空间高效硅太阳电池减反射膜设计与数值分析

结合AM0太阳光谱特性对空间硅太阳电池的减反射膜进行了设计分析,得到了最小反射时的最佳膜厚.分别讨论了单、双、三层减反射膜厚度变化对反射率的影响,并对有钝化层的Si O2 (94 nm) / Ti O2 (6 0 nm)双层减反射膜进行了优化设计,优化后硅太阳电池的短路电流和效率分别提高了2 .1%和1.4 % .     

不同牌号丁苯橡胶的耐低温性能研究

研究3种牌号丁苯橡胶(SKMS-10,SL-4525-0,SBR1502)的硫化特性、物理性能和耐低温性能。结果表明:SKMS-10具有优异的耐低温性能,生胶的玻璃化转变温度(T_g)为-73.3℃,硫化胶的T_g为-59.8℃,适于在极寒条件下使用;SL-4525-0胶料的F_max-FL较大,硫化胶的拉伸强度为19.3 MPa,撕裂强度为53 kN·m^-1,T_g为-48.6℃,具有优异的综合性能;SBR1502硫化胶的拉伸强度高达24.9 MPa,撕裂强度为49 kN·m^-1,但T_g为-38.4℃,耐低温性能较差,适用于载荷较大且耐低温性能要求不高的橡胶减振制品。     

采用主监视窗扩展技术的增强现实三维注册方法

在增强现实三维注册中,采用重新检测策略时顿卡现象严重。提出一种采用主监视窗扩展技术的增强现实三维注册方法。在检测阶段,引入特征点可信度和主监视窗,并设计主监视窗的分割、扩展和调控策略,大幅提升了计算速度;在跟踪阶段,采用基于图像金字塔的光流算法进行特征点跟踪。实验证明,该方法不仅有效缓解了顿卡现象,也提升了系统整体的实时性。     

浅谈完善建筑工程招标投标监督管理机制

建筑工程招标制度的实行、有形建筑市场的建立,对规范建筑市场秩序起到了积极作用,但是,由于建筑工程招标投标监督管理机制不够完善,围标串标现象仍然普遍存在,而且难以界定,严重扰乱了建筑市场的正常秩序,损害了国家利益、社会公共利益和其他投标人的合法权益。因此,监督管理部门必须加以研究解决,完善机制,切实遏制围标串标现象和腐败行为。     

循环冷却水系统清洗预膜总结

介绍了合成循环冷却水系统开车前清洗预膜的工艺过程.预膜阶段首次选用非磷-锌系类配方,采用全有机配方缓蚀阻垢剂作为预膜剂,使用浓度为正常投加浓度的5～6倍.通过预膜过程关键点的控制,换热设备的预膜取得了良好的效果,对于开车后碳钢设备的保护提供了有力的保障.     

基于多特征相似度曲线曲率检测的关键帧提取

网络多媒体的迅猛发展和普及使得对海量视频信息进行快速和低成本管理的需求日益迫切,而关键帧可以大大减少视频索引的数据量,同时也为查询和检索视频提供了一个组织框架。针对现有关键帧提取算法存在的特征选取单一、阈值选择困难和视频类型局限性等问题,提出了一种基于多特征相似度曲线最大曲率点检测的关键帧提取方法。算法利用多特征融合的相似性度量来捕获视频内容的显著变化,弥补了单一特征对视频内容描述不充分的不足,且基于滑动窗口的检测算法无需阈值选择,可以实时、局部地提取关键帧,解决了传统算法计算量大、通用性差的问题。最后通过实验利用一种保真度评估标准验证了该算法的有效性。     

统计质量技术让信息化建设更有价值

中国正在努力逐步由“制造大国”转变为“智造大国”,而在这种转变的过程中面临着很多实际的挑战,比如全球金融危机的影响、劳动力成本的上升以及人民币汇率的提高等。诚然,这些对于很多企业来说或许都是不利因素,不过不可否认的是,今天的企业也拥有了过去不曾有过的优势,那就是日趋成熟的信息化手段,这使得企业的生产方式发生了很大的变化。     

地图图幅整饰自动化技术

基于地理信息系统(GIS)平台二次开发的地图图幅整饰不利于移植及功能扩展,针对该问题,分析地图图幅整饰自动化中图廓、方里网、经纬网、注记等内容的实现过程,从底层开发相应的地图图幅整饰库.对现有GIS平台地图图幅整饰功能进行改进,使地图图幅整饰功能不依赖特定GIS平台.该技术可以在土地规划应用中提高制图效率,并能与其他G...     

一种红外成像导引头通用信息处理平台

红外成像导引头集光机电于一身,设计难度大、研制周期长。为了缩短导引头研制周期、降低开发成本,提出一种通用的信息处理平台方案。本方案采用FPGA+DSP架构,有较强的通用性,易于维护和扩展,可以在原理样机阶段迅速搭建硬件平台,用于系统验证和弹载软件调试,并为后续的产品研制提供有力支持。     

Zn还原法制多晶硅副产物ZnCl_2的电解回收

Zn还原法制多晶硅会产生大量的ZnCl2副产物,在不添加其他辅助电解质情况下,成功利用ZnCl2熔盐制备出了Zn,纯度可达70.74%,验收了工艺的可行性。结果表明,在400～550℃范围内,随着电解温度的升高,熔盐电导率逐渐升高,有利于电解反应。但是继续升高温度至700℃时,ZnCl2蒸气压迅速上升到63.204kPa,挥发造成损失十分严重,且易堵塞出气管,反应温度控制在550℃左右较合适。另外,此工艺由于受ZnCl2本身属性的约束,离产业化还有一定距离。