首页 | 官方网站   微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   135篇
  免费   21篇
  国内免费   22篇
工业技术   178篇
  2023年   3篇
  2022年   6篇
  2021年   4篇
  2020年   2篇
  2019年   2篇
  2018年   3篇
  2017年   4篇
  2016年   4篇
  2015年   7篇
  2014年   10篇
  2013年   10篇
  2012年   10篇
  2011年   6篇
  2010年   9篇
  2009年   8篇
  2008年   5篇
  2007年   7篇
  2006年   13篇
  2005年   9篇
  2004年   7篇
  2003年   5篇
  2002年   5篇
  2001年   3篇
  2000年   1篇
  1998年   5篇
  1997年   5篇
  1994年   2篇
  1993年   2篇
  1992年   1篇
  1991年   1篇
  1990年   1篇
  1989年   7篇
  1988年   1篇
  1987年   1篇
  1986年   2篇
  1985年   2篇
  1984年   1篇
  1983年   1篇
  1982年   1篇
  1981年   1篇
  1980年   1篇
排序方式: 共有178条查询结果,搜索用时 13 毫秒
1.
目的:获得以阿魏酸为底物产生香兰素的菌株及最佳发酵工艺条件。方法:以高温大曲为样品,筛选能以阿魏酸为底物产香兰素的菌株,进一步利用摇瓶发酵试验对高产菌株进行单因素试验和正交优化,确定发酵产香兰素的最佳工艺。结果:通过分离筛选得到的高产菌株B2-12经16S rDNA鉴定为枯草芽孢杆菌(Bacillus subtilis)。通过单因素和正交试验优化确定菌株B2-12以阿魏酸为底物转化香兰素的最佳条件为装液量44%、pH 10、43 ℃、摇床转速160 r/min、发酵4 d,发酵液中的香兰素质量浓度达到(34.5±0.16) mg/L。结论:菌株B2-12能以阿魏酸为底物产生香兰素,具有应用潜力。  相似文献   
2.
平煤八矿二水平轨道下山绞车房硐室,采用锚(索)网喷支护以后,硐室两帮开裂、顶板喷层脱落且底鼓严重。采用理论分析、数值模拟的方法,对硐室围岩稳定性进行了分析。研究结果表明,硐室围岩岩性差、地应力高和采动影响是造成硐室围岩收敛和底鼓严重的主要原因。为此,提出了钢丝绳网锚杆支护-底板卸压槽-围岩注浆联合支护新方案,通过现场工业性试验表明,该方案能够有效地控制硐室围岩变形问题。  相似文献   
3.
针对平舒煤矿新建封闭式气膜煤棚内部瓦斯安全与通风控制问题,通过构建气膜内部流场CFD模型仿真得出瓦斯和气流在气膜煤棚内的分布和运移规律,进而优化设计气膜瓦斯传感器监测点和通风控制系统,提出封闭式气膜煤棚通风多变量模糊控制技术,该通风技术可有效控制气膜煤棚内瓦斯和压力。  相似文献   
4.
本文利用高波数分辨率的显微喇曼方法测量了AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管(HEMT)的沟道温度。利用显微喇曼系统JYT-64000测量了GaN材料E2模的喇曼声子频率的温度特性。通过洛仑兹拟合方法,喇曼声子频率的实际测量不确定度为?0.035cm-1, 对应于GaN材料温度精度为?3.2℃,为国际所见报道的最高水平。测得的AlGaN/GaN HEMT样品的沟道-管壳热阻为22.8℃/W,与三维热传导模型的仿真结果吻合良好。给出了由显微喇曼方法、脉冲电学法及红外热像法测量出的沟道温度差别的定量分析。  相似文献   
5.
高立  廖之恒  李世伟  郭春生 《半导体技术》2017,42(11):833-837,843
用现有的红外法测量的GaN基HEMT器件结温,比实际最高温度点的温度低.而用喇曼法测量结温对设备要求高且不易于操作.针对现有技术对GaN基HEMT器件结温的测量存在一定困难的问题,设计了一款HEMT器件匹配电路.利用红外热像仪测量HEMT器件的结温升高,并结合物理数值模拟仿真,提出一种小尺寸栅极结温升高测量方法.结果表明,建立正确的仿真模型,可以得到不同栅极长度范围内的温度.通过这种方法可以测量出更接近实际的结温,为之后研究加载功率与壳温对AlGaN/GaN HEMT器件热阻的影响奠定了理论基础,并且为实际工作中热特性研究提供了参考依据.  相似文献   
6.
视频运动目标的检测是目标分类和行为理解等后续处理的基础。本文提出一种复杂背景条件下基于置信传播(BP)的视频运动目标检测算法。该算法依据视频背景的空间和时间相关性,分别定义了视频背景的空间和时间能量函数,完成视频运动目标的优化检测。利用置信传播算法在相邻像素之间的信息交换来实现能量最小化,不同背景条件下的实验结果验证了该算法的有效性和准确性。  相似文献   
7.
The failure mechanism stimulated by accelerated stress in the degradation may be different from that under normal conditions, which would lead to invalid accelerated life tests. To solve the problem, we study the re- lation between the Arrhenius equation and the lognormal distribution in the degradation process. Two relationships of the lognormal distribution parameters must be satisfied in the conclusion of the unaltered failure mechanism, the first is that the logarithmic standard deviations must be equivalent at different temperature levels, and the second is that the ratio of the differences between logarithmic means must be equal to the ratio of the differences between reciprocals of temperature. The logarithm of distribution lines must simultaneously have the same slope and regular interval lines. We studied the degradation of thick-film resistors in MCM by accelerated stress at four temperature levels (390, 400, 410 and 420 K), and the result agreed well with our method.  相似文献   
8.
首先以薄荷基甲酸与亚硫酰氯为原料,制得薄荷基甲酰氯;然后以薄荷基甲酰氯和L-薄荷醇进行反应,用无水吡啶为溶剂和缚酸剂,一锅法制得薄荷基甲酸薄荷酯。通过单因素实验和正交试验设计确定优化条件为:n(L-薄荷醇)∶n(薄荷基甲酸)=1∶1.5,n(L-薄荷醇)∶n(无水吡啶)=1∶6,反应温度为60℃,搅拌反应3 h,平均收率达83.91%。得到的目标产物经过IR,1HNMR及MS对其结构进行确认,通过感官评价可知薄荷基甲酸薄荷酯具有较好生理凉感,味觉凉感阈值为1.5 mg·L-1,100 mg·L-1的薄荷基甲酸薄荷酯溶液浸渍的滤纸条能在口中维持凉感的持续时间约为20 min。  相似文献   
9.
基于Arrhenius模型快速评价功率VDMOS可靠性   总被引:2,自引:0,他引:2  
基于Arrhenius模型,对功率器件垂直导电双扩散(VDMOS)场效应晶体管的可靠性进行了评价,并对其主要失效机理进行了分析.通过样管在不同结温下的恒定温度应力加速寿命实验,利用Arrhenius方程和最好线性无偏差估计法(BLUE)对结果进行数据处理,得到其失效激活能E=0.54 eV,在偏置VDs=7.5 V,IDs=0.8 A,推导出功率VDMOS在室温下工作的寿命特征值为3.67×106 h.失效分析发现,栅极累积失效是影响功率VDMOS漏源电流,IDs退化的主要失效机理.  相似文献   
10.
针对功率VDMOS真空下壳温显著升高的问题,对安装叉指形散热器的功率VDMOS进行了三维建模和温度场模拟分析,研究了其在大气与真空环境下的散热模型。真空环境下功率为10 W、散热片面积为278.42 cm2时,VDMOS壳温较大气下升高了89.8℃。找出了VDMOS大气及真空下壳温与工作功率及散热器表面积之间存在的关系,并进行了相应实验,利用公式计算出的器件壳温与实验壳温的最大差值,大气下不超过2℃、真空下不超过3℃,皆未超过5%,该公式可以作为功率VDMOS应用及热设计的参考依据。分析了真空环境下,功率VDMOS壳温显著升高的原因,并提出了改善措施。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司    京ICP备09084417号-23

京公网安备 11010802026262号