FPGA逻辑资源重配置测试技术研究

针对FPGA的逻辑资源测试,提出了一种内建自测试方法.测试中逻辑资源划分为不同功能器件,对应各个功能器件设计了相应的BIST测试模板.在此基础上进一步利用FPGA的部分重配置性能优化BIST测试过程,最终在统一的BIST测试框架下,采用相对较少的配置次数完成了逻辑资源固定故障的全覆盖测试.     

一种用于汽车电子导航的混合差值算法

介绍一种基于全球定位系统(GPS)和电子地图(GIS)的车辆路径诱导系统混合差值算法,实验结果显示,相比常用的Dijkstra's算法,混合差值算法在布线时间上减少60%。     

用于电荷域流水线ADC的1.5位子级电路

针对高速高精度模数转换器的性能依赖于高增益带宽积运放而导致较大功耗的问题,提出了一种基于斗链式电荷器件的电荷域流水线1.5位子级电路．该子级电路使用增强型电荷传输电路来实现电荷传输和余量电荷计算,去除了传统流水线模数转换器中的高性能运放,可大大降低模数转换器的功耗．基于所提出的1.5位子级电路,在0.18μm CMOS工艺条件下,设计了一款10位、250MS/s电荷域流水线模数转换器．测试结果表明,该模数转换器样片在全速采样时对于9.9MHz正弦输入信号转换得到的无杂散动态范围为644dB,信噪失真比为56.9dB,而功耗为45mW．     

基于0.5μm CMOS工艺的高压器件

近年来,驱动类、音响类、接口类电路产品系列是CMOS集成电路发展的一个重要方向,这些电路中特有的高低压兼容结构是其重要的特点.相应地高低压兼容CMOS工艺技术应用也越来越广泛.本文研究了与常规CMOS工艺兼容的高压器件的结构与特性,在结构设计和工艺上做了大量的分析和实验,利用n-well和n管场注作漂移区,在没有增加任何工艺步骤的情况下,成功地将高压nMOS,pMOS器件嵌入在商用3.3/5V 0.5μm n-well CMOS工艺中.测试结果表明,高压大电流的nMOS管BVdssn达到23～25V,P管击穿BVdssp>19V.     

化学汽相淀积耐熔金属及其硅化物

本文综述了化学汽相淀积耐熔金属及其硅化物研究方面的最新进展,并对它们进行了讨论。     

消息重试灵活的增强型1553B总线控制器设计

设计实现了一种消息重试灵活的增强型1553B总线控制器。采用不同于传统1553B总线控制器的存储器管理结构,将操作指令以OP码的形式配置在存储器的相应地址中,从而在总线控制器发生消息重试时,使重试的消息能灵活地变动,并且能重试多次。仿真结果表明,该增强型总线控制器使得消息重试更加灵活,有效地提高了消息重试的成功率和数据传输的可靠性。该总线控制器已应用于1553B协议芯片,并经流片验证。     

夹断电压可调的高压结型场效应管

基于Double RESURF 700VBCD工艺平台,提出了一种夹断电压可调的高压结性场效应管(J-FET)。这种J-FET的夹断是通过栅源反偏引起的N阱(N-well)表面耗尽和衬源反偏引起的底部耗尽共同作用结果,故夹断电压可受J-FET的栅电位调制。同时通过改变高压J-FET的P型埋层(P-buried)掩膜窗口的大小和间距,来改变P-buried和N-well的杂质浓度分布,达到改变J-FET夹断电压的目的。在不增加工艺步骤和改变原有工艺条件的情况下,通过实验得到击穿电压大于700V,夹断电压在8V和17V之间可自由调整的高压J-FET器件。该器件可以作为启动器件和供电模块的线性调整器件使用。由于其夹断电压受P-buried注入版图尺寸的影响,同时受栅电位调制,所以可以满足线路设计者的不同要求。     

具有简单线性补偿和准谐振导通的原边控制的单级反激式LED驱动器

A single-stage flyback driving integrated circuit （IC） for light-emitting diodes （LEDs） is proposed. With an average primary-side current estimation and negative feedback networks, the driver operates in the boundary conduction mode （BCM）, while the output current can be derived and regulated precisely. By means of a simple external resistor divider, a compensation voltage is produced on the ISEN pin during the turn-on period of the primary MOSFET to improve the line regulation performance. On the other hand, since the delay time between the time that the secondary diode current reaches zero and the turn-on time of the MOSFET can be automatically adjusted, the MOSFET can always turn on at the valley voltage even if the inductance of the primary winding varies with the output power, resulting in quasi-resonant switching for different primary inductances. The driving IC is fabricated in a Dongbu HiTek＇s 0.35μm bipolar-CMOS-DMOS process. An 18 W LED driver is finally built and tested. Results show that the driver has an average efficiency larger than 86%, a power factor larger than 0.97, and works under the universal input voltage （85-265 V） with the LED current variation within ±0.5%.