基于Ti-MgF2金属陶瓷的高效率四层光热转换薄膜的研究

理论上研究了吸收层材料的光学常数,该常数满足从紫外线到近红外波长范围的四层结构的光子-热转换的高效率。通过使用有效介质近似（EMA）模型,复合材料（金属陶瓷）的光学性能与模拟材料的光学性能非常吻合。此外,提出了使用Ti-MgF₂金属陶瓷作为吸收层的具有高光子-热转换效率的四层膜结构,其在300~1 600 nm的波长范围内具有约95.1％的高吸收率。研究结果为实现高效率的光热转换器件提供了新途径,显示了优良的应用前景。     

LD泵浦6.8W连续Nd:YVO4/LBO 671nm红光激光器

报道了一种光纤耦合半导体激光二极管(LD)阵列端面抽运Nd∶YVO4晶体,腔内Ⅰ类临界相位匹配LBO(LiB3O5)晶体倍频,实现波长为671nm的全固态红光激光器瓦级连续输出的理论分析和实验结果.采用短三镜折叠腔结构,通过对激光晶体热效应的考虑,估算其热透镜焦距,用计算机优化设计选取合适谐振腔参数,在26W的注入泵浦功率下,获得了连续输出6.8W、波长为671nm的红光基模稳定输出,光-光转化效率达到26%.     

磁光存储多层膜系统的光学与热分析方法

采用光学转移矩阵法计算激光照射下磁光存储多层膜的磁光及光学响应，光强分布及焦耳热损失分布，再用有限元方法求解在这种多层膜中的热传导方程，从而得到激光照射下多层膜系统中的温度场分布，这种方法可用于磁光光盘的光学与热学设计。     

GaSb晶体的高能N~＋注入及其光学性质

本文用低温光致发光光谱（ＰＬ）、椭圆偏振光谱（ＳＥ）、背散射及沟道技术（ＲＢＳ／Ｃ）、扫描电镜技术（ＳＥＭ）等研究了２ＭｅＶ高能Ｎ＋注入Ｇａｓｂ晶体损伤及其光学性质．结果表明高能Ｎ＋注入Ｇａｓｂ晶体不会产生反常膨胀（Ｓｗｅｌｌｉｎｇ），通过合理的退火可使注入样品晶格得到很好恢复．椭圆偏振光谱能准确反映注入样品晶格损伤情况，并与背散射结果吻合．用有效介质模型（ＥＭＡ）对椭偏谱进行似合可对注入损伤有定量的了解．     

硅发光研究与进展

微电子技术的瓶颈和信息技术发展的需求加速了光电子学在硅基材料上实现光信息处理、光电子集成的研究,利用硅基材料制造出高质量的发光器件对光电子学以至整个信息技术均具有重要意义.由于受间接带隙能带结构的限制,天然硅材料具有很低的发光效率,不利于硅光源的实现.通过采用人工改性的方法提高硅的发光效率,多孔硅、硅纳米晶体、掺Er3+硅纳米晶和硅的受激拉曼散射均是目前可实现硅发光甚至硅激光的可行途径.回顾硅发光研究的历史进程,归纳总结了近年来可实现硅发光几种方法的原理、特点以及当前的研究进展.相信随着硅发光效率的提高及器件制备工艺的发展,硅发光研究不久将出现重大突破性成果,并有可能引起新的信息技术革命.     

如何利用ILDA测试图来评价激光表演振镜的性能

1引言近年来,激光娱乐表演产业发展迅速,作为激光表演系统中的基础部件,振镜的研发和生产也是百花齐放,百家争鸣。但是,目前国内市场上的国产振镜可以说是鱼龙混杂,良莠不齐。出现这一现象的主要原因是很多振镜用户,特别是一些中小规模的激光灯生产商不知道如何来鉴别一套振镜的性     

基于W双十字形微结构的太阳能选择性吸收薄膜的数值研究

提出一种基于金属-介质六层膜的高太阳辐射吸收的新型双十字形微结构,计算显示其加权平均吸收率在截止波长前的光谱区约为96.5%,850K温度的辐射率为0.086.通过场图分析对太阳能波段的光热吸收机制进行了探讨.不同入射角情况下的计算结果显示,基于双十字形微结构的太阳能选择性吸收薄膜可具有低偏振依赖性,以及小于50°入射角条件下的低入射角依赖性特点,将能够满足太阳能选择性吸收器件的应用需求.     

分光谱太阳能光电转换系统研究

单种类光电子器件的光电响应特性难以获得与太阳能全光谱匹配的高效率光电转换,突破其物理限制的努力方向是研制高转换效率的“第三代”分光谱多结电池。在本工作中,采用分光谱技术,将太阳光谱分成4个子光谱区,分别为400－630nm;630－800nm;800-900nm;900-1800nm;与这些子光谱区的范围相对应,分别采用能隙值与子光谱区相匹配的4个不同种类的具有较高光电转换效率的高性能单结光电器件,实现将太阳光高效率转换成电能。在太阳能电池辐照测试的0.5－6.0个SUN(AM1.5G)变化条件下,对多光谱组合的太阳能电池的光电转换效率进行了测试,获得了在2.8个SUN(AM1.5G)辐照条件下37.7％的实测光电转换效率。在此基础上,给出了利用单结电池组合制备高效率组合型分光谱太阳能光电转换系统的途径,具有较低成本和实际推广应用价值。     

等离子体辅助电子束蒸发低温制备SiO2纳光子薄膜

SiO2纳光子薄膜在光伏领域、纳光子和微电子学领域里有着广泛的应用.采用等离子体辅助电子束蒸发方法在低温条件下制备SiO2/Si纳光子薄膜样品,通过椭圆偏振光谱分析法研究薄膜光学性质随3种工艺条件(生长速率、衬底温度和射频等离子辅助功率)的变化规律,获得了薄膜的机械、化学和光学性能优于传统方法的纳光子薄膜工艺制备条件.     

硅纳米晶体与尺寸相关的介电函数谱

嵌埋于SiO2中的硅纳米晶体具有结构稳定、发光性质可控和制备简便等特点,受到广泛关注和研究。在设计与研制基