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1.
在150℃条件下,以钛酸丁酯为钛源,盐酸和蒸馏水为溶剂,采用水热法通过改变水热反应时间、Ti(OC_4H_9)_4浓度、盐酸和水的比例,在掺F-SnO_2玻璃基板上制备TiO_2薄膜。通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、紫外可见分光光度计(UVVis)等对样品的形貌结构进行表征。结果表明:TiO_2薄膜由均匀排列的金红石相纳米棒阵列组成,具有良好的结晶度和明显的(002)取向,Ti(OC_4H_9)_4浓度越大,TiO_2纳米棒结合的越紧密,样品在紫外光区和可见光区都有良好的光吸收性,浓度为0.05mol/L时禁带宽度最小为2.96 e V;增大盐酸比例,会导致薄膜紫外吸收边带发生蓝移现象。 相似文献
2.
O.4CaTiO3-O.6(Li1/2Nd1/2)TiO3陶瓷的低温烧结及其介电性能 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了烧结助剂2ZnO-B2O3玻璃(ZB)对0.4CaTiO3-0.6(Li1/2Nd1/2)TiO(3CLNT)微波介质陶瓷的烧结特性、相组成、微观形貌及介电性能的影响。结果表明:添加少量的ZB玻璃能使CLNT陶瓷的烧结温度从1300℃降低至950℃。随着ZB玻璃添加量的增加,介电常数先增大后减小,频率温度系数先趋于零后向负值偏移,介电损耗先下降后趋于稳定。添加3wt%ZB玻璃的CLNT陶瓷在950℃烧结2h,获得了最佳的介电性能:εr=91.13,tanδ=0.0133,τf=10.5ppm/℃,满足高介多层片式微波元器件的设计要求。 相似文献
3.
嘉兴地区软土层性质差,分布广,对建筑物影响大,通过对本区软土层的工程特性的一些探讨,结合嘉兴地区水工建筑物的具体情况,提出了相应的防治措施。 相似文献
4.
研究了不同BaCu(B2O5)(BCB)掺杂量对2.5ZnO-2.5Nb2O5-5TiO2(ZNT)陶瓷烧结行为、介电性能及与Ag相容性的影响规律。添加BCB可有效地将ZNT陶瓷的烧结温度从1 100℃降低至900℃。BCB添加量为3.0wt%,900℃烧结3h所制得的ZNT陶瓷的微波性能良好:εr=48,Qf=15 258GHz,τf=41×10-6/℃。且在BCB掺杂ZNT陶瓷与Ag共烧样品中未检测到新生相和Ag的扩散,表明3.0wt%BCB掺杂的ZNT陶瓷与Ag的相容性良好,是一种很有潜力的LTCC材料。 相似文献
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BaCu(B_2O_5)助烧对CaO-BaO-Li_2O-Sm_2O_3-TiO_2微波介质陶瓷低温烧结和介电性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了BaCu(B_2O_5)(简写为BCB)掺入对14CaO-4BaO-8Li_2O-12Sm_2O_3-63TiO_2(简写为CBLST)微波介质陶瓷介电性能的影响.用XRD和SEM研究其相组成及微观形貌.结果表明:BaCu(B_2O_5)掺入能显著降低CBLST陶瓷的烧结温度,由1325 ℃降至1100 ℃.1100 ℃烧结2 h后,仍包含正交钙钛矿相和棒状的BST相.掺入6wt% BaCu(B_2O_5)的CBLST陶瓷取得了较好的介电性能:Kr=87.76,tanδ=0.018,TCF=-4.27 ppm/℃(1 MHz). 相似文献
7.
以Ti(OC_4H_9)_4为钛源,盐酸和蒸馏水为溶剂,改变水热温度、Ti(OC_4H_9)_4浓度,采用水热法在掺F-SnO_2玻璃基板上制备TiO_2纳米棒薄膜。通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见分光光度计(UV-Vis)对样品的晶型结构、微观形貌和光吸收强度等进行表征。结果表明,制得的TiO_2薄膜由均匀排列的金红石相一维纳米棒阵列组成。温度的升高有利于TiO_2纳米棒的生长,160℃时TiO_2薄膜纳米棒之间空隙适中,具有较好的均一性和分散性。Ti(OC_4H_9)_4浓度为0.05 mol/L时,纳米棒直径大,有高的结构密度、适宜的孔隙率,垂直生长性好,薄膜与衬底接触良好,样品在紫外光区和可见光区都有良好的光吸收性;Ti(OC_4H_9)_4浓度为0.03 mol/L时,禁带宽度最小为2.78 eV。 相似文献
8.
采用溶胶-凝胶旋涂法在FTO玻璃衬底上制备得到了不同Al掺杂浓度的ZnO薄膜(AZO)。利用XRD、FESEM、UV-vis和PL等测试手段对样品结构、形貌和光学性能进行了表征。结果表明,合成的AZO薄膜均为六方纤锌矿结构且峰强随掺杂浓度的升高而减弱;同时,颗粒形貌由不规则向规则球形转变且尺寸逐渐减小;PL谱中的近紫外发射峰和晶格缺陷峰值随掺杂浓度的升高先增大后降低;由UV-vis吸收光谱可知,AZO薄膜在设定波长内的光吸收处于波动状态,且当Al掺杂浓度为3%时,光吸收强度最高,禁带宽度减小到3.12eV。 相似文献
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以BaCO3和TiO2粉末进行固相反应来合成Ba2Ti9O20主晶相,以CuSO4溶液为先驱体引入CuO来降低瓷料的烧结温度,CuO薄层修饰陶瓷粉体表面。这种方法减少了烧结助剂的加入量从而降低了对陶瓷材料介电性能的恶化。介电常数(εr)随着CuSO4溶液浓度的增大先增大后略有减小。介电损耗(tanδ)随着CuSO4溶液浓度的增大先减小后增大。CuSO4溶液的浓度为0.32mol/l,1200℃烧结4h后得到良好的介电性能:εr=43,tanδ=0.005,τf=-7ppm/℃(1MHz)。 相似文献
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