降低游离硅含量,提高使用温度;提高材料的可靠性和稳定性;低成本化.