基于光子带隙(PBG)结构的小型K波段谐振式带通滤波器

提出了一种新的基于光子带隙结构的K波段谐振式带通滤波器，给出了近似设计公式，并在半导体衬底上，采用微电子的工艺实现了这种结构。这种滤波器设计方法简单，体积小，整个长度接近谐振频率上的导波波长，加工方便，便于与其他电路集成，带内损耗小，阻带范围宽，带外抑制高。另外，本文的理论分析和实验结果均基于半导体衬底，可以直接应用于微波集成电路中。理论模拟与实际测量值基本吻合。     

新型微波有源滤波器综合方法

本文给出了一种新颖的微波有源滤波器的拓扑结构及综合方法，并对有源滤波电路进行了计算机模拟，结果表明本文给出的微波有源滤波器电路具有优良的的窄带滤波特性，通带内正向增益大于１０ｄＢ，带外抑制大于３０ｄＢ。     

一种新型L波段带通滤波器的设计

本文给出了一种具有平行耦合线分裂环谐振器式Ｌ波段带通滤波器的近似设计方法及实验结果。这种滤波器结构简单，宜用于微波单片集成电路。     

基于简化状态轨迹的半桥LCC谐振变换器无噪声Burst模式控制策略

半桥LCC谐振变换器在轻载工作模式下,其高开关频率和谐振腔中较大的无功电流会显著降低变换器的工作效率.Burst模式是一种可有效提高变换器轻载效率的方法.但传统Burst模式会造成谐振腔电压电流剧烈振荡进而增加损耗,甚至引发变压器饱和.该文推导半桥LCC变换器不同模态的简化状态子轨迹.在此基础上,提出半桥LCC变换器的Burst模式简化状态轨迹控制策略.该策略通过控制半桥开关管的开关时间,保证半桥LCC变换器谐振腔无振荡,使变换器稳定可靠地工作在高效率状态.此外,针对极轻载条件下Burst模式的噪声污染问题,该文基于半桥LCC变换器Burst模式的简化状态轨迹,进行能量求解和改进控制,保证半桥LCC变换器Burst模式工作频率在人耳敏感的频带以外,抑制噪声的产生.最后,搭建实验装置对所提出的半桥LCC变换器Burst模式进行实验验证.实验结果证明,上述方法显著提高了半桥LCC变换器的轻载工作效率,消除了谐振腔的剧烈振荡和噪声污染.     

一种改进阈值的平移不变量雷达信号去噪方法

分析了软硬阈值去噪方法的缺点,提出一种改进的阈值去噪方法,最后提出基于这种改进阈值函数的平移不变量小波去噪方法.该方法可克服软、硬阈值的缺陷,同时抑制阈值法去噪时产生的伪吉布斯(Pseudo-Gibbs)现象.利用该方法对仿真信号和实测雷达信号进行了处理.结果表明,与传统的阈值方法相比,该方法具有更好的去噪效果,可提高目标的检测性能.     

ARM与DSP在车流量检测系统中的应用

简介了车流量检测系统，设计了ARM与DSP通信的方案。该方案充分利用了DSP的HPI接口功能实现了主机ARM实时读，写DSP片内任意存储单元的内容，给出了硬件连接图和软件代码。该方案已应用于车流量实时检测系统中，经验证是有效且实用的方法。     

基于0.25μm GaAs PHEMT工艺的32GHz毫米波单片功率放大器

设计、制造和测试了基于0.25μm栅长GaAs工艺的32GHz毫米波单片功率放大器.该功率放大器采用三级放大,工作电压为6V,工作电流为600mA.带内最大小信号增益为17.4dB,在32GHz具有0.5W的饱和功率输出.     

一种K波段GaAs MESFET压控振荡器的设计

利用微波晶体管的负阻特性,基于Agilent ADS软件,设计出一种K波段微带结构、变容管调谐的MESFET压控振荡器(VCO)。对VCO进行实测．结果表明,VCO的中心频率为20.56GHz,调频带宽大于100MHz,带内输出功率大于2mW,相位噪声大于-90dBc／Hz@100kHz,满足实际应用。     

基于高阻硅衬底的微波传输线和数字移相器

在高阻硅衬底上微波传输线以及工作在7.5～8.5GHz频带的四位数字移相器.测试表明,在高阻硅衬底上制备的50Ω微带线在5～15GHz频率范围内的插入损耗低于0.8dB/cm;在同样衬底上用混合集成技术制作的7.5～8.5GHz四位数字移相器的各状态插入损耗为(7.5±3)dB,回波损耗大于12dB,均方根(RMS)相位误差小于5°.具有良好的微波器件性能.     

两种不同结构InGaP/GaAs HBT的直流特性分析

InGaP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)是当前微波毫米波领域中具有广阔发展前景的高速固态器件,其直流特性是器件重要参数之一.本文采用Medici软件对两种InGaP/GaAs外延结构HBT的直流特性和高频特性进行了模拟计算,并实际制备出了两种材料结构的大尺寸(发射极面积100μm×100μm)双台面InGaP/GaAs HBT器件,对其直流特性进行了测试和分析,两种外延结构的器件共射直流增益分别为50和350,模拟得其最大截止频率分别为8和10GHz.