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工业技术 | 284篇 |
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1.
综述了近几年微波、毫米波氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)与单片微波集成电路(MMIC)在高效率、宽频带、高功率和先进热管理等方面的应用创新进展.介绍了基于GaN HEMT器件所具有的高功率密度和高击穿电压,采用波形工程原理设计的各类开关模式的高效率功率放大器,以及基于GaN HEMT器件的高功率密度、高阻抗的特点与先进的宽带拓扑电路和功率合成技术相结合的宽频带和高功率放大器.详细介绍了微波高端和毫米波段的高效率、宽频带和高功率放大器,多功能电路和多功能集成的GaN MMIC.最后阐述了由于GaN HEMT的功率密度是其他半导体器件的数倍,其先进热管理的创新研究也成为热点. 相似文献
2.
2可穿戴传感技术带动MEMS集成技术进一步发展的重要的应用技术是可穿戴传感技术。由各类MEMS传感器和处理电路集成在一起形成可穿戴传感器件,它们通常被戴在手腕、上臂、胸部和头部,用来测量佩戴者的运动位置(GPS)、皮肤温度、皮肤电导等,然后使用这些数据来估计热量燃烧、距离和旅行路线以及睡眠效率等。佩戴者通常从他们的可穿戴器件中将数据上传到网站,保存、分析并显示出来, 相似文献
3.
4.
5.
2012年当量产的集成电路的特征尺寸进入22 nm时,三维晶体管新结构成为纳电子发展的主流,标志纳电子学的发展由应力Si时代进入三维晶体管时代。介绍了多栅晶体管的发展过程,包括双栅、鳍栅、Pi型栅、Ω型栅、三栅和环形栅等FET关键技术的突破和由于栅极控制沟道电子能力增加而导致的器件性能的改善。同时,还介绍了后CMOS器件的新进展,包含InGaAs n沟道鳍栅FET、环栅纳米线FET、Ge n/p沟道鳍栅FET、碳纳米管FET、石墨烯FET、隧穿FET、单电子晶体管和自旋电子学等,以及后CMOS器件的评定和终结CMOS器件模型。 相似文献
6.
7.
4 高温工作
由于SiC功率器件具有更高的击穿电压、工作温度和热导率以及更低的开关和导通损耗等优点,可以突破Si IGBT的最高结温175℃的限制,可满足电子产品在高温下可靠工作的要求,适用于汽车、工业、空间及航空电子设备、内燃机、智能推进系统和地热勘探等领域. 相似文献
8.
由电碳鳞片石墨生产高碳可膨胀石墨的试验研究及工艺改进 总被引:3,自引:0,他引:3
以电碳鳞片石墨替代高碳鳞片石墨,成功地制取了高碳可膨胀石墨,极大地降低了生产成本;另外,通过对生产设备的适当调整,使其更加符合改进后的工艺,达到了最佳组合。 相似文献
9.
10.
软电缆的护套新材料──SRT热塑性弹性体热塑性弹性体是一种既具有硫化橡胶的性能,耐天候老化、耐油、耐曲挠、自熄及耐寒等特点,又能在生产时不用传统的硫化工艺而直接通过挤出机或注塑机进行加工的新型材料。上海橡胶制品研究所研制的SRT热塑性弹性体软电缆护套... 相似文献