MTR—12录音机的调整

ＭＴＲ－１２是我台较早引进的进口模拟录音机之一，在当今“数字技术”的疯狂冲击下，在我台录音和制作节目中，依然起着重要的作用，并将继续起它的作用，在工程技术人员每次对它进行测试、调整、维护、修理后，依然有着新的体会和收获。为此，我们对ＭＩＲ－１２录音机的系统测试、调整方法进行了进一步的整理。     

大型筒仓风应力问题

对Ｆｌｕｇｇｅ圆柱壳理论作了一些具体的补充和完善，并把风荷载视为各级谐量组合形式，给出了相应的筒仓边界条件，然后分别求解再叠加而得出筒仓的位移和内力。     

面向不同传感器与复杂场景的人脸识别系统防伪方法综述

人脸识别技术作为一项重要的生物特征识别技术,在人们的日常生活中得到广泛应用。尽管人脸识别技术已取得明显进展,但当前的人脸识别系统仍容易受到非法用户的恶意攻击,因此人脸防伪技术成为人脸识别过程中必不可少的一个环节。在简述人脸防伪概念及常见攻击类型的基础上,分析人脸防伪方法的主要建模思路,从面向不同传感器与面向复杂场景的人脸识别系统防伪方法切入,分类阐述不同人脸防伪方法的基本原理及发展脉络。总结公开人脸防伪数据库,分析比较代表性防伪方法及其性能表现,并对人脸防伪问题的未来发展趋势进行展望。     

双参数弹性地基板的动力问题

针对目前带自由边的双参数弹性地基板的边界条件及基本方程在使用上的混乱情况,为了板与地基动力相互作用理论的严密性和计算的可靠性,将板和地基作为一个总系统,利用H am ilton动力变分原理,重新系统地审视了双参数弹性地基上板动力问题的基本理论,给出了地基附加质量影响的明确计算公式,建立了考虑地基附加质量影响的基本方程和边界条件,并对边界条件的简化进行了讨论.所得的结果还可推广到位于层状地基上的板的分析.     

弹性地基上各向异性平行四边形板

推导出弹性地基上各向异性平行四边形板的控制微分方程和内力方程。并利用对称性将其分解成中心对称和中心反对称两个问题,进而对每个问题给出了两个齐次解和一个特解,通过叠加而得到用重傅立叶级数表示的全解,该解克服了过去人们用重傅立叶级数仅在一个方向用一种级数(正弦或是余弦函数)表示导致的弊端。另外还给出了加快傅立叶级数收敛速度的计算公式。     

IC平台专用标准产品的快速定制化

当前数量飞速增长的嵌入式软件及最近的电子掩膜可编程嵌入式门阵列定制了专用标准产品(ASSP)。文中所提出的方案致力于解决两方面的问题一是对较高灵活性的高度要求;二是对缩短产品生产周期的需求。这可以从使用单个通道可编程逻辑和相应的软硬件协同设计流程来解决。采用0.3μm的CMOS工艺,系统所需的硅片面积为23mm2。嵌入式通道可编程逻辑大约占系统总面积的30%。     

成层地基一维土层地震反应解析

基于改进的一维剪切梁模型，对成层土层推导了确定自振频率、振型函数、参与系数及稳态动力响应的封闭型解析表达式．首次证明了成层土层振型函数的正交性，最后应用本解析解对一个算例进行了计算，得到了土层的最大地震反应值(位移、加速度、剪应力)．     

利用扫描探针显微镜研究Co量子有序阵列的特性

采用交流电化学沉积法,在小孔径的阳极氧化铝模板里,成功制备了Co磁纳米线有序阵列。通过机械抛光、化学抛光工艺,样品表面平整度可达到±10nm/μm2左右。采用透射显微镜(TEM) 扫描探针显微镜(SPM)观察了样品的表面形貌、Co纳米线的微观形貌和与形貌对应的磁畴图像。结果表明,纳米磁记录阵列膜里的每一根Co纳米线均为单畴结构,磁畴分布非常有序且与氧化铝微孔的形貌分布一一对应,畴的大小随磁力针尖离样品的高度不同略有变化;在一定的高度范围内,磁针离样品的高度和扫描速度不影响观察到的磁畴分布。样品在2T的外场下磁化后,大多数磁矩发生了反转。发现了相邻位之间磁畴的磁矩取反现象,这种阵列膜具有量子磁盘的原型结构。制备的阵列结构孔密度可达1011/cm2,如果每一个单畴存储二进制单元的一个信息位,相应的存储密度应达100Gbit/in2以上。该纳米磁记录阵列,有望成为新型的超高密度量子磁盘。     

基于0.35μm CMOS工艺的APD器件仿真分析

提出了一种基于0.35μm CMOS工艺的、具有p+/n阱二极管结构的雪崩光电二极管(APD),器件引入了p阱保护环结构.采用silvaco软件对CMOS-APD器件的关键性能指标进行了仿真分析.仿真结果表明:p阱保护环的应用,明显降低了击穿电压下pn结边缘电场强度,避免了器件的提前击穿.CMOS APD器件的击穿电压为9.2V,工作电压下响应率为0.65 A/W,最大内部量子效率达到90％以上,响应速度能够达到6.3 GHz,在400～900 nm波长范围内,能够得到很大的响应度.