用化学腐蚀制备多孔硅太阳电池减反射膜的研究

采用HF HNO3溶液化学腐蚀 ,在硅片上制备减反射效果优良的多孔硅太阳电池减反射膜 ,借助原子力显微镜 (AFM)和X光电子谱 (XPS)对其表面形貌和成分进行观察 ,发现该膜与电化学阳极腐蚀得到的多孔硅具有相似性 ,其主要成分为非化学配比的硅的氧化物SiOx(X <2 )。采用带积分球的光度分光计 ,测得形成多孔硅减反射膜后 ,硅片表面反射率大大下降 ,,在波长 330～ 80 0nm范围反射率只有 1 5～ 2 9%。研究指出这种强减反射作用 ,与多孔硅具有合适的折射率及其多孔特性的光陷阱作用有关     

PH值对化学沉积制备CdS薄膜性质的影响

实验研究了pH值对化学沉积制备CdS薄膜性质的影响。表明：在柠檬酸钠作为络合剂的体系中随着溶液中氨水浓度的提高CdS薄膜会发生相变，从立方相变为六方相，即当氨水浓度为0．31M时，得到立方相的CdS薄膜；而当氨水的浓度大于0．51M时，得到六方相的CdS薄膜。氨水浓度的提高也使得CdS薄膜的形貌有了很大的改善，且制备得到的CdS薄膜从富CA变为富S，但是薄膜仍是n型。氨水浓度对CdS薄膜的光学性质也有很大的影响，随着氨水浓度的提高所得到的CdS薄膜的禁带宽度增大。     

高压热处理对氧沉淀低温形核的影响

研究了外加高压(1GPa)下对450℃热处理硅片中氧沉淀行为的影响.透射电镜观察表明相对于大气压下热处理的样品,高压处理的样品会产生密度更高、尺寸更小的氧沉淀,表明高压有利于小直径氧沉淀的生成.电学性能测试表明,高压下处理的样品其热施主生成浓度和生成速率远远高于常压下处理的样品,这表明热施主与低温热处理过程中生成的高浓度氧沉淀核心有密切的关系.     

信息产业政策的制定要宽法严行

我认为目前国内信息产业主要障碍分别在三个方面,一个是政策环境,一个是法律环境,第三个就是市场环境。信息内容产业正在成为第一大产业,这已经是一个不争的事实。但是,相反来说,IT 和很多软件行业,成为内容服务产业的载体或者是一种传达方式。在这一点上,我觉得确实会带来很大的冲突。这个冲突表现在融合方面的问题。融合包括通讯,传统计算机,传统的出版行业。这个融合带来很大的冲突,包括利益的冲突,包括很多边界不确定性。所以,我觉得这里面是会延伸很多很复杂的系统性的问题。我曾在2000年去新加坡考察当地信息产业政策。新加坡在     

大型压力容器现场热处理技术

以大连石化350万t/a催化裂化装置再生器为例,研究开发大型炼油化工设备现场新型热处理工艺。通过设置必要的热气流导向装置,采用微正压内燃工艺,配备新型大功率燃油喷嘴、用DCS集散控制系统调节油风比例和烟囱热量排放张合度,对超厚壁板适当增加电加热辅助热处理,解决了大容积、变截面、不等壁厚、超重设备施工现场热处理温度调整难度大、不均衡等技术问题。实践证明,应用该技术进行热处理,具有工期短、效果好、经济效益明显等特点。     

再生胶原纤维在造纸中的应用

研究了从未经鞣制的废皮中分离出的再生胶原纤维作为添加剂加入到纸张中对纸张强度的影响，并比较了其对阔叶木浆与针叶木浆的不同作用。     

化学沉积法制备CdS薄膜及性质研究

利用化学沉积(CBD)的方法制备立方相的CdS薄膜。实验表明，在无搅拌、柠檬酸钠作为络合剂的条件下，在溶液的配方为0．02mol/L的CdCl2、0．02mol/L的柠檬酸钠、0．05mol/L的CS(NH2)2的体系中，当pH值为11．5，溶液温度为80℃时，在ITO玻璃上沉积得到CdS薄膜的前驱体，再把所得的前驱体在350℃，N2保护下热处理两个小时经x射线衍射(xRD)和扫描电镜分析，表面薄膜是结晶良好、立方相、表面均匀光滑的CdS薄膜。随着热处理温度的提高，CdS薄膜的晶化程度有很大的提高，晶粒有明显的长大，其光学性能也有很大的改善。     

我国农业机械化评价指标体系设置研究

农业机械化指标体系的准确设置和正确运用将有助于评价标准的统一性 ,便于使用同一的计量尺度计算和分析农业机械化的作用效果 ,评价农业机械化发展水平。本文通过对农业机械化评价指标体系的属性、功能以及量化标准的理论研究与分析 ,提出了构建我国农业机械化评价指标体系框架的初步设想     

那些web2.0网站一觉醒来会这样死去

讨论那些所谓的Web2.0网站的死法是一个残酷、不受人待见但又不得不面对的话题。在第二轮网络淘金热的狂潮中。Web2.0概念和大量的创业者摇身变成风险投资家，便是新的互联网热候症表现之一。     

直拉单晶硅中氧沉淀的高温消融和再生长

重点研究了直拉(CZ)硅中氧沉淀在快速热处理(RTP)和常规炉退火过程中的高温消融以及再生长行为.实验发现,RTP是一种快速消融氧沉淀的有效方式,比常规炉退火消融氧沉淀更加显著.硅片经RTP消融处理后,在氧沉淀再生长退火过程中,硅中体微缺陷(BMD)的密度显著增加,BMD的平均尺寸略有增加;而经过常规炉退火消融处理后,在后续退火过程中,BMD的密度变化不大,但BMD的尺寸明显增大.氧沉淀消融处理后,后续退火的温度越高,氧沉淀的再生长越快.