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1.
硅发光研究与进展   总被引:1,自引:0,他引:1  
微电子技术的瓶颈和信息技术发展的需求加速了光电子学在硅基材料上实现光信息处理、光电子集成的研究,利用硅基材料制造出高质量的发光器件对光电子学以至整个信息技术均具有重要意义.由于受间接带隙能带结构的限制,天然硅材料具有很低的发光效率,不利于硅光源的实现.通过采用人工改性的方法提高硅的发光效率,多孔硅、硅纳米晶体、掺Er3+硅纳米晶和硅的受激拉曼散射均是目前可实现硅发光甚至硅激光的可行途径.回顾硅发光研究的历史进程,归纳总结了近年来可实现硅发光几种方法的原理、特点以及当前的研究进展.相信随着硅发光效率的提高及器件制备工艺的发展,硅发光研究不久将出现重大突破性成果,并有可能引起新的信息技术革命.  相似文献   
2.
Sol-gel法制备(BiAl)DyIG石榴石磁光记录薄膜   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用柠檬酸络合物型溶胶 凝胶法首次制备得到了具有垂直各向异性的(BiAl)DyIG石榴石磁光记录薄膜,并对材料结构和磁光性质进行了研究,结果得到石榴石磁光记录薄膜磁滞回线具有较好的矩形比,在430nm和520nm的品质因子为2°和1.5°,最佳晶化温度为675℃。  相似文献   
3.
首次采用椭偏光谱仪检测HF缓冲溶液(BHF)处理的Si(111)表面在空气中的化学稳定性.研究表明:随着Si暴露在空气中时间的增长,Si的赝介电常数虚部ε2的E2临界点峰值随之下降,而E1临界点峰值却随之上升;在pH=5.3的BHF中腐蚀,再经去离子水漂洗后,可得到较稳定的Si(111)表面,在空气中一小时之内基本不氧化.  相似文献   
4.
采用多角度椭圆偏振光谱测量,并结合一定的数值计算方法,首次同时精确测出了多种工艺条件下由快速热氧化法生长的超薄氧化层厚度与折射率,对该方法生长的氧化层厚度与氧化时间平方根的关系进行了研究并计算了氧化生长速率的温度激活能,同时也对薄氧化层折射率与氧化层厚度的关系进行了探讨.  相似文献   
5.
研究了FeAg颗粒膜的光学性质.发现当Fe含量较低时,其介函数谱可以近似的用Drude模型描述,同时电子散射弛豫能量是Fe含量的线性函数,利用该性质经定标后可以确定贵金属中的杂质含量.这种方法具有简单易行、测量速度快,无损检测等优点.实验结果还表明,在近红外区,FeAg颗粒膜的介电函数谱并不能用有效介质模型很好的描述.  相似文献   
6.
本文用低温光致发光光谱(PL)、椭圆偏振光谱(SE)、背散射及沟道技术(RBS/C)、扫描电镜技术(SEM)等研究了2MeV高能N+注入Gasb晶体损伤及其光学性质.结果表明高能N+注入Gasb晶体不会产生反常膨胀(Swelling),通过合理的退火可使注入样品晶格得到很好恢复.椭圆偏振光谱能准确反映注入样品晶格损伤情况,并与背散射结果吻合.用有效介质模型(EMA)对椭偏谱进行似合可对注入损伤有定量的了解.  相似文献   
7.
<正> 椭圆偏光法结合阳极氧化剥层技术,测量得到磷注入硅临界剂量附近样品表层的表观光学常数n|~=n-ik,出现一个振荡型的深度分布.在关于离子注入层无序分布的公认结论的基础上,建立了k(x),n(x)同无序度分布D(x)之间的经验关系式,从而从定量上解释了n|~(x)的振荡.  相似文献   
8.
采用基于密度泛函理论的第一性原理研究了赝立方结构的Si3P4、Ge3P4、Sn3P4的电子结构和光学性质.结果表明:三种材料均为间接带隙半导体材料,与同类的碳化物相比,具有相对大的静态介电常数.研究结果为这类材料的应用提供了理论依据.  相似文献   
9.
提出一种基于金属-介质六层膜的高太阳辐射吸收的新型双十字形微结构,计算显示其加权平均吸收率在截止波长前的光谱区约为96.5%,850K温度的辐射率为0.086.通过场图分析对太阳能波段的光热吸收机制进行了探讨.不同入射角情况下的计算结果显示,基于双十字形微结构的太阳能选择性吸收薄膜可具有低偏振依赖性,以及小于50°入射角条件下的低入射角依赖性特点,将能够满足太阳能选择性吸收器件的应用需求.  相似文献   
10.
理论上研究了吸收层材料的光学常数,该常数满足从紫外线到近红外波长范围的四层结构的光子-热转换的高效率。通过使用有效介质近似(EMA)模型,复合材料(金属陶瓷)的光学性能与模拟材料的光学性能非常吻合。此外,提出了使用Ti-MgF2金属陶瓷作为吸收层的具有高光子-热转换效率的四层膜结构,其在300~1 600 nm的波长范围内具有约95.1%的高吸收率。研究结果为实现高效率的光热转换器件提供了新途径,显示了优良的应用前景。  相似文献   
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