不同热处理工艺对TC20钛合金棒材组织和力学性能的影响

研究了不同热处理工艺对TC20钛合金棒材显微组织和力学性能的影响。结果表明：TC20钛合金经过两相区固溶+时效处理后得到双态组织,通过控制固溶冷却方式以及时效温度可调整初生α相含量以及次生α相含量和尺寸,改善其强度和塑性的匹配。采用940℃/1 h/WQ+700℃/30 min/AC+550℃/6 h/AC三重热处理工艺,在保证强塑性较佳匹配的同时,可以有效解决棒材直线度问题。     

聚苯硫醚的性能及在防腐蚀涂层上的应用

较详细地介绍了聚苯硫醚(PPS)的性能、发展概况及在防腐蚀领域的应用前景。根据实践经验叙述了PPS的喷涂工艺，总结分析了影响PPS涂层施工质量的主要因素及解决办法。     

3,4-双(4''''-氨基呋咱基-3'''')氧化呋咱的合成及性能

以丙二腈为起始原料,经亚硝化、重氮化、缩合等反应合成出3,4-双(4′-氨基呋咱基-3′)氧化呋咱(DATF),总收率为50%.经测定,DATF的部分理化及爆轰性能为: 密度1.795 g/cm3,熔点170～171 ℃,爆速7 177 m/s(1.530 g/cm3),热分解温度260 ℃,摩擦感度8%(90°摆角),撞击感度60%(10 kg,25 cm),真空安定性(5 g样品,100 ℃,48 h),放气量0.4～0.7 mL.采用差热扫描(DSC)法,测定了DATF的热稳定性及DATF同NC,RDX,HMX和NC/NG体系的相容性.结果表明,DATF具有较好的热稳定性和较低的感度,与RDX,HMX,NC和NC/NG体系有较好的相容性.     

在LaNiO_3衬底上（Pb,La）TiO_3铁电薄膜的制备和研究

首先通过金属有机化合物热分解（MOD）法在Si（100）基片上制备出LaNiO3（LNO）薄膜,再通过溶胶-凝胶（sol-gel）法,在LNO/Si（100）衬底上制备出（PbxLa1-x）TiO3（PLT）铁电薄膜。经XRD分析表明,LNO薄膜具有（100）择优取向的类钙钛矿结构,PLT/LNO/Si薄膜具有四方相钙钛矿结构,同时以（100）择优取向。最后对薄膜的介电性和铁电性进行了测试,发现薄膜介电常数适中,铁电性良好。     

多级时效处理对7175铝合金组织和性能的影响

采用拉伸试验、电导率测试及电镜观察等方法,研究了重固溶后再经低温-高温-低温(LHL)多级时效处理对7175铝合金组织与性能的影响。结果表明,经过LHL处理以后,材料的性能有所提高。经过480℃×2h+85℃×12h+160℃×90m+130℃×9h处理后,能得到最佳的综合性能。当7175铝合金晶内析出相为更多更细小的GP区和小尺寸的η′相,晶界析出相尺寸较大且间距越大时,材料将对应着良好地综合性能。     

红外热释电探测器的微图形化研究

红外热释电探测器的关键是敏感元的研制，而敏感元主要是由具有一定图形的铁电薄膜和上下电极构成。采用半导体光刻工艺，利用化学腐蚀法成功地对PZT铁电薄膜进行了刻蚀，同时采用剥离技术对相应的电极实现了图形化。     

一种柔性染料敏化太阳能电池的初步研究

染料敏化太阳能电池(DSSC)与商用硅电池相比,由于具有转化效率较高、制作成本低等一系列优点,近年来已受到人们的广泛关注.简要介绍了DSSC太阳能电池的结构和基本原理,重点分析了DSSC太阳能电池的关键组成和影响光电转化效率的因素.采用胶带涂覆法在柔性ITO衬底上制备了多孔纳米TiO2薄膜,通过给其配置相应的染料和电解...     

化学水浴法制备CdS薄膜退火工艺的研究

基于化学水浴沉积法以硫脲为硫源,醋酸镉为镉源,氨水作为缓冲剂,制备太阳能电池用半导体薄膜硫化镉(CdS),研究不同的退火温度和是否涂敷CdCl2溶液对CdS薄膜的影响。采用X线衍射仪、电子扫描电镜和紫外/可见光分光光度计研究了不同退火工艺对硫化镉薄膜的结构、形貌及光学特性的影响。实验表明,悬涂CdCl2溶液退火处理可明显改善CdS薄膜的结晶及其光学性质,最佳退火温度为400℃,退火时间为60min。     

计算机辅助(自动)工艺过程编制(CAPP)的研究与发展

前言 将近20年前,世界上开始出现了计算机辅助工艺过程编制(Computer Aided Process Planning,缩写为CAPP)这一新的技术领域,并逐渐引起了越来越多人们的重视。进入八十年代以来,在世界上许多国家,尤其是工业发达国家中,逐渐形成了发展CAPP的热潮。这些国家中为数众多的高等院校、研究机构和企业已经进行了和正在进行着大量的有关CAPP方法性研究和CAPP系统的开发工作。CAPP的研究成果和新的CAPP系统不断提出。综合性的国际学术会议已满足不了各国学名在CAPP方面交流的需要。近几年接连举行了多次CAPP专题性国际学术讨论会,如1985年1月CIRP举行了计算机辅助工艺过程编制专题学术研讨会;11月美